【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】段差形成部材２の上面に設けられたゲート５と、段差形成部材２の側面２０におけるゲート５の直下に形成された凹部７と、段差形成部材２の側面２０に設けられ、上端に凹部７の下縁から上縁に向かって突起した突起部６ａを有するカソード６とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材２の側面２０は、凹部７の下縁から高さ方向中間部３０までの上段２１の傾斜角θ１より、高さ方向中間部３０から下端までの下段２２の傾斜角θ２が大きくなっており、しかもカソード６の上段２１の部分である上段カソード部分６ｂよりもカソード６の下段２２の部分である下段カソード部分６ｃの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子であって素子内に効率よく電子を注入可能なもの、及び、そのような電子放出素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】基３と、該基材３の端部３ａに設けられた突起５と、導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、突起５の側面に設けられた少なくとも１つの穴部５ｃを有し、導電性皮膜７は、穴部５ｃの内面を含む突起５の表面上に形成されており、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、突起５は一辺が１０００μｍの立方体内に収容可能な形状を有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性のばらつきが小さく、該電子放出特性を長期にわたって維持できる電子放出素子を有する電子源及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子源は、基板と、基板上に設けられた一対の電極と、前記基板上の一対の電極間に、当該一対の電極と電気的に接続するように設けられた、電子放出部を有する複数の導電性膜とを有する電子放出素子を複数有する電子源であって、前記複数の導電性膜の間に位置し、且つ、前記一対の電極と電気的に接続するように、前記電子放出素子上に設けられた、タングステン（Ｗ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の窒化物とを主成分とする短絡抑制膜を有し、前記短絡抑制膜における、タングステンとゲルマニウムの原子数に対するタングステンの原子数の比が０．２４以上であり、前記短絡抑制膜の表面抵抗が１×１０^１０Ω／□以上１×１０^１３Ω／□以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 長期に渡って変動の少ない安定した電子放出特性を有する電子放出素子、電子源を提供する。
【解決手段】 基板の表面上で第１方向において離隔して設けられた一対の導電性膜と、各々が、該一対の導電性膜を接続し、間隙を備え、且つ、前記第１方向とは異なる第２方向において互いに離隔して設けられた、複数のカーボン膜と、を備える電子放出素子であって、 前記第２方向における前記複数のカーボン膜の間に、前記基板の表面の一部が露出しており、前記露出している部分が、前記基板の表面の一部であって前記複数のカーボン膜で覆われている部分を構成する材料よりも炭素の堆積を抑制する材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドからなる電子放射陰極を加熱した際に、脱ガスの少ない電子源モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ダイヤモンドからなる電子放射陰極と、前記電子放射陰極を把持する一対の導電性支柱と、前記導電性支柱と前記電子放射陰極の間に配置されるブロックと、を有し、前記ブロックが、表面の少なくとも一部に耐熱性被覆層が形成されたグラファイトからなる電子源モジュールである。耐熱性被覆層としてはダイヤモンドが好適であり、前記ブロックのグラファイトとしてはパイロリティックグラファイトが好適である。 （もっと読む）

【課題】長期に渡って変動の少ない安定した電子放出特性を有する電子放出素子を提供する。
【解決手段】基板１上に距離Ｌをおいて対向する素子電極２，３と、該素子電極２，３にそれぞれ接続された複数の導電性膜４ａ，４ｂと、該導電性膜４ａ，４ｂ間の間隙５近傍に堆積するカーボン膜６ａ，６ｂとからなり、導電性膜４ａ，４ｂのシート抵抗が１×１０²乃至１×１０⁷Ω／□であり、導電性膜４ａ，４ｂの幅Ｗ１と素子電極２，３間の距離Ｌ１との関係がＷ１／Ｌ１≦０．１８となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】エミッタ数を増やした場合においてもマトリックス動作時の線欠陥を防止できるマトリックス型冷陰極電子源装置を提供する。
【解決手段】エミッタアドレス電極上に形成された電子を放出するためのエミッタが複数配列されたエミッタアレイと前記エミッタアレイに対向するように配置されたゲート電極とから成るマトリックス型冷陰極電子源装置において、前記ゲート電極は、ゲート信号配線に接続するためのゲートアドレス電極と前記エミッタアレイに対向する位置に配置されたエミッタ領域ゲート電極を有し、前記ゲートアドレス電極と前記エミッタ領域ゲート電極との間に高抵抗領域を有するマトリックス型冷陰極電子源装置。 （もっと読む）

【課題】発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化によって生じる配線領域の浮遊容量の増大を防ぎ、配線遅延の生じ難いゲート引出し配線を形成することができるマトリックス型冷陰極電子源装置を提供する。
【解決手段】電子を放出するエミッタが複数配列したエミッタアレイをマトリクス状に配置した電子源と、前記エミッタアレイに対向するように配置された開口部を持つゲート電極アレイと、前記電子源の下部に絶縁層を介して形成されたゲート信号配線と、前記ゲート電極アレイと前記ゲート信号配線とを電気的に接続するためのプラグと、を有するマトリックス型冷陰極電子源装置。 （もっと読む）

【課題】厚さが数ｎｍ乃至数十ｎｍの薄膜であり、シート抵抗が１０ｋΩ／□乃至数百ｋΩ／□の高抵抗で且つ抵抗バラツキの少ない導電性膜を備えた電子放出素子を提供する。
【解決手段】貴金属と卑金属の錯体を含んだ溶液を塗布し、ＵＶ照射しながら焼成することによって、膜厚が３ｎｍ乃至５０ｎｍで、貴金属と卑金属酸化物からなり、酸化物金属の金属比率が貴金属の３０モル％以上であり、膜厚方向に卑金属酸化物の濃度勾配を有する導電性膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の導電性薄膜について、シート抵抗で１０Ｋ〜数百ＫΩ／□の高抵抗でかつ抵抗バラツキの少ない導電性薄膜を提供する。
【解決手段】金属又は合金からなる導電性薄膜４であって、該導電性薄膜４を構成する金属又は合金のバルクに対する密度の比が０．２以上０．５以下であり、該金属又は合金のバルクに対する抵抗率の比が１００倍以上１０００００倍以下の導電性薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】熱による特性変化を起こしにくく、安定した電子放出が可能な電子放出膜を備えた電子放出素子、電子源および画像表示装置、並びに、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子の電子放出膜が、第１材料からなる第１層と、第１材料よりも電気抵抗率の小さい第２材料からなり前記第１層の中に設けられる複数の粒子と、を有する膜である。第１材料が、酸素と窒素とを含む材料である。詳しくは、第１材料が、酸窒化物、窒素がドープされた酸化物、もしくは、酸素がドープされた窒化物である。粒子の粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。電子放出膜の表面が水素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率に優れ、かつ寿命が延長された電子放出物質と、これを備えた電子放出表示素子とを提供すること。
【解決手段】電子放出物質の表面に水素原子が結合されるようにした。また、電子放出表示素子１００を、蛍光体層７０を備える前面パネル１０２と、前面パネル１０２と接合されて所定の空間を形成する電子放出素子１０１と、前面パネル１０２と電子放出素子１０１とが形成する空間１０３の内部に配置された水素放出剤２０と、を備えるように構成した。また、水素放出剤２０は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉを含むグループのうちから選択された金属の水素化合物を一つ以上含むようにした。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー自体の抵抗値が経時的に変化しにくい配線基板を備えた電子源を提供することを目的とする。
【解決手段】電子源は、表面に溝を備える基板と、該溝に沿って、該溝内に少なくともその一部が配置された導電性のワイヤーと、ワイヤーと交差してワイヤー上に配置された配線と、を備えた配線基板と、配線基板上に配置され、前記導電性のワイヤーと前記配線に電気的に接続された複数の電子放出素子と、を備え、ワイヤーの表面が、ワイヤーを構成する材料の酸化物からなる被覆層で覆われている。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを利用した電界放出電極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＺｎＯ層と、ＺｎＯ層上に形成されたカーボンナノチューブとを具備するカーボンナノチューブを利用した電界放出電極である。これにより、ＺｎＯ層上に形成したシングルウォールカーボンナノチューブを有する電極を電界放出素子に適用し、駆動電圧を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】電子を均一に放出することができ、製造工程が簡単であり低コストで製造することの可能な電子放出素子と、この電子放出素子を備えて画素間の均一度を向上させることの可能なディスプレイ装置および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１０と、第１基板１１０上に配置されたカソード電極１２０および電子放出源と、カソード電極１２０と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極１４０と、カソード電極１２０とゲート電極１４０との間に配置され、カソード電極１２０とゲート電極１４０とを絶縁する絶縁体層１３０と、カソード電極１２０に接するように配置され、半導体カーボンナノチューブを含む抵抗層１２５と、を備える電子放出素子１０１である。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性のバラツキが少なく、電子放出量の「ゆらぎ」が抑制された電子放出素子を提供する。
【解決手段】 酸化シリコンを含む第１部分と第１部分に並設された高い熱伝導率を有する第２部分とを備えた基体上に、間隙を備える導電性膜を配置し、第１および第２部分が導電性膜に比して高抵抗とし、間隙を第１部分の上に配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗層を設計通りの抵抗値で安定化させることができる微小電子源装置の製造方法、及び抵抗層と帯電防止層を設計通りの抵抗値で安定化させることができるカソードパネルの製造方法を提供し、電子放出の均一化及び長寿命化を図ることのできる微小電子源装置及びカソードパネルを提供する。
【解決手段】表面にカーボンナノチューブの一端を突出させた微小電子源層１２を備える微小電子源装置の製造方法において、カソード電極１１と微小電子源層１２との間に炭化珪素及び／または窒素含有炭化珪素からなる抵抗層Ｉ_１ａを形成する工程と、前記抵抗層Ｉ_１ａを構成する炭化珪素及び／または窒素含有炭化珪素を相変化させて結晶質の抵抗層Ｉ_１ｃとする熱処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電子線励起ディスプレーなど次世代の電子装置に広く応用される高効率、低電圧で動作し、容易に集積化できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。表面電極下の表面ＧａＮ層を電子放出部の表面ＧａＮより厚くすることにより、電子放出部のみに共鳴トンネルを生じさせ、効率的な電子放出がおこなえる。 （もっと読む）