【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】交換スプリング記録層構造を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録システムおよび媒体は、交換スプリング構造および強磁性の水平結合層（ＬＣＬ）を含む多層の記録層を有する。交換スプリング構造は、それぞれ垂直磁気異方性を有する、２つの強磁性的に交換結合された磁性層（ＭＡＧ１およびＭＡＧ２）から構成される。ＭＡＧ１およびＭＡＧ２は、互いに直接接触しているか、またはそれらの間に位置する結合層（ＣＬ）を有する。ＬＣＬは、ＭＡＧ２と直接接触して位置し、ＭＡＧ２中の粒子間交換結合を仲介する。ＬＣＬ中の強磁性合金は、一般的には酸化物などの分離個体を含むＭＡＧ２中の強磁性合金よりも、著しく大きな粒子間交換結合を有する。ＬＣＬは、好ましくは、ＬＣＬ中の粒子間交換結合を低減させる傾向があるであろう、酸化物または他の分離個体を含まない。 （もっと読む）

【課題】微細な磁区と許容範囲内の熱安定比を持ち、高い面密度を有する磁気データ記録層を備える磁気記録媒体及びそのためのスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】磁気データ記録層１０６が、高い磁気異方性定数Ｋｕを有する合金と、酸素と単一元素又は合金のいずれか一方とからなる酸化化合物とを含む。高いＫｕを有するため、約５０〜７０の許容範囲内の熱安定比を維持すると同時に磁気データ記録層の磁区を著しく小さくでき、これにより２００Ｇｂ/ｉｎ²（約３１Ｇｂ/ｃｍ²）より大きな面密度を提供する。更に、そのような磁気データ記録層のスパッタリング用スパッタターゲットを提供する。スパッタターゲットは、高いＫｕを有する合金と、所望の酸化化合物又は反応的スパッタリングプロセスで酸化される元素のいずれか一方とを含む。高いＫｕを有する合金は、少なくとも０．５×１０⁷ｅｒｇ/ｃｍ³（０．５Ｊ/ｃｍ³）の磁気異方性定数を有する。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比かつ高熱擾乱耐性を有する垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁性層である垂直磁気記録層は、磁性結晶粒子と、磁性結晶粒子間に介在する非磁性層からなる結晶粒界とを備え、予め、前記結晶粒界厚と磁化反転核生成磁界Ｈｎとの相関関係を求めておき、前記相関関係に基づいて、所定の磁化反転核生成磁界Ｈｎが得られる結晶粒界厚を選定し、前記選定した結晶粒界厚となるよう製造する、垂直磁気記録媒体の製造方法とした。 （もっと読む）

化学的規則垂直記録媒体及び該媒体の製造方法を提供する。この方法は基板上に(002)配向を有する下層を堆積させる工程を含む。下層の上には(002)配向を有する緩衝層を堆積させる。次に、緩衝層の上には磁気記録層を堆積させる。下層及び磁気記録層は格子ミスフィットを有して、磁気記録層の形成中にひずみエネルギーを誘発する。該ひずみエネルギーが、約400℃未満の基板温度で化学的規則構造を備えた磁気記録層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】Ｐｔ ４０〜６０ａｔ％、Ｆｅ ４０〜６０ａｔ％およびＰ ０．０５〜１．０ａｔ％ならびにさらに場合によりＣｕおよび／またはＮｉ ０．４〜１９．５ａｔ％より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】埋め込み形状が良好で、表面粗さＲａが小さく、成膜時にプロセスダストの発生を抑えることができる非磁性埋め込み層で磁性体の凹凸が埋め込まれたパターンド媒体を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、凸パターンをなす強磁性記録層と、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に埋め込まれた、Ｓｉ、Ｏ、およびＣを含有し、Ｃの含有量が０．０５ａｔ％以下であるＳｉＯＣ膜で形成された非磁性埋め込み層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気記録層の結晶粒界相を２種類以上の酸化物で形成することで、安定な結晶粒界相を提供し、磁性粒子間の相互作用を低減することで低ノイズ化を実現し、より高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体を得ることにある。
【解決手段】本発明は、磁性層のうち少なくとも１層を、スパッタリング法を用いて２種類以上の異なる組成を持つターゲットを同時放電させながら形成し、さらに該磁性層の微細構造を強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界相とから構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温度の熱処理により、Ｌ１０構造の微細な結晶粒から構成される構造体の製造方法、及びこの構造体を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって、磁性体Ａが非磁性体中に分散された第１層を形成する工程と、該第１層上に磁性体Ｂを含む第２層を形成する工程と、前記の第２層を形成する工程の間、又は前記の第２層を形成する工程の後に、前記磁性体Ａと前記磁性体Ｂとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の高密度化し保護膜のアモルファス性の向上を図ると、フィルムへのダメージの危険性を飛躍的に上昇させてしまう。
【解決手段】磁性層２の厚み方向に関して酸素量分布に極大値を有する場合、磁性層２表面の極大値が、磁性層２中間部の酸素量が最も少ない部分と比較して１倍以上１．５倍以下の比率で酸素量を含有させる。このことで、保護膜３成膜時の印加電圧を上げることなくプラズマ密度を向上することができ、信頼性および耐久性の優れた薄膜磁気記録媒体を安価に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シールドヘッドとの組み合わせに於いて良好な記録再生特性を示す垂直磁気記録媒体を用いることによって、従来以上の高密度記録を達成する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体と、シールドヘッドを用いる。シールドヘッドは、主磁極と補助磁極を有する単磁極型ヘッドの構造からなり、前記主磁極の少なくともトラック方向トレーリング側を覆うように非磁性のギャップ層を介して磁気シールドが設けられる。また、垂直磁気記録媒体の記録層を2層構造とし、第一記録層はCoを主成分とし少なくともCrとPt含む強磁性結晶粒と酸化物を含む結晶粒界で構成し、第二記録層はCoを主成分とし少なくともCrを含み、且つ、酸化物を含まない合金で構成する。第一記録層の飽和磁化Ms１(kA/m）と第二記録層の飽和磁化Ms2(kA/m）と軟磁性下地層の膜厚ts(nm)が次の関係を満たす構成とする。
20+0.033*ts²+2.3*ts≦4/3*Ms1-Ms2≦329-0.024*ts²+1.9*ts （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録パターン部を磁気的に分離する非磁性部を、すでに成膜された磁性層に原子を注入し、磁性層を部分的に非磁性化することにより形成する。または、磁気記録パターン部を磁気的に分離する非磁性部を、すでに成膜されたＣｏ含有磁性層に部分的に原子を注入し、該箇所の磁性層のＸ線回折によるＣｏ（００２）またはＣｏ（１１０）ピーク強度を１／２以下にして形成する。 （もっと読む）

【課題】所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適した方法、および、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体を、提供すること。
【解決手段】本発明に係る磁気記録媒体製造方法は、例えば、磁性膜１２’上に、当該磁性膜１２’を部分的に露出させるための開口部２１ａを有するマスク２１を設ける工程（ａ）と、拡散金属源材料２２を開口部２１ａ内に供給する工程（ｂ）と、加熱により、拡散金属源材料２２から磁性膜１２’に対して金属を拡散させて非磁性部１２Ｂを形成する工程（ｃ）とを含む。本発明に係る磁気記録媒体Ｘは、連続膜である記録層１２を備え、当該記録層１２は、記録磁性部１２Ａと、当該記録磁性部１２Ａに金属が拡散したのと同一の組成を有する非磁性部１２Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された垂直磁気記録膜と、基板と垂直磁気記録膜との間に介在された軟磁性膜と、軟磁性膜の下部に設けられたシャンティング膜と、軟磁性膜とシャンティング膜との間に介在されて、シャンティング膜とシャンティング膜の上部に位置する他の膜とを磁気的に隔離する隔離膜と、を備える垂直磁気記録媒体。該シャンティング膜は、その上部の磁性膜と磁気的に分離されており、軟磁性膜の磁壁による磁界をシャンティングして、磁気ヘッドに磁壁磁界が到達しないようにしてＳＮ比を増大させる。 （もっと読む）

【課題】粒状のコバルト合金に酸化物が添加されて成る記録層(RL)を備えた垂直磁気記録ディスクにおいて、記録性能を劣化させることなく良好な耐食性を付与する。
【解決手段】六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層の柱状構造が従来よりも減少し、中間層の表面が従来よりも平滑になる。そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。そのように中間層(IL)の表面を粗面化すると記録層(RL)が成長する際に記録層中の粒子の分離が促進されるが、本発明の中間層(IL)は柱状構造が少ないので水や腐食剤の通り道が従来よりも少なくなる。 （もっと読む）

【課題】ＲｕあるいはＲｕ合金中間層とこの中間層上に形成したＣｏＣｒ合金に酸素あるいは酸化物を添加したグラニュラ型記録層を用いた垂直磁気記録媒体において、記録層の中間層との界面近傍から発生するノイズの影響を低減することにより、低ノイズで高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】ＲｕもしくはＲｕ合金からなる中間層１４上に、第一の記録層１５と第二の記録層１６をこの順で積層する。第一の記録層と第二の記録層はＣｏを主成分とするとともにＣｒと酸素を含んだグラニュラ構造を有し、第一の記録層の飽和磁化が第二の記録層の飽和磁化よりも低く、第一の記録層の飽和磁化をＭｓ１（ｅｍｕ／ｃｍ^３）、第二の記録層の飽和磁化をＭｓ２（ｅｍｕ／ｃｍ^３）、第一の記録層の膜厚をｔ１（ｎｍ）とするとき、（Ｍｓ２−Ｍｓ１）×ｔ１を０（ｍｅｍｕ／ｃｍ^２）より大きく０．１５（ｍｅｍｕ／ｃｍ^２）より小さくする。 （もっと読む）

【課題】面内磁気記録ヘッドで記録可能であり、且つ、熱的に安定であり、しかも、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性支持体１２と、該非磁性支持体１２の少なくとも一方の面に形成されたシード層１４と、該シード層１４上に形成された下地層１６と、該下地層１６上に形成された磁性層１８とを有し、シード層１４は、ＲｕＡｌ又はＲｕＮｉＡｌから選ばれるＢ２構造の合金の層であり、下地層１６は、Ｔｉ含有率が２０〜３５ａｔ％のＣｒＴｉ合金の層であり、磁性層１８は、ＣｏＰｔを主成分とする強磁性体微粒子が酸化物又は窒化物で分離されたグラニュラ構造を有する層である。 （もっと読む）

【課題】軟磁性下地層SULと垂直記録層RLとの間の中間層ILを低スパッタ圧で形成すると、RLの凹凸を低減してディスクの耐食性を改善することができる。しかしながら、低スパッタ圧でILを形成すると、ディスクの保磁力が大きく低下するため記録性能が低下する。
【解決手段】垂直磁気記録ディスクは、酸化物を添加された粒状コバルト合金記録層RLと、軟磁性下地層SUL上に形成された交換ブレーク層としての中間層IL、およびILとRLの間に形成された極薄核生成膜（NF: Nucleation film）を有する。同ディスクの作製においては、ILを従来に比べてかなり低スパッタ圧で堆積させ、それによってRLとその上のオーバーコートOCの凹凸度を低減する。NFとRLは、かなり高いスパッタ圧で堆積させる。その結果、良好な記録特性を有し、改善された耐食性を有するディスクが得られる。 （もっと読む）

【課題】面内磁気記録ヘッドで記録可能であり、且つ、熱的に安定であり、しかも、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性支持体１２と、該非磁性支持体１２の少なくとも一方の面に形成されたシード層１４と、該シード層１４上に形成された下地層１６と、該下地層１６上に形成された磁性層１８とを有し、磁性層１８は、ＣｏＰｔを主成分とする強磁性体微粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する層であり、酸化物は、酸化ケイ素と酸化クロムの混合物である。酸化ケイ素と酸化クロムの混合比は、９：１〜１：９の範囲である。前記強磁性体微粒子の平均粒子径は、円形換算で６〜１０ｎｍφである。 （もっと読む）