【課題】バリア層の低抵抗化を図るとともに、良好なMR比を備える磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】研磨加工時に基板の表面に研磨くず等の残渣が残留することを抑え、シールド層を的確に形成する。
【解決手段】磁気抵抗効果膜層１３ａをエッチングし、リード素子１３を形成するとともにハードバイアス膜１５を形成するための凹部を形成する工程と、基板の表面に磁性層１５ａを成膜する工程と、該磁性層のリード素子１３の表面と前記凹部に被着した領域をレジスト２０により被覆する工程と、該レジスト２０をマスクとして不要な磁性層１５ａを除去した後、研磨加工を施してリード素子１３およびハードバイアス膜１５を形成する工程とを備え、前記磁性層１５ａをレジスト２０により被覆する工程においては、該レジスト２０をマスクとして前記磁性層１５ａを除去することにより、前記凹部の内縁に沿って溝２２を形成し、前記研磨加工の際に研磨くず等の残渣Ｅを該溝２２内に堆積させて研磨加工する。 （もっと読む）

【課題】磁化自由層へスピン流を注入し易くすることにより、出力効率を向上させることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００ａにおいて、非磁性導電層５と、非磁性導電層５の第一の部分上に設けられた磁化自由層６と、非磁性導電層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、非磁性導電層５及び磁化自由層６を間に挟んで対向する上部第一磁気シールド層１１及び下部第一磁気シールド層１と、非磁性導電層５及び磁化固定層７を間に挟んで対向する上部第二磁気シールド層１２及び下部第二磁気シールド層２と、下部第二磁気シールド層２と非磁性導電層５との間に設けられた第一電気絶縁層２１と、下部第二磁気シールド層２と非磁性導電層５とを電気的に接続する第一電極層４と、を備え、非磁性導電層５を間に介して、磁化固定層７と第一電極層４とが互いに対向していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上部金属層を段差無く形成し、ギャップ長を短くして、再生出力の安定化、再生感度の向上が可能な磁気ヘッドの再生素子の製造方法、該素子を備える情報記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法は、基体上に下部金属層を形成し、下部金属層上に磁気抵抗効果膜を形成し、磁気抵抗効果膜上に軟磁性シールド層を形成し、軟磁性シールド層上にマスクを形成し、磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングし、磁気抵抗効果膜上のマスクを残存させたまま磁区制御膜を積層し、磁区制御膜上にエッチングストッパ層を形成し、マスク上に形成されたエッチングストッパ層と磁区制御膜とを除去して磁気抵抗効果膜上のマスクを露出させ、磁気抵抗効果膜上のマスクの一部、軟磁性シールド層の両脇のエッチングストッパ層と磁区制御膜とを除去し、上部金属層を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】電流注入位置や出力電圧検出位置の設計の自由度が高い磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサーにおいて、基体１と、基体１上に設けられた非磁性導電層２と、非磁性導電層２の第一の部分及び基体１上に亘って設けられた磁化固定層３と、非磁性導電層２の第一の部分とは異なる第二の部分及び基体１上に亘って設けられた磁化自由層４と、磁化固定層３及び磁化自由層４のうちの少なくとも一方の層における非磁性導電層２と重なる部分上に設けられ、且つ一方の層の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する非磁性低抵抗層１０ａ，１０ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。
【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子製造方法は、生成した磁気抵抗効果膜の上にレジストパターンを形成して磁気抵抗効果膜をイオンミリングにより加工するイオンミリング工程と、磁気抵抗効果膜に絶縁膜、ハード膜およびハード保護膜の順に成膜するハード膜成膜工程と、レジストパターンをリフトオフするリフトオフ工程と、リフトオフ後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果膜の最上層の近辺に堆積したハード膜を加工するハード膜加工工程と、を備えるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気抵抗効果素子に関し、より詳細にはハードバイアス効率を高めた磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の方法および磁気ヘッドに関するものである。
【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、多層構造を有する磁気抵抗効果膜から形成した感磁部の両側面に磁気抵抗効果膜に対して磁区制御を行う永久磁石を配置し、感磁部の側面と永久磁石との間に絶縁性の硬磁性材料から成る所定厚さの膜を形成するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッド浮上面のイオンビーム照射に起因する再生出力の低減を抑制することで、高密度記録に適した磁気ヘッドを高良品率で提供する。
【解決手段】ローバー５０あるいは磁気ヘッド素子１０の浮上面を機械研磨した後に行うイオンビーム照射工程において、イオンビーム入射方向の磁気ヘッド浮上面に対する正射影が、磁気ヘッドトラック幅方向に対して、３０度以上１５０度以下、又は２１０度以上３３０度以下になるようにイオンビーム照射６０７を行うことで、イオンビーム照射による短絡回路の形成を抑制することができ、再生出力低下の生じない、高い良品率の磁気ヘッドを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層の磁性状態を安定させ、再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る再生ヘッドの製造方法は、ワーク上に磁気抵抗効果層を形成し、その上に所定のマスク層を形成する工程と、マスク層のない領域の磁気抵抗効果層をエッチングして、所定形状の再生素子部を形成する工程と、再生素子部およびマスク層を覆って全面に絶縁層を形成し、その上にバイアス印加層、キャップ層を全面に順次形成する工程と、マスク層を挟む左右位置において、バイアス印加層の一部が表出するまで、キャップ層、バイアス印加層をエッチングする工程と、バイアス印加層の表出箇所を覆って全面に保護層を形成する工程と、バイアス印加層の表出箇所が再表出しない所定高さまで全高を下げて平坦化を行う工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層における形状のバラツキを防止して高精度に形成することを可能とし、それにより再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る再生ヘッドの製造方法は、ワーク上に磁気抵抗効果層を形成する工程と、磁気抵抗効果層上にパターニングされたマスク層を形成する工程と、マスク層が形成されていない領域の磁気抵抗効果層をエッチングするパターニング工程と、絶縁層、バイアス印加層を全面に順次形成する工程と、金属層を全面に形成し、少なくとも金属層の上面がマスク層が形成されていない領域においてバイアス印加層の上面より高くなるまで積層する工程と、磁気抵抗効果層上のマスク層の上面が表出するまで金属層及び前記バイアス印加層を研磨する平坦化工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 差動型再生ヘッドにおいて、２つの磁気抵抗効果素子の最大抵抗変化量が異なっていてもベースラインシフトが生じずに、良好なビットエラーレートが得られる再生ヘッドを提供する。
【解決手段】 差動型再生ヘッド２０は、第１の自由層２１０を有する第１の磁気抵抗効果素子２００と、差動ギャップ層１００と、第２の自由層３１０を有する第２の磁気抵抗効果素子３００が積層された積層構造４００を有す。ここで第１の磁気抵抗効果素子２００と第２の磁気抵抗効果素子３００の最大抵抗変化量がそれぞれＤＲ１とＤＲ２とし、第１の自由層に印加する磁区制御磁界をＨＢ１、第２の自由層に印加する磁区制御磁界をＨＢ２とするとき、以下の関係を満たすようにする。ＤＲ１＞ＤＲ２のとき、ＨＢ１＞ＨＢ２ＤＲ２＞ＤＲ１のとき、ＨＢ２＞ＨＢ１。 （もっと読む）

【課題】磁場センサまたはハードディスク内の読取ヘッドとして使用する磁気抵抗素子を得る。
【解決手段】磁気抵抗素子は第１および第２の端間を第１の方向に延び、シリコン等の非強磁性半導電性材料を含むチャネル（８）と、チャネルに接続されそれに沿って間隔がとられている複数のリード（１２_１、１２_２、１２_３、１２_４）と、チャネル内に反転層（２５）を形成するように第１の方向に実質的に直角な第２の方向へ電場をチャネルに印加するゲート構造（１３）と、チャネルの縁が面に沿って走るように構成された第１および第２の方向に実質的に直角である面（５）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】磁場センサまたはハードディスク内の読取ヘッドとして使用する磁気抵抗素子を得る。
【解決手段】異常磁気抵抗（ＥＭＲ）効果を示すことができる素子はシリコンにより形成された細長チャネル（２）を含んでいる。高濃度ドープ・シリコンにより構成される導体（６）が分流器を提供するようにチャネルの一方側（５）に沿ってチャネルに接続されている。ゲート電極（１３）を含むゲート構成（１２）がチャネル上に設けられる。適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。 （もっと読む）

【課題】下部シールド層および上部シールド層といったシールド層を備えた磁気ヘッドにおいて、シールド層の磁区構造に起因するヘッド出力のばらつきを防止し、これによってより安定したヘッド出力を有するとともに、製品のばらつきを抑えて製造歩留まりを向上させることができる磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型再生素子を磁気シールドするシールド層と、前記磁気抵抗効果型再生素子を媒体対向面に向かって両側から挟むハード膜と、前記シールド層を媒体対向面に向かって両側から挟む位置もしくはその近傍位置に設けられる軟磁性材料からなる軟磁性層とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ読み取りセンサーのピンニング層材料としては、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度を有することが望ましくまた、種層材料としては、ピンニング層材料とともに用いられる場合には、高いピンニング強度を与えることが望ましい。
【解決手段】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。強磁性体自由層（１４）は、回転可能な磁気モーメントを有し、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）に隣接して設けられている。強磁性体ピン化層（１８）は固定した磁気モーメントを有し、ＰｔＭｎＸピンニング層（２０）に隣接して設けられている。非磁性体スペーサー層（１６）は、自由層（１４）とピン化層（１８）との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高出力、高品質の発振信号を出力できる発振デバイスを提供すること。
【解決手段】第１の方向に磁化の向きが固定された強磁性体で形成された第１のピン層と、当該第１のピン層に積層された非磁性体又は絶縁体で形成される第１のスペーサ層とを有する複数のスピン注入素子と、磁化の向きが前記第１方向とは異なる方向に変化可能な強磁性体により形成され、前記複数のスピン注入素子が前記スペーサ層で接合されたフリー層とを備える発振デバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】シールド層の磁気的安定性を改善することが磁気再生記録ヘッドを提供する。
【解決手段】複合上部シールド層Ｓ２ｐは、ＦＭ層Ｓ２ａ−１およびＦＭサブ層１６と、ＡＦＣＴ層１７と、ＦＭサブ層１８およびＦＭ層Ｓ２ａ−２と、ＡＦＭ層２０とがこの順に積層された構造を有する。ＡＦＭ層１９により、ＦＭ層Ｓ２ａ−１およびＦＭサブ層１６とＦＭサブ層１８およびＦＭ層Ｓ２ａ−２とがＡＦＣＴ層１７を介して反強磁性的に結合されるため、複合上部シールド層Ｓ２ｐの磁気ドメインは、安定かつ強固に固定される。 （もっと読む）

【課題】 再生磁気ヘッド及びその製造方法に関し、ハードマスクの除去に伴う段差や突起の発生を回避し、高密度記録に対応可能な所期の狭リードギャップ幅化を可能にする。
【解決手段】 下部電極１層上に磁気抵抗効果膜２を設け、磁気抵抗効果膜２の両側に磁区制御膜４を設け、磁気抵抗効果膜２及び磁区制御膜４を覆う上部電極層５を設けるとともに、上部電極層５と磁気抵抗効果膜２との間にフッ素系ガスによる反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する導電性の第一エッチングストッパ層６を、また、上部電極層５と磁区制御膜４との間にフッ素系ガスによる反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する第二のエッチングストッパ層７を設ける。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の高記録密度化に対応して、磁気抵抗効果素子のギャップ間隔を狭くしたり狭幅にした場合であっても、磁気抵抗効果素子に的確にバイアス磁界を作用させ、安定した出力が得られる磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１２と、磁気抵抗効果素子１２にバイアス磁界を作用させるハード膜１６ａ、１６ｂと、磁気シールド層１５とを備え、前記磁気シールド層１５は、六方最密構造を有する結晶構造を有し、C軸が磁気シールド層の面に垂直に配向し、容易軸が磁気シールド層の面内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の評価を従来よりも適切に行う。
【解決手段】ハード膜が第１の方向に着磁されている磁気抵抗効果素子に対して、第１の方向とは反対の第２の方向に外部磁場を印加し、磁場を初期磁界から測定最大印加磁界まで変化させたときの抵抗の最大値を求める工程（ステップＳ１６、Ｓ１８）を、測定最大印加磁界を段階的に変化させて行う（ステップＳ２６）ので、磁場がある値になった時点で、それよりも小さな磁場における特性（抵抗値）が変化するような現象が発生しても、その特性変化を認識することができる。これにより、磁気抵抗効果素子の適切な評価を実現することができる。 （もっと読む）