【課題】スペースを割く必要なく、磁気抵抗効果素子のシールド部に磁場を印加してシールド部の磁区状態を再生する際に、磁気記録媒体に悪影響を及ぼさずにシールド部に強い磁場を印加することを可能とする磁気センサ、およびそれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を有する磁気抵抗効果素子４と、磁気抵抗効果素子４に近接して設けられたシールド部８，９と、シールド部８，９に所定方向の磁場を印加する状態と、磁場の印加を停止した状態とを切り替え可能に設けられた磁場発生手段１３，１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有する高出力、高感度の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成するＧＭＲ膜（３０）は、固定磁化層（３６、４６）と、自由磁化層（３８）と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層（３７、４７）とを備えるＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、前記自由磁化層と、前記固定磁化層の少なくとも一方はＣｏＦｅＧｅで構成され、当該ＣｏＦｅＧｅは、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｆｅ含有量，Ｇｅ含有量）として表すと（各含有量はat％）、点Ａ（42.5，30，27.5）、点Ｂ（35，52.5，12.5）、点Ｃ（57.5，30.0，12.5）、および点Ｄ（45.0，27.5，27.5）を結ぶ領域内の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】 ばらつきの少ない電流路狭窄層およびその形成方法、ならびにそれを用いたＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子等を得る。
【解決手段】 Ｃｕ層３１の上に第１のＡｌ（ＡｌＣｕ）層を形成し、第１のＰＩＴ／ＩＡＯ処理を行ったのち、その上に第２のＡｌ（ＡｌＣｕ）層を形成し、第２のＰＩＴ／ＩＡＯ処理を行う。これにより、２層の酸化アルミニウム層２６，５６と、それらの内部を膜厚方向に貫く複数の導電パス６５とを含む電流路狭窄（ＣＣＰ）層１１６が形成される。このＣＣＰ層１１６の上にＣｕ層を形成することにより、ＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子におけるＣＣＰスペーサが出来上がる。２つの酸化アルミニウム層の界面位置において直径が臨界値を下回るような銅フィラメントはその界面で終端し、比較的太いフィラメントだけが上隣の酸化アルミニウム層の導電パスに連結する。これにより、同一ウェハ上に同時に形成された複数の素子のばらつきが少なくなる。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子及びその製造方法に関し、耐電圧が低下することなく、長寿命であるＴＭＲ素子を実現させようとする。
【解決手段】少なくともピン層２／金属酸化物バッファ層３／バリア層４／フリー層５からなる積層構成を含むＴＭＲ素子であって、還元雰囲気中で成膜された前記金属酸化物バッファ層３は、ピン層２を構成する材料に比較して酸化されやすい材料を基材としたものであることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】
フリー磁性層の組成や膜厚を変更せずに、抵抗変化率の高いトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記絶縁障壁層はマグネシウム（Ｍｇ）を含み、前記フリー磁性層上にＭｇで形成された第１保護層が形成される。これにより、フリー磁性層の組成や膜厚を変更することなく、第１保護層が形成されないトンネル型磁気検出素子に比べて高い抵抗変化率を示す、トンネル型磁気検出素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】イオン・ビーム・エッチングにおける磁気抵抗センサ１１２端部のエッチング・ダメージを低減する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、磁気抵抗センサ１１２トラック幅形成工程（Ｓ１２）においてイオン・ビーム・エッチング（ＩＢＥ）が使用される。このＩＢＥは、基板５１を傾けた状態においてＡｒイオン・ビームを基板５１に入射し、さらに、基板５１をその法線方向を回転軸として回転する。従来のトラック幅形成工程において、ＩＢＥは基板５１を回転させながら常にＡｒイオン・ビームを基板５１に照射するが、このＩＢＥは、予め設定されている特定の角度範囲においてのみ、Ａｒイオン・ビームを基板５１に照射する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが出来るトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５はＴｉ−Ｏ層５ａとＴａ−Ｏ層５ｂとの積層構造で形成され、前記絶縁障壁層５を構成するＴｉとＴａの濃度を足して１００ａｔ％としたとき、Ｔａ濃度は０ａｔ％より大きく７ａｔ％以下に設定される。これにより、固定磁性層やフリー磁性層を従来の構成から変更せずに、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】高記録密度磁気記録再生に適し、ノイズの少ない磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】非磁性導電層１０１に第一の絶縁層１０３を介して固定層１０２を形成し、非磁性導電層の媒体側の面に第二の絶縁層１０５を介して自由層１０４を形成する。それに、第一の絶縁層を介して非磁性導電層と固定層の間に電流を流すための回路１０６と、非磁性導電層と自由層との間の電圧を測定するための回路１０７を接続する。自由層が形成される媒体側の面は、媒体表面と略平行な面としてもよいし、媒体表面に対して傾斜した面としてもよい。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏ、あるいは、Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴａで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ３は２５Å以上８０Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 特に、磁気的なトラック幅（Ｍｇ−Ｔｗ）及びＰＷ５０（再生波形の半値幅）を狭くし、適切に高記録密度化を図ることを可能とした薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 保護層２８の上面２８ａを湾曲形状で形成して、フリー磁性層２７の上面２７ｃのトラック幅方向における両側縁部２７ｃ１と上部シールド層３２の下面間の間隔Ｌ１を、フリー磁性層２７の上面２７ｃのトラック幅方向における中央部２７ｃ２と上部シールド層３２の下面間の間隔Ｌ２よりも小さくする。これにより、磁気的なトラック幅（Ｍｇ−Ｔｗ）及びＰＷ５０（再生波形の半値幅）を狭くでき、適切に高記録密度化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 所望の低い素子面積抵抗化を保持することができ、ノイズの増大を抑制しつつ、スペーサー層を構成する半導体酸化物層の厚さを厚くすることができるＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提供する。
【解決手段】 スペーサー層と、スペーサー層を挟むようにして積層形成される磁化固定層およびフリー層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子であって、フリー層は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能しており、スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１および第２の非磁性金属層と、これらの第１および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、その主成分が酸化亜鉛から構成され、この酸化亜鉛に、亜鉛よりも酸化されにくい金属を含有させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基板上に形成されたトンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）の抵抗を測定する抵抗測定方法および高性能化が図られたＴＭＲ素子を製造するＴＭＲ素子の製造方法に関し、基板上の薄膜の電気抵抗を容易かつ高精度に測定する。
【解決手段】
基板上に第１の導電層、抵抗層、第２の導電層の順に積層され、第１の導電層および第２の導電層の一方にピン層、他方にフリー層を有し、これらピン層とフリー層とに挟まれたバリア層を抵抗層とするトンネル磁気抵抗素子の抵抗測定方法であって、基板上に、低い抵抗値を持つ第１の低抵抗層と、トンネル磁気抵抗素子を構成する、第１の導電層、抵抗層および第２の導電層からなる薄膜と同一構成の薄膜と、第１の導電層および第２の導電層のいずれよりも低い抵抗値を持つ第２の低抵抗層とをこの順に積層したサンプルを作成し該サンプル表面に抵抗測定用プローブをあてて薄膜の抵抗を測定する。 （もっと読む）

【課題】複合型薄膜磁気ヘッドに関し、シールド層に吸収されるピン層の磁界を低減してリファレンス層の磁界とバランスさせ、再生特性の非対称性を改善しようとする。
【解決手段】磁気抵抗効果型再生ヘッドを含む複合型薄膜磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果素子が、少なくともフリー層７、中間層、リファレンス層５、中間層、ピン層３が積層された積層フェリ型スピンバルブ構造を含み、ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層１とピン層３間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層１とピン層３間の距離が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にＭｇＯ層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、第１の強磁性層を形成する工程、ＭｇＯ層を形成する工程及び第２の強磁性層を形成する工程を有し、前記ＭｇＯ層を形成する工程は、基板がフローティング電位にある状態で行われる。また、ＭｇＯ層を形成する工程は、前記基板に接する部分が絶縁物である基板載置台に、前記基板を載置させて行うようにしてもよい。また、ＭｇＯ層を形成する工程は、基板と該基板を保持する基板保持部とを電気的に絶縁した状態で行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】より高い抵抗変化率を安定して得ることができ、さらなる高記録密度化に対応可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】この磁気抵抗効果素子は、一定方向に固着された磁化を有する磁化固着層２３と、介在層２４と、外部磁界に応じて磁化の向きが変化する磁化自由層２５とが順に積層されたＭＲ膜を備える。介在層２４は、銅からなる第１および第２の基材層２４２Ａ，２４２Ｂに分布した非導電性の酸化物層２４３を有すると共に、銅よりも酸化しにくいイリジウムからなり磁化固着層２３と接する金属層２４１をも有するものである。酸化物層２４３は電流狭窄効果をもたらす一方、金属層２４１は介在層２４の内部への不要な金属元素の浸入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】より良好な磁気特性を発現する磁気トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子２は、下部シールド層１０に設けられたシード層１４の上に、反強磁性層１５と、ＳｙＡＰピンド層１６と、トンネルバリア層１７と、フリー層１８とキャップ層１９とを順に備える。シード層１４は、下部シールド層１０の側から、下部層１１と中間層１２と上部層１３とが順に積層されたものである。下部層１１は、タンタル，ジルコニウムもしくはクロムなどの金属、またはそれらの合金からなる。中間層１２は、ハフニウムなどの、ニッケル，鉄，コバルトおよび銅よりも電気陰性度の小さな材料からなる。上部層１３は、ＮｉＦｅ、ニッケル単体、三元合金であるＮｉＦｅＸ（Ｘは、クロム，コバルトまたは銅のいずれか）、ＣｏＦｅまたは銅などからなり、自らの上に形成される反強磁性層１５における＜１１１＞方向の結晶成長を促進するように機能する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のウエハ段階における製造工程において、磁気抵抗効果素子の特性を正確に測定可能とし、磁気抵抗効果素子の特性のばらつきを抑制し、信頼性の高い磁気抵抗効果素子を歩留まりよく製造することを可能にする。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の製造方法であって、下部シールド層１２に電気的に接続される端子２２ａ、２２ｂを、最終的に浮上面となる位置（Ａ−Ａ’線）を挟む一方側と他方側とにそれぞれ形成する工程と、上部シールド層１４に電気的に接続される端子２０ａ、２０ｂを、最終的に浮上面となる位置を挟む一方側と他方側とにそれぞれ形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性の下地と、前記下地の主面上に設けられた第１の強磁性体層と、前記下地の前記主面上において前記第１の強磁性体層と離間して設けられた第２の強磁性体層と、前記下地の前記主面上において前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とに接してこれらの間に設けられた接続部であって、強磁性体からなる第１の結晶粒と強磁性体からなる第２の結晶粒とを有し、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間を流れる電流の経路のうちの最も狭い部分は、前記第１の結晶粒と第２の結晶粒との結晶粒界である、接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】
抵抗変化率の低減が低く、かつフリー磁性層の磁歪が小さいトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上に白金（Ｐｔ）で形成された第１保護層が形成される。これにより、第１保護層が形成されないトンネル型磁気検出素子に比べて高い抵抗変化率を維持しつつフリー磁性層の磁歪を大きく低減できる。 （もっと読む）

【課題】充分な磁区制御用バイアス磁界をＭＲ積層体の磁化自由層に供給することができ、その結果、ノイズのない良好な線形応答が可能なＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、下部電極層と、下部電極層上に積層されており積層面に垂直方向に電流が流れるＭＲ積層体と、このＭＲ積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御用軟磁性層と、ＭＲ積層体及び磁区制御用軟磁性層上に連続して積層されており、磁区制御用軟磁性層と相互に交換結合している磁区制御用反強磁性層と、磁区制御用反強磁性層上に積層されている上部電極層とを備えている。 （もっと読む）