【課題】 使用に耐える大型化が可能な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子放出素子１は、電極基板２、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を含んで構成される。電極基板２は、導電性を有する構造体であり、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を支持する。電気絶縁層５は、電極基板２上に形成され、複数の開口部６を有する。微粒子層３は、開口部６によって形成される開口６Ａに、電極基板２と薄膜電極４との間に充填される。微粒子層３は、絶縁性微粒子および導電性微粒子を含んで構成される第１微粒子層３１と、絶縁性微粒子を含んで構成される第２微粒子層３２とによって構成される。薄膜電極４は、微粒子層３および電気絶縁層５の表面形状に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生を抑えつつ、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる電子源アレイを提供する。
【解決手段】電子源１０は、エミッタ電極１１、第１絶縁膜１２、第１ゲート電極１３、第２絶縁膜１４、第２ゲート電極１５、第３絶縁膜１６、集束電極１７を備え、第２絶縁膜１４及び集束電極１７にそれぞれ形成された開口部１４ａ及び１７ａは、第１ゲート電極１３及び第２ゲート電極１５に形成された各開口部よりも大きい開口面積を有し、第３絶縁膜１６に形成された開口部１６ａは、集束電極１７に形成された開口部１７ａの開口面積以上の開口面積を有し、エミッタ電極１１と第１ゲート電極１３との間の電位差が、エミッタ電極１１と集束電極１７との間の電位差よりも大きく、エミッタ電極１１と第２ゲート電極１５との間の電位差よりも小さい構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した場合、カソードとの距離が縮まるため更にカソードからの電子放出量や電子それぞれの運動エネルギーが増加する。増加した電子放出量や電子の運動エネルギーによって、ゲートがさらに熱膨張するという正帰還が発生する場合があった。
【解決手段】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した際に、ゲートとカソードとの距離が離れる構造を備える電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊が発生し難いと共に、容易で安価に製造でき、安定かつ良好な量の電子放出が可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に、微粒子の層よりなる電子加速層４を有しており、電極基板２と薄膜電極３との間に電圧を印加すると、電子加速層４で電子を加速させて、薄膜電極３から電子を放出する。ここで、電子加速層４は、微粒子として絶縁体微粒子５を含み導電微粒子は含まず、かつ、絶縁体微粒子５間にはワックスが存在している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子引き出し電極と、二次電子放出層と、陰極板と、電界放出ユニットと、を含む。前記電子引き出し電極及び二次電子放出層は、前記絶縁基板の一つの表面に順次的に配置される。前記陰極板は、一つの第一絶縁隔離層によって前記電子引き出し電極と間隔をおいて絶縁的に配置される。前記陰極板の少なくとも一部が前記二次電子放出層と対向する。前記陰極板は、少なくとも一つの電子放出部を含む。前記電界放出ユニットは、前記陰極板の前記二次電子放出層と対向する一部表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて電子放出特性を向上できる電子源を提供する。
【解決手段】下部電極２と表面電極７との間に電子通過層６を備える。電子通過層６は、下部電極２側の第１の電子通過部６ａと、表面電極７側の第２の電子通過部６ｂとからなる。第２の電子通過部６ｂは、下部電極２の厚み方向に沿って形成された多数の第２のグレイン３２ａと、各第２のグレイン３２ａそれぞれの表面に形成された薄い第１の絶縁膜３５と、互いに隣り合う第２のグレイン３２ａ間に介在する多数のナノメータオーダの微結晶半導体３３と、微結晶半導体３３それぞれの表面に形成され微結晶半導体３３の結晶粒径よりも小さな膜厚の第２の絶縁膜３４とを有する。第２の電子通過部６ｂの厚み方向において第２のグレイン３２ａが形成された領域３６と、第１の電子通過部６ａとは、結晶配向性が異なり、第２のグレイン３２ａの方が、第１のグレインに比べて柱状性が高くなっている。 （もっと読む）

【課題】電子通過層にピンホールが発生するのを抑制でき、従来に比べて電子放出特性を向上できる電子源を提供する。
【解決手段】下部電極２は、スリット２ｂにより複数の電極１２に分離する。電子通過層６は、各電極１２と基板１１の一表面とに跨って形成する。第２の電子通過部６ｂは、基板１１の厚み方向に沿って形成された多数の第２のグレイン３２ａと、各第２のグレイン３２ａの表面に形成された薄い第１の絶縁膜３５と、互いに隣り合う第２のグレイン３２ａ間に介在する多数のナノメータオーダの微結晶半導体３３と、微結晶半導体３３の表面に形成され微結晶半導体３３の結晶粒径よりも小さな膜厚の第２の絶縁膜３４とを有する。第２の電子通過部６ｂの厚み方向において第２のグレイン３２ａが形成された領域３６と、第１の電子通過部６ａとは、結晶配向性が異なり、第２のグレイン３２ａの方が、第１のグレインに比べて柱状性が高くなっている。 （もっと読む）

【課題】 十分な電子が放出されるとともに絶縁は各破壊が生じにくい電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、第１絶縁体微粒子と第１絶縁体微粒子よりも大きい第２絶縁体微粒子とにより構成され、その表面に第２絶縁体微粒子で形成された凸部が配置された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第２電極と、を備え、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されると、第１電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて前記凸部を介して第２電極から放出させるように構成されることを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型電子源の冷陰極を構成する炭素材の表面構造の先鋭化を実現すると共に、その先鋭化を１回の工程で行うことで製造コストを抑える。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の電子放出の効率を向上させるとともに素子の損傷を防止する。
【解決手段】非結晶質の電子供給層（４）と、電子供給層（４）上に形成された絶縁体層（５）と、絶縁体層（５）上に形成された上部電極（６）とを有し、電子供給層（４）と上部電極（６）間に電界が印加されたときに電子を放出する電子放出素子であって、
上部電極（６）と絶縁体層（５）が切り欠かれ電子供給層（４）が露出した凹部（７）と、上部電極（６）と凹部（７）上を覆って電子供給層（４）の露出面（４ａ）の縁部分（４ｃ）に接触し、さらに電子供給層（４）の露出面（４ａ）の内側部分（４ｂ）上で隆起して電子供給層（４）との間に空洞（８ｂ）を有するドーム形状（８ａ）となっている炭素層（８）とを有する。 （もっと読む）

【課題】電界放出装置が提供される。
【解決手段】本発明による電界放出装置は、第１方向、第２方向、及び第３方向に各々延びるゲートラインを含むゲート電極、及び第１方向、第２方向、及び第３方向に各々延びるカソードラインを含むカソード電極を含む第１基板、第１基板と対向してアノード電極を含む第２基板、及び第１基板と第２基板間のスペーサーを含む。 （もっと読む）

【課題】電子放出可能電圧を低電圧化し、消費電力の低減と長時間動作の安定化と可能にする電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１では、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、導電微粒子８と、導電微粒子８の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子７と、結晶性電子輸送剤９とを含み、結晶性電子輸送剤９は、結晶化している。よって、電子放出素子１における電流路の形成が容易になり、従来の電子放出素子に比べて低電圧での電子放出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料とグリッド電極との短絡を防止するとともに、電子ビームの拡散を抑える。
【解決手段】陰極を形成する電極１３、及び層の形状の電子放出材料で形成された支持手段１４、電気絶縁層１１、及びグリッド電極１５を重ね合わせて含む三極管型陰極構造であり、電子放出材料で形成された手段１４は、グリッド電極内及び電気絶縁層内に形成される開口部１２の中心部に位置し、この開口部がスリットの形状であり、かつ電子放出材料で形成された手段は、スリットの縦軸に沿って一列に並べられる。 （もっと読む）

【課題】電界放出された電子からゲート電極を保護するのに適した照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、ゲート電極開口部の開口径Ｄ１が絶縁体開口部の開口径Ｄ２より大きい。このため、電子の通過する開口部において絶縁体が張り出した構成となり、電界放出された電子がゲート電極に衝突することを抑制することが出来る。よって、ゲート電極に電界放出された電子が衝突することに起因する問題を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板にナノ炭素材料を好適にパターニングして成長させること出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の手法を用いることにより、基板上に形成した開口部の断面部分に触媒層が露出させられ、この触媒層が露出されられた部分にのみナノ炭素材料が成長したナノ炭素材料複合基板が作製できる。このため、本発明のナノ炭素材料複合基板は、開口部により露出された触媒層にのみナノ炭素材料が生成されており、パターニングされてナノ炭素材料が配置されることから、電界が集中しやすく、優れた電子放出特性が発揮されることが期待できる。また、個々のナノ炭素材料は、基板の表面層によって保護されているために、衝撃やスパークなどからナノ炭素材料を保護することができ、ナノ炭素材料複合基板が優れた耐久性を発揮することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】熱的励起によらずに電子を電子放出材料から放出させる冷陰極構造を具備し、上記の高速正イオンによる電子放出材料の損傷を防止し、電子放出特性の劣化を防ぐことのできる電子放出装置及び、かかる電子放出装置を用いて長寿命化を実現できる電子放出型電子機器を提供することである。
【解決手段】カソード電極１の表面に対向して距離Ｌ１を隔てて、電子引出し電極２が配置されている。カソード電極１及び電子引出し電極２には夫々、カソード貫通孔６、貫通孔７が穿設されている。ＣＮＴ含有炭素系粉材料からなる電子放出材料４がアノード電極３から見たときのカソード電極１の裏側の面にカソード貫通孔６に近接又は突き出て堆積形成されている。電子引出し電極２とカソード電極１により生じた電界によって電子放出材料４から電子をアノード電極３に向けて放出させる。 （もっと読む）

【課題】冷陰極電界放出型電子源への希土類六ホウ化物の適用を実現し、輝度や電子源の寿命が向上し、エネルギーの広がりも抑制できる電子源を提供する。
【解決手段】高電界により電子放出する冷陰極電界放出型電子源であって、希土類六ホウ化物単結晶ナノファイバが電子源支持針の表面に取り付けることで、上記課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊が発生し難いと共に、容易で安価に製造でき、安定かつ良好な量の電子放出が可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に、絶縁体微粒子５を含み、かつ導電微粒子を含まない電子加速層４を有する。電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電圧を印加すると、電子加速層４で電子を加速させて、薄膜電極３から電子を放出する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層内での絶縁破壊の問題がなく、かつ安価に製造可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、絶縁体微粒子５を含む微粒子層からなり、かつ、該微粒子層には、塩基性分散剤６が含まれている。 （もっと読む）

【課題】電子加速層の抵抗値及び弾道電子の生成量を調整することで、電子加速層を流れる電流値と電子放出量の制御が可能であり、かつ、エネルギー効率の良好な電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電子加速層４が、少なくとも絶縁体微粒子を含む微粒子層からなる。また、電子放出素子１においては、動作時における、単位面積当たりの電子放出電流値Ｉｅ[Ａ／ｃｍ^２]と、電極基板２と薄膜電極３との間に印加される電圧を電極基板２と薄膜電極３との間を流れる単位面積当たりの素子内電流値で除して得られる単位面積当たりの素子抵抗値Ｒ[Ω・ｃｍ^２]との関係がＩｅ＝α・Ｒ^{−０．６７}で表され、係数αが２．０×１０^−６以上の範囲にあり、電子放出電流値Ｉｅが１．０×１０^−９以上である。 （もっと読む）