【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、熱流のみを用いて、スピントルク（ＳＴ）効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるＳＴＯは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の１つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク（ＳＴＴ）が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】耐食性スペーサ層を備え、より高い信号雑音比を有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサを提供する。
【解決手段】膜面垂直通電（ＣＰＰ）型巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）センサのスペーサ層を形成する材料の電気抵抗と耐食性を増大させるための方法と装置。スペーサ層および、それゆえＣＰＰ−ＧＭＲセンサの抵抗を大きくすることにより、より大きな電圧をセンサにかけることができ、信号対雑音比をより高くすることができる。スペーサ層の耐食性を高めることにより、製造中にスペーサ層を腐食性材料に曝す影響が最小限となる。たとえば、スズを銀に添加して金属合金スペーサ層を形成すれば、このスペーサ層の耐食性とＣＰＰ−ＧＭＲセンサの電気抵抗は、銀のみからなるスペーサ層の場合より増大する。Ａｇ−Ｓｎ合金により、より大きな電流がセンサを流れ、これによって信号対雑音比が増大する。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、その間に位置するスペーサ層１６と、を有している。第１の磁性層は、磁気抵抗効果素子４が形成される基板に対し、第２の磁性層よりも近い側に位置している。スペーサ層１６は、銅層１６ａと、金属中間層１６ｂと、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｃと、を有し、銅層及び金属中間層が主スペーサ層と第１の磁性層との間に位置し、金属中間層は銅層と主スペーサ層との間に位置している。金属中間層は、マグネシウムまたは少なくとも一部が酸化されたマグネシウム、アルミニウムまたは少なくとも一部が酸化されたアルミニウム、及び亜鉛または少なくとも一部が酸化された亜鉛からなる群から選択された少なくとも一つを主成分としている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗キャップ構造を有する磁気読取りセンサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサのキャッピング層内での酸化物形成をなくすことによって、センサの面積抵抗を減少させ、ＭＲ比を減少させる磁気センサを製造する方法。本方法は、センサ積重体を覆って形成された多層キャッピング構造を有する、センサ積重体を形成することを含む。多層キャッピング構造は、第１、第２、第３、および第４の層を含みうる。第２の層は、容易に酸化されず、第１の層と異なる材料から構成される。センサは、炭素ハードマスクを含むマスクを使用して形成されうる。センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。その後、除去プロセスが、第２の層の存在を検出する２次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第２、第３、第４の層を除去するために実施される。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子４が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置し、スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｂと、主スペーサ層１６ｂと第１の磁性層Ｌ１との間に位置し、銅とガリウムとを含む第１の非磁性層１６ａと、を有している。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比と低いＲＡ値とを両立させるトンネルバリアの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のトンネルバリアの形成方法は、ＴＭＲセンサ４０Ａに用いられるトンネルバリア２９を形成するものであり、ピンド層２４に対してＮＯＸ処理を施す工程と、ピンド層２４の上にＭ１層を形成する工程と、ＮＯＸ処理を行い、Ｍ１層をＭox1層２５に変換する工程と、Ｍ１層よりも薄いＭ２層の蒸着とそのＮＯＸ処理とを繰り返すことで、Ｍox1層の上にＭox2層２６を含むスタックを形成する工程と、そのスタックの上に、Ｍox1層２５およびＭox2層２６よりも薄い最上部金属層を形成する工程と、アニール処理により、内部の酸素を拡散させて最上部金属層を酸化することでＭox3層２７を得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】演算増幅器、トランジスタ、コンデンサなどのような他の構成要素の内の１つ又はそれ以上を、磁気センサーと同じチップの一部として有する単一チップ設計、特に、チップ上に配置されているセット／リセットドライバー回路を有する設計を提供する。
【解決手段】磁気感知装置と、それを作成する方法及び使用する方法とが開示されている。感知装置は、１つ又は複数の磁気抵抗感知要素と、磁気抵抗感知要素を調整するための１つ又は複数の向き変え要素と、向き変え要素を制御するためのドライバー回路を有する半導体回路と、を有している。磁気抵抗感知要素、向き変え要素、及び半導体回路は、単一のパッケージ内に配置されており、及び／又は単一のチップ上にモノリシックに形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたトンネル絶縁スペーサ層と、前記磁化固着層中、前記磁化固着層と前記トンネル絶縁スペーサ層との間、前記トンネル絶縁スペーサ層と前記磁化自由層との間、前記磁化自由層中、及び前記磁化自由層と前記キャップ層との間の何れかに設けられ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも１つの元素、並びにＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層と、を備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】磁場を検知するためのシステムを提供する。
【解決手段】いくつかの例では、システムであって、磁気記憶媒体を有するデータ記憶部材を含み、磁気記憶媒体は、少なくとも１つのデータトラック上に並んでいる複数の磁気ビット領域を有し、それぞれの磁気ビット領域同士の間の転移境界が転移湾曲を規定するシステムが提供される。システムはさらに、第１のシールド層と、第２のシールド層と、第１および第２のシールド層に近接して設けられた読取センサスタックとを含む磁気読取ヘッドを含み、磁気読取ヘッドは、読取再生感度機能に従って複数の磁気ビット領域の各々の磁場を検知する。いくつかの例では、シールド層および読取センサスタックは、それぞれの磁気ビット領域の形状に実質的に対応する読取再生感度機能を提供するように構成され得る。 （もっと読む）

【課題】左右対称かつ微細な線幅を有するトラックを形成することのできるハードマスクを得る。
【解決手段】間隙を有する剥離層１を磁気抵抗効果膜２の上方に形成する剥離層形成工程と、前記間隙部分に前記剥離層または前記磁気抵抗効果膜の形状に沿って第１埋込層３を形成する第１埋込層形成工程と、前記第１埋込層の形状に沿って第２埋込層４を形成する第２埋込層形成工程と、前記第２埋込層のうち前記間隙部分に埋め込まれている部分を除いた表面露出部分を除去する工程と、前記剥離層と、前記第１埋込層のうち前記第２埋込層の下方に形成されている部分を除いた部分を除去してハードマスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】本件は、積層構造を有する磁気抵抗効果素子が上下一対の磁気シールド層間に配置された磁気ヘッドの製造方法に関し、素子幅方向、高さ方向ともに平坦な素子形状を容易に製造する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の幅方向の層構造の形成を平坦化処理実行前まで行なう幅方向層形成工程と、磁気抵抗効果素子の高さ方向の層構造の形成を平坦化処理実行前まで行なう高さ方向層形成工程と、幅方向層形成工程と高さ方向層形成工程との双方が終了した後に、平坦化処理により磁気抵抗効果膜表面を露出させる平坦化処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの上昇を抑制し、かつコア幅を微細化することが可能な磁気ヘッドの製造方法が望まれている。
【解決手段】 基板上に、磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果膜(12)を形成する。磁気抵抗効果膜の上に、第１のマスク膜(14)及び第２のマスク膜(15)を形成する。第２のマスク膜の上に、読取素子領域が被覆され、該読取素子領域の両側に開口が設けられたレジストパターン(16)を形成する。レジストパターンをエッチングマスクとして、第２のマスク膜をエッチングすることにより、第２のマスクパターン(15)を残す。第２のマスクパターンの表層部をエッチング除去することにより、第２のマスクパターンの寸法を縮小させる。縮小された第２のマスクパターンをエッチングマスクとして、第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスクパターン(14)を残す。第１のマスクパターンをエッチングマスクとして、磁気抵抗効果膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び歩留りの高い磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】下部磁気シールド層４、上部磁気シールド層２、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３、磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段とを含む磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜は、固定層５１、非磁性層５２、酸化物層からなる絶縁障壁層５３、自由層５４がこの順番で成膜され、酸化物層にチタンとニッケルの少なくとも一方を含有する。 （もっと読む）

【課題】再生センサおよび主磁極層の突出量を独立して制御することが可能な再生記録磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】再生ヘッド１００Ａは、下部絶縁層２の内部における再生センサ６のセンサ先端部３１に近い側に、その再生センサ６を加熱して突出させるＤＦＨ（ダイナミックフライヒータ）３を含んでいる。記録ヘッド１００Ｂは、下部絶縁層１６の内部における主磁極層１８の記録磁極先端部１４に近い側に、その主磁極層１８を加熱して突出させるＤＦＨ１７を含んでいる。ＤＦＨ３，１７により、再生センサ６および主磁極層１８の突出量が独立して制御されるため、ガンマ比（再生センサ６の突出量／主磁極層１８の突出量）が１となるように調整される。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドの製造方法に関し、磁気抵抗効果素子の狭コア幅化と狭ギャップ化を実現する。
【解決手段】 基板の上方に磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、磁気抵抗効果膜上にキャップ層兼嵩上げ層を成膜する工程と、キャップ層兼嵩上げ層上に金属膜を成膜する工程と、金属膜上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングして第１のパターンを形成する工程と、サイドウォール用膜を全面に覆うように形成する工程と、サイドウォール用膜をエッチバックにより第１のパターンの側壁のみに残して傘状パターンを形成する工程と、傘状パターンをエッチングマスクにして磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、絶縁膜をスパッタ形成する工程と、磁区制御膜を成膜する工程と、傘状パターンをリフトオフさせる工程と、素子全体をイオンミリングを用いてエッチバックさせてキャップ層兼嵩上げ層を除去するイオンミリング工程と、磁気抵抗効果素子上に上部磁気シールドを形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低抵抗化を実現することを課題とする。
【解決手段】リード素子は、磁気記録媒体などに記録された記録ビットから出る小さな磁場変化を感知して、高密度で記録された磁気ビットを読取ることを概要とする。そして、ＴＭＲ膜を構成する絶縁層を、高バンドギャップ金属酸化物と、低バンドギャップ金属酸化物とで構成する点に特徴がある。具体的に説明すると、高バンドギャップ金属酸化物（高バンドギャップ酸素ｓ電子励起型金属酸化物絶縁材料）間に、低バンドギャップ金属酸化物（低バンドギャップ酸素ｓ電子励起型金属酸化物絶縁材料）を配置して絶縁層を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子で読み出される信号の高周波数化に容易に対応することができるヘッドスライダを提供する。
【解決手段】ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子は、下部シールド層４３および上部シールド層４４の間に配置される磁気抵抗効果膜６１に下部シールド層４３および上部シールド層４４を通じて電流を供給する。スライダ本体２５および下部シールド層４３の間で絶縁膜には非磁性の導体層５７が埋め込まれる。ノイズ６９は容量結合に基づき磁気記憶媒体からスライダ本体２５に乗り移る。ノイズ６９は下部シールド層４３とスライダ本体２５との間に形成される静電容量Ｃ_３に作用する。導体層５７の働きで下部シールド層４３および上部シールド層４４の間ではノイズ６９に基づく電位差の変化は回避される。再生信号のＳＮ比の悪化は回避される。読み出される信号が高周波数化されても、磁気情報はこれまで通りに正確に読み出される。 （もっと読む）

【課題】低コストでリソグラフィーの解像限界以下の寸法を形成可能な，再生磁気ヘッドの狭トラック製造方法を提供する。
【解決手段】ダミーパターンの側壁に堆積させた膜をマスクとして利用するサイドウォールマスクの方法で狭トラック幅加工を行う。また，サイドウォール形成用の膜の下層に予めエッチストッパー層と剥離層を形成し，余剰部の除去にはリフトオフを用いる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果膜のトラック幅が５０ｎｍ以下になると、検知電流のリークが生じることがある。このような検知電流のリークを防止し、信頼性及び歩留りの高い磁気再生ヘッドを提供することである。
【解決手段】磁気再生ヘッド１０は、下部磁気シールド層４と、上部磁気シールド層２と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３０と、磁気抵抗効果膜の浮上面とは反対側の面に接するように配された素子高さ方向リフィル膜６と、磁気抵抗効果膜３０の側壁面に配置されたトラック幅方向のリフィル膜１とを有する。磁気抵抗効果膜３０は自由層３６、絶縁障壁層３４、固定層３２を備えるトンネル磁気抵抗効果膜であり、絶縁障壁層３４は窒素とシリコンの少なくとも一方を含有するマグネシウム酸化膜、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気ディスク装置の再生磁気ヘッドに関し、より詳細にはＴＭＲ膜を用いた再生磁気ヘッドの低抵抗化に関する。
【解決手段】 本発明の再生磁気ヘッドは、磁気抵抗効果層の厚さ方向に上部シールド層と下部シールド層とを配置し、その磁気抵抗効果層の側面に磁区制御層を配置した構造の再生磁気ヘッドであって、再生磁気ヘッドの磁気抵抗効果層と磁区制御層との間にシャント層を形成するよう構成する。 （もっと読む）