【課題】巨大磁気抵抗効果が発現する磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、第一の磁性膜１１と、第一の磁性膜１１上のトンネルバリア膜１４と、トンネルバリア膜１４上の第二の磁性膜１６とを備える。第一の磁性膜１１は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。トンネルバリア膜１４は、第一の磁性膜１１とトンネルバリア膜１４との界面における第一の磁性膜１１の膜面に対してその法線方向に(001)配向するNaCl型結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドの製造方法に関し、磁気抵抗効果素子の狭コア幅化と狭ギャップ化を実現する。
【解決手段】 基板の上方に磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、磁気抵抗効果膜上にキャップ層兼嵩上げ層を成膜する工程と、キャップ層兼嵩上げ層上に金属膜を成膜する工程と、金属膜上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングして第１のパターンを形成する工程と、サイドウォール用膜を全面に覆うように形成する工程と、サイドウォール用膜をエッチバックにより第１のパターンの側壁のみに残して傘状パターンを形成する工程と、傘状パターンをエッチングマスクにして磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、絶縁膜をスパッタ形成する工程と、磁区制御膜を成膜する工程と、傘状パターンをリフトオフさせる工程と、素子全体をイオンミリングを用いてエッチバックさせてキャップ層兼嵩上げ層を除去するイオンミリング工程と、磁気抵抗効果素子上に上部磁気シールドを形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】線記録密度が向上しても高い再生出力、分解能ならびにＳＮＲが得られる磁気記録再生ヘッドを提供する。また、十分なビットエラーレートが得られる磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録再生ヘッド１０は、差動型再生ヘッド２０と記録ヘッド２５を有する。差動型再生ヘッド２０は、第１の自由層２１０を有する第１の磁気抵抗効果素子２００と、差動ギャップ層１００と、第２の自由層３１０を有する第２の磁気抵抗効果素子３００が積層された積層構造４００を有し、積層構造４００の外側に一対の電極５０，５１と、一対の磁気シールド３０，３１を有する。ここで、第１の自由層２１０と第２の自由層３１０の内側の距離(G1)とビット長(b1)の比(G1/B1)を、０．６以上１．６以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられ、酸素または窒素を含有する材料で形成された機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層の結晶配向面が、その上または下の隣接する層の結晶配向面と異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】磁区構造の安定性に優れ、シールド層の影響による再生ヘッドの出力バラツキを抑えて安定した出力を得ることができる新規な素子構造を提供する。
【解決手段】第１のシールド層３および第２のシールド層５と、を有し、積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子で、第１のシールド層および第２のシールド層の少なくとも一方は、Ｘ−Ｙ平面が、フロント枠構成部５１と、バック枠構成部５５とを有した窓枠形状体に形成されており、バック枠構成部の奥域長さは、フロント枠構成部の奥域長さよりも大きく、バック枠構成部は、非磁性ギャップ層１５５とバイアス磁界印加層１５６との組合わせ体を部分的に備え、非磁性ギャップ層とバイアス磁界印加層との組合わせ体は、前記窓枠形状体を磁束がぐるりと回る閉磁路を形成し、フロント枠構成部の磁化を単磁区化する。 （もっと読む）

【課題】シールド層の磁区制御を安定化させて、外部磁場に対する出力変動を低減させ、素子動作の信頼性に優れる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１のシールド層３および第２のシールド層５と、を有し、積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子であって、第１のシールド層、および第２のシールド層は、Ｘ−Ｙ平面が、枠形状体に形成されており、第１および第２のシールド層の枠形状体は、それぞれ、前方の媒体対向面側であって、磁気抵抗効果部が位置する近傍に配置されるフロント枠構成部３１，５１を有し、磁気抵抗効果部を構成する第１の強磁性層および第２の強磁性層には、それぞれ、第１のシールド層のフロント枠構成部および第２のシールド層のフロント枠構成部の磁気的作用の影響を受けて、互いの磁化方向が逆方向となる反平行磁化状態が形成される作用が働くように構成される。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】体心立方格子構造を有する強磁性層１２上には、体心立方格子構造を有するＣｒ層１３が形成されている。さらに、Ｃｒ層１３上には、ホイスラー合金層１４、トンネルバリア層１５、ホイスラー合金層１６が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁性層の軟磁気特性を確保しつつ、高い磁気抵抗変化率を実現する
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、一対の磁性層７，９であって、該一対の磁性層の磁化方向がなす相対角度が外部磁界に応じて変化するようにされた一対の磁性層７，９と、一対の磁性層の間に挟まれた結晶質のスペーサ層８と、を有し、センス電流２２が一対の磁性層およびスペーサ層の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。スペーサ層８は、結晶質酸化物を含み、一対の磁性層７，９のうち、外部磁界に応じて磁化方向が変化する少なくとも一方の磁性層は、CoFe層とNiFe層の間にCoFeB層が挟まれ、かつCoFeB層が前記スペーサ層と前記NiFe層との間に位置する膜構成を有している。 （もっと読む）

【課題】磁気テープのトラック幅が狭くなったとしても、磁気抵抗効果素子及びそれを備えた磁気ヘッドの構成を大幅に変えることなく、狭トラック化に対応することができるため、コストを大幅に上げずに高密度記録に対応することができる磁気記録再生システム及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気テープ２０に記録された情報を再生可能でかつ磁気抵抗効果素子１４を有する磁気ヘッド１を備え、磁気ヘッド１は、磁気抵抗効果素子１４の幅寸法が磁気テープ２０に形成された一つの記録トラックの幅よりも大きく、磁気抵抗効果素子１４の電圧を検出するための電極を少なくとも２カ所に備えたものである。 （もっと読む）

【課題】バリア層の膜厚を薄くしても、高いMR比を得ることができ、高記録密度に好適に対応することができ、磁気抵抗デバイスにも利用することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化金属からなるバリア層と、該バリア層の両面にそれぞれ接する第１の磁性層および第２の磁性層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記第１の磁性層上に、前記酸化金属のターゲットを用いて前記バリア層を積層し、前記第２の磁性層を前記バリア層上に積層する前に、前記バリア層をアニール処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強磁性層／バリア層／強磁性層の構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜において、磁気抵抗変化率が高いトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも原子量が１４乃至２７の範囲にある元素を含む岩塩構造を有するイオン結晶からなるバリア層を挟むように第１強磁性層及び第２強磁性層が設けられた積層構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法において、基板に前記第１強磁性層を設ける工程と、前記第１強磁性層上に前記バリア層を、Ｎｅを含む雰囲気中においてスパッタリングを行うことにより設ける工程と、前記バリア層上に前記第２強磁性層を設ける工程とを含むトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低コストでリソグラフィーの解像限界以下の寸法を形成可能な，再生磁気ヘッドの狭トラック製造方法を提供する。
【解決手段】ダミーパターンの側壁に堆積させた膜をマスクとして利用するサイドウォールマスクの方法で狭トラック幅加工を行う。また，サイドウォール形成用の膜の下層に予めエッチストッパー層と剥離層を形成し，余剰部の除去にはリフトオフを用いる。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化膜を磁気センサやメモリデバイスとして利用する場合、その磁化反転磁界を低減することが重要である。また、垂直磁化膜と関連して作製される均一な絶縁膜等を必要としない構成が重要である。
【解決手段】磁気センサやメモリデバイスに利用される電流磁気効果素子は、非導電性の基板１０と、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有する第１磁性層１１と、第１磁性層１１の上に形成された強磁性体の第２磁性層１２を有する。第２磁性層上には、２点間で電流を流すために電流電極１４ａと１４ｂが配置され、電流を流す方向と直角方向の別な２点間でホール電圧を検出するために電圧電極１５ａと１５ｂが配置される。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率（ＭＲ比）と低い層間結合磁界（Ｈｉｎ）を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、絶縁破壊電圧が高い強磁性トンネル接合構造を有する強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備える第１固定磁化部と、前記第１固定磁化部の上に配置され、磁化方向が固定可能であり、強磁性材料からなり、該強磁性材料のホウ素原子の含有比が第１固定磁化部よりも小さい第２固定磁化部と、前記第２固定磁化部の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、強磁性材料からなる第１自由磁化部と、前記第１自由磁化部の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備え、該ホウ素原子の含有比が前記第１自由磁化部よりも大きい、第２自由磁化部とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】基板の配向性に関わらず、磁性層の（００１）面方位への配向性を強くした磁気デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１ターゲットＴ１をスパッタする前に、Ａｒを用いたプラズマを基板Ｓの表面に照射し、基板Ｓの表面を洗浄した。そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果膜のトラック幅が５０ｎｍ以下になると、検知電流のリークが生じることがある。このような検知電流のリークを防止し、信頼性及び歩留りの高い磁気再生ヘッドを提供することである。
【解決手段】磁気再生ヘッド１０は、下部磁気シールド層４と、上部磁気シールド層２と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３０と、磁気抵抗効果膜の浮上面とは反対側の面に接するように配された素子高さ方向リフィル膜６と、磁気抵抗効果膜３０の側壁面に配置されたトラック幅方向のリフィル膜１とを有する。磁気抵抗効果膜３０は自由層３６、絶縁障壁層３４、固定層３２を備えるトンネル磁気抵抗効果膜であり、絶縁障壁層３４は窒素とシリコンの少なくとも一方を含有するマグネシウム酸化膜、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】高記録密度磁気記録再生に好適な高分解能・高出力の蓄積素子を提供する。
【解決手段】スピン注入部１０，１１を複数備えることで、トータルのスピン電子の量を増加させる。スピン蓄積素子は、非磁性導電体１、第一の磁性導電体３、第二の磁性導電体８、及び第三の磁性導電体６で構成されており、それぞれが、トンネル接合によって、非磁性導電体に接している。スピン蓄積効果による出力電圧は、非磁性導電体１と第三の磁性導電体６の電位差として検出される。第一のスピン注入部１０の第一の磁性導電体３は第一の反強磁性導電体４によって、第二のスピン注入部１１の第二の磁性導電体８は第二の反強磁性導電体４によって、互いの磁化の方向が反平行になるように固定する。 （もっと読む）