【課題】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した場合、カソードとの距離が縮まるため更にカソードからの電子放出量や電子それぞれの運動エネルギーが増加する。増加した電子放出量や電子の運動エネルギーによって、ゲートがさらに熱膨張するという正帰還が発生する場合があった。
【解決手段】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した際に、ゲートとカソードとの距離が離れる構造を備える電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】電力損失が少ない電子放出素子を提供する。
【解決手段】上面に電子放出源２が設けられたカソード電極１と、カソード電極１に一定の距離ｄをおいて平行に対向配置され、電子放出源２からの電子が通過する開口部５ａを有するゲート電極５と、カソード電極１とゲート電極５との間に積層して介在され、電子放出源２からの電子を通過させる開口部３ａ，４ａをそれぞれ有する２層の第１及び第２絶縁体３，４とを備える。第１及び第２絶縁体３，４のうち、カソード電極１に１番目に近い第１絶縁体３の誘電率ε１を、カソード電極１に２番目に近い第２絶縁体４の誘電率ε２より高くした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及び電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、絶縁基板と、陰極と、電界放出ユニットと、絶縁層と、グリッド電極と、導電層と、を含む。前記絶縁層は、前記絶縁基板に配置され、前記絶縁層は、スルーホールと、第一端部と、第二端部と、を含む。前記第一端部は、前記絶縁基板に接触する。前記陰極は、前記絶縁基板の表面に配置される。前記電界放出ユニットは、前記陰極の前記絶縁基板と接触する表面とは反対側の表面に配置され、該陰極と電気的に接続される。前記グリッド電極は、前記絶縁層のスルーホールに被覆される。前記導電層は、前記絶縁層の前記第二端部に配置され、前記グリッド電極に電気的に接続され、且つ前記電界放出ユニットと電気的に絶縁される。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でアノードへの電子の到達効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に積層された絶縁部材３とゲート５を備え、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、カソード６は絶縁部材３の角部３２に沿って設けられた複数の突出部１６を有し、ゲート５がカソード側に向かって伸びる複数の突出部１５を有する。 （もっと読む）

【課題】より低電圧で電子放出が可能であり、駆動コストの低減と長寿命化を図ることができる電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電子放出素子は、ゲート電極のカソード電極と対向する面側に絶縁体を形成し、絶縁体の厚さが、カソード電極とゲート電極間の距離よりも小さいことを特徴とする。これにより、カソード電極とゲート電極との間において、誘電率に偏りが生じることになり、カソード電極上の電子放出源の表面に電界を好適に集中させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作する電子放出素子および画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子が、側面を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記側面に形成された凹部と、前記凹部の上方に配置されたゲート電極と、前記凹部の下側のへりに配置され、前記凹部側の第１斜面と前記凹部とは反対側の第２斜面を有するくさび形のエミッタと、を備える。前記エミッタの前記第１斜面の下端は前記凹部内に入り込んでおり、前記エミッタの第１斜面と前記第２斜面はともに前記凹部の外側に傾いている。 （もっと読む）

【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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【課題】電子ビームの集束性に優れ、リーク電流を抑制し、変形の起こりにくい構成を有する電子放出素子、ならびに、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、カソード電極２、ゲート電極４、絶縁部材６、及び、電子放出材５を備え、前記絶縁部材６は、前記ゲート電極に接し、かつ、前記ゲート電極の開口と略同じ大きさの開口を有する第１の絶縁層６ａと、前記第１の絶縁層よりも前記カソード電極側に位置し、かつ、前記ゲート電極の開口より大きい開口を有する第２の絶縁層６ｂと、を含む３つ以上の絶縁層が積層されたものである。 （もっと読む）

【課題】ベースへの所望の接着性および非常に良好な絶縁性を有する厚膜タイプの誘電体を提供すること。
【解決手段】本発明の誘電体は、感光性組成物からなる下側誘電体層と、感光性組成物からなり、上記下側誘電体層の上に形成された上側誘電体層とを含む。上記下側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ１）と、上記上側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ２）と、上記主要ガラス粉末の焼成温度（Ｔ３）とが関係Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ３＋３０℃を満たす。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイデバイスで使用される誘電体を提供すること。
【解決手段】誘電体は、感光性組成物からなる下側誘電体層と、上記下側誘電体層の上に形成された感光性組成物からなる上側誘電体層とを有し、あるパターン露光において使用される光に対する上記上側誘電体層の透過率は、前記パターン露光において使用される光に対する上記下側誘電体層の透過率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】電子放出領域における動作電圧の高電圧化を招くことなく、カソード電極とゲート電極との間の静電容量の低容量化をすることができる冷陰極電界電子放出表示装置用カソードパネル、並びに、係るカソードパネルが組み込まれた冷陰極電界電子放出表示装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１１１とゲート電極１１３とが重複する重複領域ＳＡに設けられた電子放出領域ＥＡから成る冷陰極電界電子放出表示装置用カソードパネルであって、電子放出領域ＥＡには、（ａ）ゲート電極１１３に形成された複数の第１開口部１１４Ａ、（ｂ）絶縁層に形成され、第１開口部１１４Ａと連通した第２開口部１１４Ｂ、及び、（ｃ）第２開口部１１４Ｂの底部に位置する電子放出部１１５が設けられており、重複領域ＳＡの電子放出領域部分における絶縁層の厚さは、重複領域ＳＡの電子放出領域以外の部分における絶縁層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性のばらつきの発生が抑制された電界放出型電子源を提供する。
【解決手段】 基板１上にはカソード配線層２が形成されている。カソード配線層２上には電子放出膜３が形成されている。電子放出膜３上には絶縁膜４が形成されている。ゲート電極膜５には、開口２００が形成されている。絶縁膜４には、ゲート電極膜５から電子放出膜３へ向かって延びる開口１００が形成されている。絶縁膜４は、ゲート電極５の開口２００の内周面から内側に突出している突出部２０を有している。突出部２０の突出幅Ｗｇｉ（ｍｉｎ）のゲート開口寸法Ｗｇに対する比が０％以上５％以下である。 （もっと読む）

【課題】装置の機能に与える影響を抑え、比較的簡易な構成で電子／イオンの収束を制御することが可能な電子／イオン源装置及びその製造方法と表示装置を提供する。
【解決手段】電子又はイオンを放出する電子／イオン源を有する電子／イオン源装置において、アノード１５とカソード５との間の少なくとも一部に、誘電率の異なる領域を有する誘電率変調部３０を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】 厚膜工程による絶縁層を備えて駆動電極間の電気的絶縁を確保しながら、絶縁層の寄生キャパシター作用による信号歪曲を抑制して電気的動作特性を向上させることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出素子は所定の間隔をおいて対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成される電子放出部と、第１基板上に相互絶縁されて位置し、電子放出部の電子放出を制御する第１電極及び第２電極と、第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層と、第２基板上に形成されるアノード電極と、アノード電極の一面に形成される蛍光層とを含む。この時、絶縁層は電気的物性の異なる少なくとも二つの層の積層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法により微小電子源層の損傷を抑制し、電子放出特性の信頼性の高い微小電子源装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１０上のカソード電極１１に複数のカーボンナノチューブを含有する微小電子源層１２を形成する工程と、前記微小電子源層１２上に少なくとも２種以上のアルカリ土類金属の酸化物からなる保護層Ｐを形成する工程と、支持基板１０、カソード電極１１、保護層Ｐを覆う層間絶縁膜１３Ｌを形成し、該層間絶縁膜１３Ｌ上に開口部を有するゲート電極を形成する工程と、前記開口部直下の層間絶縁膜１３Ｌをドライエッチングしてゲート電極及び層間絶縁膜１３Ｌを貫通し、保護層Ｐが露出するゲートホールを形成する工程と、前記ゲートホール内の保護層Ｐを除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、基板の上面に形成され所定の高さのカソードホール（２１２）が形成されたカソード電極（１１２）と、カソード電極（１１２）の上面に形成されるものであって、カソードホール（２１２）より小さな直径を有する第１貫通孔（２１３）が形成された物質層（１１３）と、物質層（１１３）の上面に形成されるものであって、第１キャビティ（２１４）が形成された第１絶縁層（１１４）と、第１絶縁層（１１４）の上面に形成されるものであって、第２貫通孔（２１６）が形成されたゲート電極（１１６）と、カソードホール（２１２）の中心部に形成されるエミッタ（１３０）と、を備える電界放出素子。 （もっと読む）