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Fターム[5D059BA01]の内容

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スライダ(201)を接地点に、電気的に接続するための方法及び装置が提示される。一つの実施形態において、読み取り/書き込み信号のために使われる接合パットとは別に、接合パッド(227)が、スライダ本体の側面に用意される。この分離接合パッドは、接地点に接続するためのものである部品に、スライダ本体で電気的に接続される。サスペンションに備えられる分離導線(223)(例えば、電路、電線回路など)は、金製ボール接合を経由して分離接合パッドに、電気的に接続されてもよい。導線はまた、ハードディスク装置の接地点に(例えば、プリアンプを経由して)接続される。分離接合パッド及び電路の使用は、スライダの舌状部材に付属部品を経由してスライダを電気的に接地するための、導電性接着剤の使用の必要性を否定する。
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【課題】 圧電素子−スライダ間及び圧電素子-サスペンション間の接着部が常に一定の面積で接着される構成の圧電アクチュエータを用いた移動機構を提供することを課題とする。
【解決手段】 スライダ6は、ジンバル部8aに支持されたマイクロアクチュエータ20により回転移動される。圧電アクチュエータ20を構成する圧電素子22,24は接着剤26によりスライダ6及びジンバル部8aに固定される。段差により画成された接着面を有する接着剤塗布部30が圧電素子22,24に形成される。 (もっと読む)


【課題】 工数および手間の軽減を図りつつ、グランド端子を形成して、製造コストを低減できる、回路付サスペンション基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 金属基板2の上に、グランド端子13の形成位置にベース開口部3を有するベース絶縁層4を形成し、ベース開口部3内の金属基板2およびベース絶縁層4の上に、金属薄膜5を形成し、その金属薄膜5の上に、導体パターン7を形成する。ベース絶縁層4の上に、導体パターン7を被覆しかつベース開口部3に対向するカバー開口部8を有するカバー絶縁層9を形成する。金属基板2に、ベース開口部3およびその周囲のベース絶縁層4が露出する基板開口部11を形成し、導体パターン7から給電して、カバー開口部8内の導体パターン7の両面に、電解めっき層12を形成し、電解めっき層12と金属基板2とが導通するように、基板開口部11内に金属充填層14を形成する。 (もっと読む)


【課題】 高い再現性をもってナノメートル単位でのヘッドの位置の制御を行うことができるとともに、スキュー角θを解消してサイドライティングの発生を抑制し、さらに、スキュー角θをゼロにするための装置として応答性に優れた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 ディスク状の磁気記録媒体2と、磁気記録媒体2にデータを記録/再生するヘッド3と、ヘッド3を固設して磁気記録媒体2上におけるヘッド3の記録再生位置を微調整するための微動アクチュエータ4と、微動アクチュエータ4を保持するためのアーム部5と、アーム部5を移動させるための粗動アクチュエータ6と、を含む構成の磁気記録再生装置1であって、粗動アクチュエータ6によって移動するヘッド3の動線は磁気記録媒体2の半径上で直線であり、微動アクチュエータ4によるヘッド3の記録再生位置の微調整は粗動アクチュエータ6と同じ方向に移動して行う。 (もっと読む)


【課題】 ハードディスク装置のための外部ワイヤレス積層サスペンションを開示する。
【解決手段】 一つの実施形態として、外部ワイヤレス積層サスペンションは、第一及び第二電路を導電性支持層から電気的に絶縁する絶縁層を持っている。第二電路は第一電路と交差する。第一電路は、第二電路の一端の第一部分と電路の他端の第二部分から出来ている。導電域は、支持層にパターン化される。導電域は、第一電路の第一部分と第二部分を電気的に接続する。第一電路が持つ交差点の数は、第二電路が持つ交差点の数に等しい。 (もっと読む)


【課題】
アームを加工することなく、簡単な構成にてトレースを配することができるディスク装置及びアーム・コイルサポート・アセンブリを提供する。
【解決手段】
ヘッドとFPCとを接続するトレース118は、アーム111a、111bのディスクの記録面に対向する面とは反対側の反対面上に沿って配され、アーム111a、111bを支持すると共にVCMコイルを保持するコイルサポート112とアーム111a、111bとの結合部近傍にて略垂直方向に折り曲げられFPCと接続される。コイルサポート112は、トレース118が挿入される間隙231と、トレース118が配される面とは間隙231を隔てて設けられる押さえ部232とを有する押さえ機構230を有し、この押さえ機構230により、折り曲げによるアーム111a、111bの反対面からのトレース118の浮き上がりを防止する。 (もっと読む)


第1のエッチングプロセスによってエッチングできるばね金属層上の導体を有するタイプの一体型リードヘッドサスペンションたわみ部の製造方法である。本方法には、ばね金属層の主面上において、誘電体材料の1つまたは複数のフライングリード領域にギャップを有するパターン層を形成することと、誘電体材料上、および各フライングリード領域のギャップにおける露出したばね金属の上を始めとして、たわみ部上に1つまたは複数の導電性リードを形成することと、が含まれる。少なくとも導電性リードのフライングリード部は、第1のエッチングプロセスに耐性がある導電性材料から形成される。本方法にはまた、ばね金属層のフライングリード領域をエッチングし、フライングリード領域におけるばね金属層の一部を除去し、かつ導電性リードのフライングリード部を露出することが含まれる。
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ハードディスクドライブ中に使用するためのエッチングされた誘電体膜。この誘電体膜は、支持金属基板に取り付けられたときに約25μm以上の厚さを有し、後に約20μm以下の厚さまでエッチングされる。
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マイクロアクチュエータのストロークと周波数応答を試験するシステム及び方法を開示している。動的パラメータテスタにより、磁気記憶媒体の無雑音部分上に2つの同心トラックを書き込む。2つの同心トラックの間に磁気読み出し/書き込みヘッド及びマイクロアクチュエータを配置する。2つの同心トラックから信号を読み出しつつ、第1周波数において初期発振電圧をマイクロアクチュエータに印加する。読み出し信号に部分的に基づいてマイクロアクチュエータのストローク特性を算出する。初期発振電圧は、以前の試験から判定される。マイクロアクチュエータの第1ストローク特性は、第1信号の時間平均振幅に基づいている。2つの同心トラックは、既定のピッチで書き込まれる。 (もっと読む)


【課題】 磁気ヘッドのコイルや上下磁気コアの発熱による劣化と、温度上昇によって熱膨張し突出する磁気コア、磁気シールド、絶縁層が、磁気記録媒体と接触することとを合わせて対策し、高記録密度を可能にするための新規な磁気ヘッドの構造と、かかる磁気ヘッドを用いた高性能の磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 磁気ヘットからサスペンションへ、磁気ヘットから周囲の空間へ、あるいはサスペンションへ効率よく放熱する構造を備えた磁気ヘッドアッセンブリとし、さらに筐体内部から筐体外部へ効率よく放熱する構造を備えた磁気記録装置とする。 (もっと読む)


【課題】 ディスク装置において、回転する記憶ディスクの周辺の気流がアクチュエータに及ぼす振動等の影響を、安価かつ容易に搭載できる気流調整機構によって効果的に抑制する。
【解決手段】 ディスク装置10は、アクチュエータ20の複数のサスペンションアーム26における所望の輪郭部分をそれぞれに被覆する複数の薄膜部材36を備える。各薄膜部材36は、対応のサスペンションアーム26に設けた慣性モーメント低減用貫通穴の周辺の輪郭部分を被覆してアーム表面に固着され、それにより貫通穴を遮蔽する。薄膜部材36は、サスペンションアーム26の貫通穴周辺の輪郭部分を実質的に平滑化し、高速回転中の記憶ディスク16の周辺に生じる気流を、この輪郭部分に沿って円滑に案内する。それにより、気流が安定化し、アクチュエータ20に及ぼされる振動等の影響が抑制される。 (もっと読む)


【課題】 アクチュエータとヘッドスライダとの接着処理が容易となり、接着強度、共振周波数及び変位量特性に劣化が少なくかつそれらのばらつきが少ない、微小位置決め用アクチュエータに接着されるヘッドスライダ、このヘッドスライダを備えたHGA、ヘッドスライダとアクチュエータとの接着方法、ヘッドスライダの製造方法及びHGAの製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも1つのヘッド素子を有しており、この少なくとも1つのヘッド素子の微小位置決めを行うためのアクチュエータに接着されるヘッドスライダが、アクチュエータとの接着部に、接着剤を流し込むための少なくとも1つの凹部を備えている。 (もっと読む)


【課題】 共振周波数を高めることができ、風乱特性を向上させることができ、Z方向への耐衝撃性を高めることができ、さらに、荷重の公差を小さくすることができしかも製造工程が簡易となるサスペンション及びこのサスペンションを備えたHGAを提供する。
【解決手段】 ロードビームと、このロードビームに固着されており、少なくとも1つのヘッド素子を有するヘッドスライダの浮上姿勢を決めるためのフレクシャと、フレクシャのヘッドスライダを支持する部分に設けられておりヘッドスライダへの荷重を調整するための荷重調整機構とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 高速信号伝送時のクロストークを軽減できる同軸配線構造を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる支持基板(10)上に第1の絶縁層(20)が形成され、この第1の絶縁層上に回路配線(30)が形成される。この回路配線の周囲は第2の絶縁層(40)によって覆われ、更に第1および第2の絶縁層の周囲はシールド層(50)によって覆われる。このことにより、回路配線(30)を中心導体とし、また支持基板(10)とシールド層(50)を外部導体とした同軸構造が実現される。 (もっと読む)


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