【課題】ノイズを抑制した磁気抵抗効果型の磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、再生部を備えた磁気ヘッドが提供される。再生部は、磁気記録媒体に記録された媒体磁界を検出する。再生部は、積層膜と、磁界印加部と、を含む。積層膜は、第１磁化固着層と、磁化自由層と、を含む。第１磁化固着層は、垂直磁気異方性を有し磁化が固着されている。磁化自由層は、第１磁化固着層と第１軸に沿って積層されスピントルク発振する。磁界印加部は、積層膜と第１軸に沿って積層され、第１軸に沿う成分を有するバイアス磁界を積層膜に加える。第１磁化固着層から磁化自由層へ、磁化自由層がスピントルク発振する値以上の電流が流されたときに、媒体磁界に応じて積層膜の抵抗が変化する。 （もっと読む）

【課題】集積度が高い磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る磁気記憶装置は、基板と、前記基板上に設けられた複数個の磁気抵抗効果素子と、を備える。そして、前記複数個の磁気抵抗効果素子のうち、上方から見て互いに最も近い位置にある２個の磁気抵抗効果素子は、前記基板からの距離が相互に異なる。 （もっと読む）

【課題】高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制されたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成され、ＢａＯで構成されるトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備える構造のスピン伝導素子。シリコンの格子定数は５．４３０９Åであり、ＢａＯの格子定数は５．５２６３Åである。シリコンの格子定数に対して、ＢａＯの格子定数は１．８％の差（不整合率）があり、この値は、シリコンとＭｇＯの格子定数の差と比較して１／５程度である。トンネル材料としてＢａＯを採用し、シリコンとトンネル材料との間の格子定数の差を従来材料に比べて低減することで、高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
発明者らは、Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成されたトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備え、トンネル層２２Ａ、２２Ｂが、ＮａＣｌ構造のアルカリ土類酸化物（たとえばＢａＯ）で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオン（たとえばＢａイオン）の一部が、異なる種類のアルカリ土類イオン（たとえばＭｇイオン）に置換された磁気センサー１を新たに見いだした。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置している。スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｂと、主スペーサ層１６ｂと第１の磁性層Ｌ１との間に位置し、一部が酸化された銅を主成分とするボトム層１６ａと、を有している。 （もっと読む）

【課題】ヘッドを容易に製造することができる近接場光利用ヘッド及び近接場光利用ヘッドを有する情報記録装置を提供する。
【解決手段】近接場光を発生させて媒体の所定領域を加熱するとともに所定領域に磁界を与えて情報を記録する近接場光利用ヘッドにおいて、光束を伝播させる経路を有する光導波路と、所定領域に向かい合う位置に形成された光学的微小開口１１８を有し、光導波路から出射された光束を集光させながら光学的微小開口１１８に向けて伝播させて近接場光を発生するティップ１１７とを備える。光学的微小開口１１８は、所定領域に磁界を与える磁極によって形成される。 （もっと読む）

【課題】室温で５０％以上の高いＭＲ比を示し、数テラビット／インチ^２の記録密度を実現可能な磁気抵抗効果素子および磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Ｃｏ_２Ｆｅ_ｘＭｎ_１−ｘＳｉホイスラー合金（ｘ＝０．０〜１．０）から成り、層厚が２〜２０ｎｍである第１のハーフメタル強磁性体層１３および第２のハーフメタル強磁性体層１５と、それらの間に挟まれたＡｇから成る非磁性金属体層１４とを有している。第１のハーフメタル強磁性体層１３の下に、Ｃｒ／Ａｇ層から成る下地層１２を有し、第２のハーフメタル強磁性体層１５の上に、Ａｇ／Ｒｕ層から成る酸化防止層１６を有している。 （もっと読む）

【課題】 スピン伝導特性を改善可能なスピン伝導型磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 この磁気センサは、磁気シールド層１０Ｂを有するベース基板１０と、ベース基板１０の磁気シールド層１０Ｂ上の絶縁膜４を介して貼り付けられた単一ドメインからなる半導体の結晶層３と、半導体の結晶層３における絶縁膜４とは反対側の表面上に、第１トンネル障壁層を介して形成された第１強磁性層１と、半導体の結晶層３における絶縁膜４とは反対側の表面上に、第１強磁性層１から離間し、第２トンネル障壁層を介して形成された第２強磁性層２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 十分なＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、第１の磁性層１４と、第２の磁性層１８と、第１の磁性層１４と第２の磁性層１８との間に設けられたスペーサ層１６とを備えた積層体と、積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極１１、２０とを有し、スペーサ層１６が、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄから選択される少なくとも１つの元素及びＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、０．６５以上のスピン偏極率を持つＣｏ_２Ｆｅ基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金は０．２５＜Ｘ＜０．６０の領域でＰＣＡＲ法により測定したスピン偏極率は０．６５以上の高い値を示す。また１２８８Ｋと高いキュリー点をもつことから、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金が実用材料として有望である。実際、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ−ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示した。 （もっと読む）

【課題】低抵抗キャップ構造を有する磁気読取りセンサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサのキャッピング層内での酸化物形成をなくすことによって、センサの面積抵抗を減少させ、ＭＲ比を減少させる磁気センサを製造する方法。本方法は、センサ積重体を覆って形成された多層キャッピング構造を有する、センサ積重体を形成することを含む。多層キャッピング構造は、第１、第２、第３、および第４の層を含みうる。第２の層は、容易に酸化されず、第１の層と異なる材料から構成される。センサは、炭素ハードマスクを含むマスクを使用して形成されうる。センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。その後、除去プロセスが、第２の層の存在を検出する２次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第２、第３、第４の層を除去するために実施される。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子４が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置し、スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｂと、主スペーサ層１６ｂと第１の磁性層Ｌ１との間に位置し、銅とガリウムとを含む第１の非磁性層１６ａと、を有している。 （もっと読む）

【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第１磁化自由層が配置されている。第１磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第２磁化自由層が配置されている。第２磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサ及び磁気ヘッドを提供すること。
【解決手段】磁気センサ１は、第１領域７１、第２領域７２、及び第３領域７３を有し、第１方向に延びる主チャンネル層７ａと、第１領域７１上に積層された第１強磁性層１２Ａと、第２領域７２上に積層された第２強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第１領域７１と第２領域７２との間の第３領域７３の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び突出チャンネル層７ｂの第１方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。第１強磁性層１２Ａの磁化の方向は、第２強磁性層１２Ｂの磁化の方向に対して反平行であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２つのトンネルバリア層を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜について、ＭＲ比を向上させた二重トンネル磁気抵抗効果膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１磁化固定層をアモルファス構造となるように成膜を行い、その上に第１トンネルバリア層、磁化自由層、第２トンネルバリア層を結晶粒を含んだ多結晶構造を有した状態で成膜を行う。さらにその上に第２磁化固定層を成膜し、その後に加熱処理を行うことで全てに連続して繋がった結晶格子を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の向上が図れる磁気抵抗素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層とを有し、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくともいずれかは、式Ｍ１ａ Ｍ２ｂＸｃ （５≦a≦６８、１０≦ｂ≦７３、２２≦ｃ≦８５）で表される磁性化合物を有し、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素、Ｘは、Ｎ，Ｏ，Ｃから選択される少なくとも一種の元素である。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１は、チャンネル７中に第一領域、第二領域、及び、第三領域を有し、第一方向に延びる主チャンネル層７ａと、第一領域上に積層された第一強磁性層１２Ａと、第二領域上に積層された第二強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第一領域と第二領域との間の第三領域の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び、突出チャンネル層７ｂの第一方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第１強磁性層２と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第２強磁性層１０と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた非磁性層６と、第１強磁性層と非磁性層との間に設けられた第１界面磁性層４と、第２強磁性層と非磁性層との間に設けられた第２界面磁性層８と、を備え、第１界面磁性層は、第１強磁性層側に設けられた第１界面磁性膜４ａと、非磁性層側に設けられ第１界面磁性膜と組成が異なる第２界面磁性膜４ｃと、第１界面磁性膜と第２界面磁性膜との間に設けられた第１非磁性膜４ｂとを備え、第１強磁性層と第２強磁性層との間に非磁性層を通して電流を流すことにより、第１強磁性層および第２強磁性層の一方の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。
【解決手段】スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 （もっと読む）

【課題】 ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたスペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、ＳｎおよびＣｄから選択される少なくとも１つの元素並びにＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層とを備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを備えた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記機能層の母材料から成る膜を成膜し、前記膜に、酸素の分子、イオン、プラズマおよびラジカルから成る群から選択される少なくとも１つを含むガスを用いた酸化処理を施し、前記酸化処理が施された膜に対して還元性ガスを用いた還元処理を施すことを含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）