【課題】転送処理負荷を挙げることなく再生速度を向上する。
【解決手段】磁気ディスク装置は、磁気再生ヘッドを複数有し、磁気再生ヘッド各々が、磁気再生ヘッドにて検出される出力値各々を合計した値である出力値和が各磁気再生ヘッドの検出対象となるビット情報の組み合わせパターンごとに異なる値となるように予め形成される。また、磁気ディスク装置は、ビット情報の組み合わせパターンごとに検出されるべき出力値和を予め記憶する。また、磁気ディスク装置は、検出した出力値和を検索キーとして記憶部を検索し、出力値和に対応付けて記憶されたビット情報の組み合わせパターンを記録媒体に記録されたビット情報として再生する。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴｉで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ５は１９Å以上２８Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５は、Ｍｇ−Ｏで形成され、前記フリー磁性層６は、下からエンハンス層１２、第１軟磁性層１３、Ｃｏ−Ｔａ層１４及び第２軟磁性層１５の順に積層されている。このように軟磁性層１３，１５間にＣｏ−Ｔａ層１４を挿入した構成とすることで、フリー磁性層６の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなＭＲ比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子Ｘ１は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極１Ａ，１Ｂと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層２と、一対の電極１Ａ，１Ｂおよび低抵抗層２の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層２よりも高抵抗である高抵抗層３とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジストの解像度を損うことなく、レジストの感度を向上させることができるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含むことを特徴とする。金属塩がアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のいずれかである態様、金属塩がセシウム塩である態様、金属塩の含有量が、樹脂に対し、５質量％〜５０質量％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗（ＲＡ）を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率（ＭＲ比）を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界（Ｈｉｎ）の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果素子１は、絶縁材料を用いて形成される絶縁層１５と、磁性材料を用いて形成される第２の磁化層との間に、非磁性材料を用いて形成される非磁性層２０を備え、非磁性層２０は、絶縁層１５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドにおいて、製造時の歩留まりがよく、トラック幅を狭くした際にも、新たな膜を積層することなく、固定層、自由層の磁化を安定化させる。
【解決手段】固定層と、自由層と、固定層と自由層との間に設けられた中間層とによって積層構成された磁気抵抗効果型素子のセンサ部において、自由層の中間層に接している面のトラック幅方向の長さを、Ｗ_１、自由層において中間層に接している面の浮上面に対して垂直方向の長さを、ｈ_１、固定層の中間層に接している面のトラック幅方向の長さを、Ｗ_２、固定層において中間層に接している面の浮上面に対して垂直方向の長さを、ｈ_２とした際に、それらの相加平均値ｈ＝（ｈ_１＋ｈ_２）／２、Ｗ＝（Ｗ_１＋Ｗ_２）／２の関係を、０．８３＞ｈ／Ｗ＞０．４６とする。 （もっと読む）

【課題】再生素子のセンシング能力を向上し、高記録密度で記録された情報の再生精度を向上する。
【解決手段】再生素子が有する多層膜が、非磁性層４００と、この非磁性層４００を間に挟む第１強磁性層４０１及び第２強磁性層４０２と、を有し、これらのうち、第１、第２強磁性層の少なくとも一方は、原子組成比がＣｏ：Ｆｅ：Ｂ＝２：１：１であり、かつＬ２_１規則化された結晶構造とされている。これにより、高い分極率を実現できるので、非磁性層の膜厚を一定以上に薄くするなどして素子抵抗を小さくしたとしても、高い磁気抵抗変化率が得られ、高いセンシング能力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比で低磁歪のＣＰＰ磁気リード・ヘッドを実現する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、リード・ヘッドは、磁気抵抗センサ膜の積層方向（膜面に垂直な方向）にセンス電流が流れるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）型のリード・ヘッドである。本形態のＣＰＰ磁気ヘッドは、その磁気抵抗センサ膜における自由層構造に特徴を有している。本形態の自由層は積層された複数層から構成されており、ホイスラ合金層と、Ｃｏ系アモルファス金属層とを有している。この自由層構造を有することにより、低磁歪で高いＭＲ比を得ることができ、ノイズ特性にも優れたＣＰＰ磁気リード・ヘッドを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】
読み滲みが小さく、再生特性の安定性に優れたCPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドを、提供する。
【解決手段】
下部シールド層11と上部シールド層との間に磁気抵抗効果センサ膜20が配置されており、その両脇にトラック幅方向絶縁膜22を介して縦バイアス印加層23が設けてあるCPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、縦バイアス印加層23の素子高さ方向の長さ１１２を、磁気抵抗効果センサ膜20を構成する層の一つで、外部磁界に対して磁化が回転する第2の強磁性層１６の素子高さ方向の長さ１１１よりも長くし、そのときに、縦バイアス印加層23の膜表面が素子高さ方向において段差を有し、縦バイアス印加層２３の膜厚がその段差に対応して変わっており、かつ、媒体対向面における膜厚が最も厚い構造とする。 （もっと読む）

【課題】高分解かつ高トラック幅形成精度が実現できる差動型再生ヘッドを提供する。
【解決手段】第１の磁気抵抗効果素子２００は基板側から順に第１の固定層２３０、第１の中間層２２０、第１の自由層２１０の順に積層し、第２の磁気抵抗効果素子３００は、その上に第２の固定層３３０、第２の中間層３２０、第２の自由層３１０の順に積層する。第２の固定層３３０及び第２の中間層３２０が実質的な差動ギャップの役割を担う。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子（磁気ヘッド）のコア幅を微細化とすることができる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドの製造方法及び磁気再生記録装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１０は、下地層１１と、反強磁性層１２と、ピンド層（固定側磁性層）１３と、非磁性中間層１４とが順次積層された状態で形成されるとともに、非磁性中間層１４の上面に形成された自由側磁性層（フリー層）１５の一部には、自発磁化を有する磁性金属３０を内部に内包したナノチューブ２０を有する。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性に優れたフリー層を提供する。
【解決手段】フリー層１５は、トンネルバリア層と接する側から、第１の強磁性層２１、介在層２２、第２の強磁性層２３、介在層２４、第３の強磁性層２５が順に積層された積層構造を有する。第１の強磁性層２１は、例えばトンネルバリア層と接する側から、ＣｏＦｅからなる第１の層と、ＣｏＦｅＢからなる第２の層と、コバルト鉄合金からなる第３の層とが順に積層されたものである。第２の強磁性層２３は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。第３の強磁性層は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】本件は、積層構造を有する磁気抵抗効果素子が上下一対の磁気シールド層間に配置された磁気ヘッドの製造方法に関し、素子幅方向、高さ方向ともに平坦な素子形状を容易に製造する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の幅方向の層構造の形成を平坦化処理実行前まで行なう幅方向層形成工程と、磁気抵抗効果素子の高さ方向の層構造の形成を平坦化処理実行前まで行なう高さ方向層形成工程と、幅方向層形成工程と高さ方向層形成工程との双方が終了した後に、平坦化処理により磁気抵抗効果膜表面を露出させる平坦化処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気ディスクの再生ヘッドのセンサ膜と磁性体上部シールドとの間には剥がれ防止のために非磁性密着層が介している。しかし、その層は低抵抗、高ＭＲ比、そしてシールド間隔の狭小化の妨げとなる。
【解決手段】センサ膜の上には非磁性密着層が介せず磁性体上部シールドが配置され、センサ膜の両側に形成される第１の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第２の絶縁膜上に形成される第３の絶縁膜の上には非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置される構造。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００Ａは、チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた上部内側磁化固定層１８Ａと、チャンネル層５を間に挟んで上部内側磁化固定層１８Ａと対向する下部内側磁化固定層１２と、を備え、上部内側磁化固定層１８Ａ及び下部内側磁化固定層１２の磁化の向きが互いに平行または反平行となるように固定されている。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、を備え、チャンネル層５と対向する面における磁化固定層７の断面積が、チャンネル層５と対向する面における磁化自由層６の断面積よりも大きいことを特徴とする磁気センサー。 （もっと読む）