説明

Fターム[5D789KA14]の内容

光ヘッド (64,589) | 光検出素子(光出力モニタ用を除く) (2,372) | 細部の構成 (1,168) | 受光面 (1,007)

Fターム[5D789KA14]の下位に属するFターム

Fターム[5D789KA14]に分類される特許

1 - 20 / 23


【課題】 複数の信号記録層が設けられている光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行う光ピックアップ装置において生じる迷光による問題を解決する。
【解決手段】 信号記録層にレーザー光を集光させる対物レンズ9と、レーザー光が入射されるとともに0次光であるメインビーム、+1次光及び−1次光であるサブビームを生成させる回折格子2と、信号記録層から反射されるサブビームが照射されるとともにトラッキングエラー信号を生成し、且つ4分割センサーにて構成された第1及び第2のサブビーム用受光部と信号記録層から反射されるメインビームが照射されるとともに再生信号及びフォーカスエラー信号を生成し、且つ4分割センサーにて構成されたメインビーム用受光部とより成る光検出器11を備え、第1、第2サブビーム用受光部及びメインビーム用受光部の形状を八角形にする。 (もっと読む)


【課題】 多層光ディスクの記録再生において、入射光が非対象層に焦点を結ぶような位置近傍に対物レンズがある時、光検出器上で集光反射光が球面収差により広がってしまう。これによりフォーカスエラー信号の検出において、情報記録層が存在しない位置で広がった光が検出器に漏れこみ、偽のピークを発生する。この偽ピークは、対象層移動時に誤動作を生む可能性がある。
【解決手段】 光ディスクからの反射光を分割と回折させる回折光学素子中の領域のうち、FEを検出する領域において、球面収差により光スポットが広がる方向θを定義し、FEを検出する受光部の短冊長辺方向の傾きを0≦φ≦2θとすることで、広がったスポットが受光部に照射するのを低減する。 (もっと読む)


【課題】
専用RF受光面を併設した光ディスク装置において、S/Nの良い再生信号を得られるよう、帯域合成により合成RF信号を得る方法を用いた際、高倍速再生において生じやすい、遅延時間差や感度差による波形歪を防ぐ。
【解決手段】
感度や倍速の切替えに応じて、合成する2系統のRF信号の遅延時間差や感度誤差を補正するための、遅延時間調整手段や、感度調整手段、合成方法を切替えるための切替手段を設ける。またそれら調整/切替のための情報保持手段を設ける。 (もっと読む)


【課題】光ディスクから再生されるRF信号のSN比の悪化を抑制し、高密度な光ディスクを高速に駆動可能な光ディスク装置のための光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】光ピックアップ装置1Aは、光ディスクに照射される光ビームの反射光を検出して電流信号を出力する光検出部と、電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換部とを備える。光検出部は、反射光上における光ディスクの円周接線方向の仮想直線と光ディスクの半径方向の仮想直線とを分割線として4分割された4分割受光部101〜104と、光検出部と反射光との相対的な位置を検出する2分割受光部105〜110とを含む。4分割受光部101,103は一体構造となっており、4分割受光部102,104は電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】受光素子におけるアノード抵抗を低減し、分割された隣合うフォトダイオード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】第1導電型の半導体基板(52)または第1導電型の半導体層と、この第1導電型の半導体基板(52)または半導体層に形成された第1導電型の分離領域(55)とを有する。また、第1導電型の半導体基板(52)または半導体層に形成され、分離領域(55)で分離された複数の第2導電型の半導体層(53A,53B)と、分離領域及び複数の第2導電型の半導体層を含む受光領域)61)上に形成された反射防止膜(57)を有する。さらに、第1導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜(57)を構成する上層膜(59)で被覆されて分離領域(55)の表面に沿って形成されたシリサイドによる第1電極(64)を有する。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオード形状に依存せず、加算出力を維持したまま、周波数特性を向上させることの可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板10および半導体層11によってPN接合型のフォトダイオードが構成されている。半導体層11の上面には反射防止膜12が形成され、反射防止膜の上には受光面1Aに対応して開口部13Aを有する層間膜13が形成されている。反射防止膜12は、第1絶縁膜12Aおよび第2絶縁膜12Bを積層してなる積層構造を有しており、第1絶縁膜12Aには開口部13Aの端縁13Bに沿って延在する溝部12Cが設けられている。溝部12Cの底面には半導体層11が露出しており、溝部12Cにはシリサイドを含んで構成されたカソード電極14が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 信号記録層に記録されている信号の再生動作を行う場合に信号記録層から反射される不要光がフォーカシング制御動作に悪影響を与えるという問題がある。
【解決手段】 光ディスクの信号記録層にレーザー光を集光させる対物レンズ8と、レーザー光が入射されるとともに0次光であるメインビーム、+1次光及び−1次光であるサブビームを生成させる回折格子2と、信号記録層から反射されるサブビームが照射されるとともにトラッキングエラー信号を生成し、且つ4分割センサーにて構成されたサブビーム用受光部と信号記録層から反射されるメインビームが照射されるとともに再生信号及びフォーカスエラー信号を生成し、且つ4分割センサーにて構成されたメインビーム用受光部より成る光検出器10を備え、サブビーム用受光部の受光面積をメインビーム用受光部の受光面積より小さくする。 (もっと読む)


【課題】1つの対物レンズにより複数の光ディスクを記録/再生する光ヘッドでは、検出系の色収差と3波長の光路分岐に課題があり、光学系が複雑で安価な光ヘッドを構成できない。本発明は、これを解決した光学系と、それを用いた光ヘッド、及びこれらを応用した装置、システムを提供することを目的とする。
【解決手段】本光ヘッドは、3波長を用いた光学系において、コリメートレンズと検出用の収束レンズとを兼用するため、波長の違いで発生する検出スポットの位置ずれを、コリメートレンズの移動により補正するとともに、3波長を発散光中で光路分岐するビームスプリッタを、設計波長の異なる2群の光学多層膜で実現した。これにより、光学系を簡素化した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、クロストーク特性の悪化を招くことなく、各受光領域間のリーク電流を改善する受光素子、この受光素子を備える光ディスク装置、受光素子の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る受光素子1は、分離領域2を介して第1受光領域4a及び第2受光領域4bを互いに隣接させて形成し、これらの領域4a、4b上に反射防止膜5を形成した受光素子1において、第1受光領域4aと第2受光領域4bとの間の分離領域2上に導電膜6を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡便かつ廉価な構成で光の強度分布を測定する機能を持ち、計測波長帯の選択性を持った光検出器を提供する。
【解決手段】増感色素が塗布された透明半導体電極部11と対向電極部12と、両者に挟まれたバッファ層13とからなる透過型光検出器で、対向電極部または透明半導体電極部が複数の電極セルに分割されて構成される。この光検出器によれば、増感色素で吸収される波長帯の光の一部を用いて、光電変換を行い、波長選択性を持った光検出器をコンパクトな構成で実現することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体LDから出射される光に基づいて半導体LDの発光パワーを制御する半導体レーザ装置において、安定して半導体LDの発光パワーを制御することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】後方に異なる波長の後方出射光105および107を出射すると共に前方に光を出射する半導体LD104と、後方出射光105および107が入射され、後方出射光105および107を光電変換する受光部103を有する半導体基板101と、後方出射光105および107が入射される受光部103表面に位置する反射防止膜109とを備え、反射防止膜109の膜厚は、後方出射光105が入射する部分と、後方出射光107が入射する部分とで異なる。 (もっと読む)


本発明は、透過で作動する近接場での検出用の光学部品からなる。この光学部品は、複数の周期(p)にわたって互いに続く回折微細構造(11a)の少なくとも1つの網(11)を形成する少なくとも一部分(11b)を含み、物体がある波長を有する放射を反射または放出したとき、この網(11)は、部品と近接場に位置する物体(12)との間で生じるエバネッセント波(16)を、回折微細構造(11a)の網(11)を形成する部分(11b)を通じて透過中の回折効果によって伝搬波(16')に変換することができる。網(11)の周期(p)は、放射波長と同じオーダーである。近接場で検出装置とともに使用するのに適している。
(もっと読む)


【課題】 光検出器の上部構造層をエッチングする際に、受光部面の平坦性を高くする必要がある。
【解決手段】 基板上に積層した下地層、受光部パッド、上部構造層に開口部を形成する集積回路製造方法であって、前記上部構造層と前記受光部パッドとの選択比が高いエッチング条件により、前記上部構造層及び前記受光部パッドをエッチングする受光部パッドエッチング工程と、前記受光部パッドエッチング工程後、前記受光部パッドと前記下地層との選択比が高いエッチング条件に切り替え、前記受光部パッド及び前記下地層をエッチングする下地層エッチング工程を行う。これにより開口部の底面の平坦性の向上が図られ、受光部面内での入射光量の均一性を向上させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】、入力光強度に対する検出精度と高速応答特性を両立することができる受光用の半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、光ディスク2を駆動する光ディスク装置1に用いられる受光用の半導体装置であって、光ディスク2に照射された光信号を検出し、当該検出した光信号を電気信号に変換して出力する光ピックアップ装置10と、当該光ピックアップ装置10によって出力された電気信号を増幅する光量検出回路11とを備え、光ピックアップ装置10は、受光感度の異なる複数の受光素子を有し、光量検出回路11は少なくとも一つ若しくは同じ増幅特性を有する二つ以上の増幅器を有するものである。 (もっと読む)


【課題】コリメートレンズの位置情報をリアルタイムで得ることのできる光ピックアップを提供する。
【解決手段】コリメートレンズ位置検出用の光検出器6によって、コリメートレンズ出射光束20の平行度を検出することにより、コリメートレンズ2と光源1との間隔の情報をリアルタイムで得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ホログラムメモリシステムにおいて、光学ヘッドの小型化やコストダウンを実現する。
【解決手段】記録媒体116におけるホログラムが記録されている情報記録層に記録再生用の緑色レーザ光を照射するとともに、サーボ制御用の赤色レーザ光を記録媒体116の反射膜に照射する光学系と、緑カラーフィルタを積層した第一の画素群と赤カラーフィルタを積層した第2の画素群とを有する受光素子119と、記録媒体116からのホログラム再生光とサーボ情報戻り光とを受光素子119に入射させる光学系とを設け、受光素子119においてホログラム再生光とサーボ情報戻り光とを分離して検出する。 (もっと読む)


【課題】発光素子から出射された光の一部であるパワーモニタ用の光の乱反射を抑えることができるようにする。
【解決手段】光集積素子に設けられるパワーモニタ光検出用PD33は、パワーモニタ光の照射範囲であるスポットの中心付近の、比較的強度の高い光を多く受光することができる受光面のサイズと位置を確保する形でPD-IC上に配置されるが、受光面のサイズを制限するアパーチャの一部がPD(追加PD81と82)で構成される。追加PD81と82においては、パワーモニタ光検出用PD33では受光できないパワーモニタ光の部分が受光される。本発明は、発光素子から出射された光の一部を検出して発光素子の出力制御に用いるディスク駆動装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】短波長化された光源に対しても受光感度が低下することなく、かつ応答速度が低下しない光検出素子を提供する。
【解決手段】強誘電体表面に遮光性を有する電極21を設けて、所定の光強度の複数の単位領域と該複数の単位領域よりも光強度が小さい領域とに分割し、電極間にバイアス電圧を印加することで光強度の大きな部分においてのみ分極変化を起こすことで変位電流を生じさせる構成とすることで、高い受光感度を有した高い応答速度の光検出器とする。 (もっと読む)


【課題】2波長半導体レーザ光源を用いてもDVDの出力を従来よりも大きくすることのない光ピックアップおよび光ディスク装置を提供することを目的とする。
【解決手段】波長λ1のレーザ光を出射する発光点1aと波長λ2(λ1<λ2)のレーザ光を出射する発光点1bを近接して設けたレーザ光源1と、波長λ1のレーザ光および波長λ2のレーザ光を1ビーム法トラッキング制御用の信号のための光束とフォーカス制御用の信号のための光束に分離するホログラム5aと、ホログラム5aで分離された光束の各々を検出する光検出面を有する受光センサ8とを備えた光ピックアップとした。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、2波長マルチレーザを搭載した光ピックアップにおいて、干渉による光量変動がない、高精度なトラッキングエラー信号とフォーカシングエラー信号の生成を実現する光検出器、回折格子、光ピックアップ、光ディスク装置を提供することを目的としている。
【解決手段】
上記課題を解決するため、第1の波長のレーザ光源から出射され3本に分岐された光ビームをそれぞれ受光する直線状に配置された3個の受光領域と、第1の波長よりも長波長である第2の波長のレーザ光源から出射された光ビームをそれぞれ受光する直線状に配置された3個の受光領域と、を備える。第1の波長の光ビームを受光する3個の受光領域のうちの両端の受光領域の距離は、第2の波長の光ビームを受光する3個の受光領域のうちの両端の受光領域の距離よりも長いことを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 20 / 23