【課題】画素の応答特性を損なうことなく、画素サイズの微細化を図ることができる電子源アレイ並びに撮像装置及び表示装置を提供すること。
【解決手段】撮像装置１０は、垂直走査回路１１、水平走査回路１２、電子源アレイ２０、光入射基板３０を有し、電子源アレイ２０は、行列状に配列された複数の画素２１を備え、各画素２１は、電子源としての陰極２２と、陰極２２から電子を引き出す引出電極２３と、陰極２２を駆動するトランジスタ２４とを含み、垂直走査回路１１がトランジスタ２４のゲート電極に電圧を供給しているトランジスタ２４のオン状態において、水平走査回路１２が供給する第１の電圧によって陰極２２が電子を放射し、水平走査回路１２が供給する第２の電圧によって陰極２２が電子の放射を停止する構成を有する。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化によって生じる配線領域の浮遊容量の増大を防ぎ、配線遅延の生じ難いゲート引出し配線を形成することができるマトリックス型冷陰極電子源装置を提供する。
【解決手段】電子を放出するエミッタが複数配列したエミッタアレイをマトリクス状に配置した電子源と、前記エミッタアレイに対向するように配置された開口部を持つゲート電極アレイと、前記電子源の下部に絶縁層を介して形成されたゲート信号配線と、前記ゲート電極アレイと前記ゲート信号配線とを電気的に接続するためのプラグと、を有するマトリックス型冷陰極電子源装置。 （もっと読む）

本明細書では、特に高周波応用のための三極管型電界放出デバイス（１１）が開示される。このデバイスは、陰極電極（１２）、陰極電極（１２）から間隔を空けられた陽極電極（１４）、陽極電極（１４）と陰極電極（１２）との間に配列された制御ゲート電極（１３）、および少なくとも電界放出先端部（１９）を有する。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、電界放出先端部（１９）の三極管区域（１１ａ）においてオーバーラップし、電界放出先端部と連携して三極管区域において電子ビームを生成するように動作可能である。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、三極管区域（１１ａ）の外側でオーバーラップせず、それぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）に沿った主となる長手方向を有する。これらのそれぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）の各々は、相互に関して非ゼロの角度で傾斜している。
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【課題】ＭＩＭ型エミッタを用いたＦＥＤの残像減少を解決する。
【解決手段】
平坦な基板上に形成された下部電極、絶縁層、および上部電極をこの順で重ねて構成された金属−絶縁層−金属型のダイオード素子であって、前記下部電極が、アルミニウム合金の単層膜、あるいはアルミニウム合金を含む積層膜からなり前記絶縁層が、前記下部電極の表面を陽極酸化処理で形成した非晶質な酸化膜からなり、前記絶縁層中における合金添加元素の面積濃度が1.1×10¹⁴cm-2以下に制限する。このような構成によって残像回復時間を２秒以下にする。 （もっと読む）

【課題】選択期間にトンネル絶縁層に捕獲された電子を非選択期間に十分に消失させて高品質の画像表示を実現する。
【解決手段】スキャンドライバ２の走査回路ＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３、ＳＤ４、・・・はスキャン線２１に順次走査信号を印加する。この走査信号で選択されたデータ線２７に駆動回路ＤＤ１、ＤＤ２、ＤＤ３、ＤＤ４、・・・から所定幅、所定波高のパルス電圧が印加される。このパルスは高域通過フィルタＨＰＦを通過することで短い幅の正負のパルス電圧が得られる。この短パルスがカソードＫの下部電極に印加され、短い幅の正バイアスのパルス電圧の幅をカソードＫの充電時間以下の幅とすることで、捕獲電子の引き抜き時（ブランキンギ期間）に電子が放出して誤発光が生じるのを防止する。そして、カソードＫに印加される逆バイアスの短パルスにより、表示期間にトンネル絶縁層に捕獲された電子を引き抜く。 （もっと読む）

陰極構造（１２）、陰極構造（１２）から離間された陽極構造（１３）および制御格子（１５）を含み、陰極構造（１２）および陽極構造（１３）は個別に形成されると共にスペーサ（１４）を挿設して一緒に接合され、ならびに、制御格子（１５）が陽極構造（１２）に組み込まれている、高周波、冷陰極、三極管タイプ、フィールドエミッタ真空管が本明細書において開示されている。
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【課題】応答速度が高速であり、及び／または生産コストが低い電子エミッタが提供される。
【解決手段】ナノワイヤ電子エミッタを用いた電界効果型の電子放出装置であって、ナノワイヤ電子エミッタを絶縁層の細孔内で成長させ、及び／またはナノワイヤ電子エミッタの少なくとも一部を細孔から露出させた電子放出装置が開示される。電界効果型の電子放出装置の製造方法もまた開示される。電界効果型の電子放出装置は表示装置の中で使用することができる。 （もっと読む）

【課題】応答速度、寿命、均一性、蛍光強度のうち少なくとも１つを克服した電子放出装置を提供する。
【解決手段】電界効果型の電子放出装置であって、細孔の配列を有する絶縁層と、各細孔は少なくとも１つの細孔より短いナノワイヤによる電子エミッタを有することと、及び／または各細孔は複数のナノワイヤによる電子エミッタを有することと、を備える電子放出装置が開示される。電子エミッタアレイの製造方法もまた開示される。電界効果型の電子放出装置は表示装置の中で使用することができる。 （もっと読む）

【課題】撮像動作に必要とされる高速駆動においても安定して電子放出を行うことができ、かつ画像の品位の高い電界放出型電子源素子を提供する。
【解決手段】基板１から突出した導電性微小構造のエミッタ２を複数形成したカソード電極３と、カソード電極３と電気的に絶縁されたゲート電極５とを備え、カソード電極３とゲート電極５とがマトリクス状に配置されており、カソード電極３とゲート電極５との交差部に対応した複数のエミッタ２により、１画素分に対応するエミッタ群を形成しており、隣接するエミッタ群同士は、低誘電率絶縁膜６で分離している。 （もっと読む）

【課題】 熱雑音の問題がなく、且つ、高い周波数領域の入力信号をも高い効率をもって増幅することができる増幅器又は高い周波数領域の制御信号により高い応答性をもってスイッチングを行うことができるスイッチングデバイス等の電子装置を提供すること。
【解決手段】 この電子装置は、出力部３０、バイアス電源４０、電子放出装置６０、制御信号印加部７０及び駆動電圧印加部８０を備える。電子放出装置６０は、下部電極１２と、誘電体からなるエミッタ部１３と、上部電極１４と、陽極１５と、制御極６１と、を備える。駆動電圧印加部によって上下電極間に駆動電圧信号が印加されると、電子が上部電極の上方に放出される。制御信号印加部は、制御極に電子の通過を禁止及び許容させることが可能な入力信号を制御信号として印加する。出力部は、エミッタ部から陽極に到達する電子によりもたらされる電流に基く電気信号を出力電気信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】電子放出領域における動作電圧の高電圧化を招くことなく、カソード電極とゲート電極との間の静電容量の低容量化をすることができる冷陰極電界電子放出表示装置用カソードパネル、並びに、係るカソードパネルが組み込まれた冷陰極電界電子放出表示装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１１１とゲート電極１１３とが重複する重複領域ＳＡに設けられた電子放出領域ＥＡから成る冷陰極電界電子放出表示装置用カソードパネルであって、電子放出領域ＥＡには、（ａ）ゲート電極１１３に形成された複数の第１開口部１１４Ａ、（ｂ）絶縁層に形成され、第１開口部１１４Ａと連通した第２開口部１１４Ｂ、及び、（ｃ）第２開口部１１４Ｂの底部に位置する電子放出部１１５が設けられており、重複領域ＳＡの電子放出領域部分における絶縁層の厚さは、重複領域ＳＡの電子放出領域以外の部分における絶縁層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜型電子放出素子において、さらなる電子放出の高効率化・高出力化、及び駆動速度の高速化を達成すること。
【解決手段】電子放出素子１０は、エミッタ部１２と、第１電極１４と、第２電極１６と、を備えている。エミッタ部１２は、誘電体材料の多結晶体からなる薄層である。このエミッタ部１２を構成する誘電体材料は、機械的品質係数（Ｑｍ値）が高い材料からなる。すなわち、かかる誘電体材料のＱｍ値は、いわゆる低Ｑｍ材料（Ｑｍ値が１００以下である材料）よりも高い値を有している。当該誘電体材料のＱｍ値は、好ましくは３００以上、より好ましくは５００以上である。 （もっと読む）

【課題】安定して短時間で点灯起動することができ、長寿命を達成することができ、高い発光効率を得ることができる冷陰極蛍光ランプを提供すること。
【解決手段】電子衝突により紫外光を発生するガスが封入されたフラットパネル１２と、フラットパネル１２内面に設けられたフォトルミネセンス蛍光体２２と、フラットパネル１２内に対向配置され少なくとも一方の表面に電界電子放出用の炭素薄膜２４ｂが形成された一対の電極２４とを具備した構成。 （もっと読む）

【課題】寄生キャパシタのキャパシタンスを低くして信号遅延を抑制することができる電子放出ディバイスおよび電子放出表示ディバイスを提供する。
【解決手段】本発明によれば，基板上に形成される電子放出部１２と，電子放出部の電子放出を制御する少なくとも一つの駆動電極１０と，少なくとも一つの駆動電極１０と電気的に絶縁されて形成される集束電極１８とを含み，少なくとも一つの駆動電極のうちいずれか一つが，電子放出部の電子放出に実質的に関与する有効部１０１，および有効部に電気的に接続される第１電圧印加部１０２を含み，集束電極が，電子放出部から放出された電子を集束する集束部１８１，および集束部に電気的に接続される第２電圧印加部１８２を含み，有効部および集束部が互いに異なる層に設けられ，第１電圧印加部と第２電圧印加部とが重畳されずに形成される電子放出ディバイスおよび電子放出表示ディバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】駆動電極間の寄生キャパシタンスを小さくし，信号遅延を抑制することが可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】互いに対向配置される第１基板２および第２基板４と，第１基板２上に，互いに絶縁されるように形成される第１電極６および第２電極１０と，第１電極６と第２電極１０のいずれか一方の電極に電気的に連結される電子放出部１２と，第２基板４に形成される蛍光層１６と，蛍光層１６の一面に形成されるアノード電極２０とを含み，第１電極６と第２電極１０の少なくとも一方の電極は，電子放出部１２が位置するエミッション領域Ｂを間に含み，互いに平行に離隔されて配置される一対のライン部と，エミッション領域Ｂを含み，一対のライン部を連結する連結部とを含む電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 厚膜工程による絶縁層を備えて駆動電極間の電気的絶縁を確保しながら、絶縁層の寄生キャパシター作用による信号歪曲を抑制して電気的動作特性を向上させることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出素子は所定の間隔をおいて対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成される電子放出部と、第１基板上に相互絶縁されて位置し、電子放出部の電子放出を制御する第１電極及び第２電極と、第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層と、第２基板上に形成されるアノード電極と、アノード電極の一面に形成される蛍光層とを含む。この時、絶縁層は電気的物性の異なる少なくとも二つの層の積層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】 駆動時における電気的特性に優れた電子源、および電子源を備える電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】 第１の電気配線２１は、断面構造的には、素子基板１１上に形成された第１の層１６ａ，１６ｂと、その上に積層形成された第２の層１４とを有している。また、平面構造的には、Ｙ軸方向に伸長する配線部分である第１の配線部１６ａ（第１の層），１４（第２の層）と、第１の配線部１６ａ（第１の層）から延出して形成された第１の電極部１６ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】 陽極電極に到達する電子の領域を、簡易な構成で制御することのできる電子放出素子を構成する。
【解決手段】 電子放出部を備える陰極電極と、該電子放出部から電子を引き出すための電極であって、前記陰極電極の電位よりも高い電位を印加する引出し電極と、該引出し電極によって前記電子放出部から引き出された電子を偏向する電極であって、前記引出し電極の電位より低い電位を印加する偏向電極と、を基板上に備え、陽極電極と対向して配置し、電子を放出する電子放出素子であって、前記引出し電極は、前記陰極電極と前記偏向電極との間に配置されており、前記偏向電極は、前記電子放出部と対向するように配置される部分と、且つ、前記偏向電極と前記電子放出部とが対向する方向と交差する方向において前記電子放出素子から放出された電子を挟むように配置される部分と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

この発明は、高周波化と高出力化の両立が図られた冷陰極電子源と、これを用いたマイクロ波管及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る冷陰極電子源においては、アスペクト比Ｒが４以上となるようにエミッタ（２４）の先端が先鋭化されているため、ゲート電極（１６）から遠ざかった分だけ、エミッタ（２４）とゲート電極（１６）と間の静電容量が小さくなっている。そのため、冷陰極電子は高周波に対応することが可能である。なお、この冷陰極電子源の陰極材料には、タングステンやシリコン等の従来の陰極材料ではなく、融点と熱伝導率の高いダイヤモンドが用いられている。そのため、エミッタ（２４）内を流れる電流の電流密度が高い場合であってもエミッタ（２４）が溶融しにくいので、この冷陰極電子源は高出力に対応することが可能である。
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【課題】カーボンナノチューブ，カーボンナノチューブを含む電子放出源，電子放出源を備えた電子放出素子および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線回折分析による半値全幅は，０.６以下であるカーボンナノチューブ，カーボンナノチューブを含む電子放出源，電子放出源を備えた電子放出素子および電子放出素子の製造方法。これにより，結晶性が高く，かつＩ−Ｖ特性に優れるカーボンナノチューブを提供できるので，これを含む電子放出源を利用すれば，輝度が高く，かつ寿命の長い電子放出素子を提供できる。 （もっと読む）