【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＮｄ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.216＜α＜0.385，0.064＜β＜0.146，0.181＜γ＜0.312，0.321＜δ＜0.386、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表わされ、０≦ｘ≦０．２０，０≦ｙ≦０．４０，０．００１≦ａ≦０．２０を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、このぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させる。
また、（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表されるぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対し、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、各元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有させる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり、端子電極とセラミック素体との固着強度に優れるセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明は、金属成分を含有する内部電極が埋設されたセラミック素体１と、内部電極が露出するセラミック素体の両端面１１をそれぞれ覆うように設けられる一対の端子電極３と、を備えるセラミック電子部品１００であって、端子電極３は、セラミック素体１側から第１の電極層と、導体グリーンシートを焼付けて形成される第２の電極層と、を有し、第２の電極層が内部電極から拡散した金属成分を含有するセラミック電子部品１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに組成物を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜５００℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い５００〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにすることを特徴とする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】小型であっても視認性が高くかつ機械的強度の高いチップ型電子部品、ならびに、外部電極の破壊を防止でき、かつセラミック本体を大きくできるチップ型電子部品を提供することである。
【解決手段】セラミックからなる絶縁層と導体層とが交互に積層されたセラミック本体により構成され、前記セラミック本体の積層方向における少なくとも１つの面が凸状に湾曲する第１湾曲面であり、前記セラミック本体の積層方向における膨張率が絶対値で５％より大きい、チップ型電子部品である。前記第１湾曲面の曲率半径が５．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 優れた高温負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層５とニッケルを導体材料とする複数の内部電極層７とが交互に積層されたコンデンサ本体１と、該コンデンサ本体１の前記内部電極層７が露出した端面に設けられた外部電極３とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９と、該主結晶粒子間に存在する粒界１１とを有する焼結体からなり、前記粒界１１にＢａＴｉＳｉＯ化合物結晶相１２を有する。 （もっと読む）

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】端子電極同士の短絡を十分に抑制することが可能な構造を有するアレイ型のセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】複数のセラミック層が積層されるとともに内部電極が埋設され、積層方向に互いに対向する第１の面２，３を有するセラミック素体１と、第１の面２，３に直交するセラミック素体１の第２の面４〜７に帯状の端子電極１１〜１８と、を備えるアレイ型のセラミック電子部品Ｃ１であって、端子電極１１〜１８は、中央部が第２の面４〜７に配置されるともに、両端部が第１の面２，３のそれぞれに回り込むように設けられており、第１の面２，３を積層方向から見たときに、第１の面２，３における端子電極１１，１２，１３，１４，１７，１８の端部の外形が正方形及び長方形とは異なる多角形であるセラミック電子部品Ｃ１。 （もっと読む）

【課題】素子本体の表面強度を高めて耐湿性を向上させ、かつ構造欠陥が抑制されたセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体層を備える素子本体を有するセラミック電子部品であって、誘電体層が、一般式ＡＢＯ_３（ＡはＢａを含み、ＣａまたはＳｒを含んでもよい、ＢはＴｉを含み、ＺｒまたはＨｆを含んでもよい）で表される化合物を含み、素子本体１０は、内部１２と内部を覆う表層部１１とから構成されており、表層部１１は、素子本体１０の表面からの深さが１０μｍまでの領域であり、表層部１１におけるＡとＢとのモル比（Ａ／Ｂ）をＡＢ１とし、内部１２におけるＡとＢとのモル比（Ａ／Ｂ）をＡＢ２としたとき、０．９９２≦ＡＢ１／ＡＢ２≦０．９９８である。ＡＢ１／ＡＢ２の値は、非水溶性バインダ樹脂に対する水溶性バインダ樹脂の割合を変化させることで制御できる。 （もっと読む）

【課題】たとえば積層セラミックコンデンサのようなセラミック電子部品の外部端子電極をめっきにより形成するとき、不所望な箇所にまでめっき成長が生じてしまうことがある。
【解決手段】部品本体２が与えるセラミック面が、たとえばチタン酸バリウム系セラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域１１と、たとえばジルコン酸カルシウム系セラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域１２とを有するようにする。外部端子電極の下地となる第１層１３を構成するめっき膜は、内部電極５および６の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させつつ、しかも良好なＤＣバイアス特性を示す誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡＢＯ_３（ＡはＢａを含み、ＣａまたはＳｒを含んでもよい、ＢはＴｉ）で表される化合物と、Ｚｒ酸化物と、希土類元素酸化物と、Ｍｇ酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物中に、誘電体粒子と結晶粒界とが存在し、結晶粒界２１におけるＲ元素量の最大値をＲｍａｘとし、誘電体粒子２０において、Ｒｍａｘの５０％以上である領域を拡散領域２０ｂ、それ以外の領域を中心領域２０ａとし、拡散領域２０ｂでのＺｒ量をＺｒ１、結晶粒界２１でのＺｒ量をＺｒ２としたとき、Ｚｒ１／Ｚｒ２≧１．５である関係を満足する誘電体粒子の割合が、誘電体粒子全体に対して５０％以上である。上記の関係は、Ｍｇ−Ｚｒ−Ｏ固溶体を予め作製し、これを含む原料を焼成することで達成される。 （もっと読む）

【課題】誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックを、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子が、シェル部とコア部とを備え、副成分として、Ｒ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、および、Ｍ（Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｏ，ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）を含み、ＲおよびＭは、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子のシェル部に存在するとともに、ＲおよびＭの合計濃度が、粒界からコア部に向かって勾配を有し、かつ、極小となる部分Ｃ２と、極大となる部分Ｃ３とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大容量の大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供する。
【解決手段】第一電極４、誘電体層６、第二電極７を備えた電気エネルギー蓄積装置１において、第一電極４と誘電体層６との間および第二電極７と誘電体層６との間に、金属の微粒子５ａにより構成された微粒子層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れた高温負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層５とニッケルを導体材料とする複数の内部電極層７とが交互に積層されたコンデンサ本体１と、該コンデンサ本体１の前記内部電極層７が露出した端面に設けられた外部電極３とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９と、該主結晶粒子９間に存在する粒界相１１とを有する焼結体からなり、前記誘電体層５と前記内部電極層７との間に、マグネシアが固溶した酸化ニッケルの結晶相１２を有する。 （もっと読む）

【課題】 低ＥＳＬ化できるコンデンサを提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層２が積層されて成る、第１側面Ｓ１，第２側面Ｓ２を有している直方体状の積層体３と、積層体３の誘電体層２間に交互に配置された第１内部電極４，第２内部電極５と、第１側面Ｓ１にそれぞれ配置された第１外部電極６，第２外部電極７と、第２側面Ｓ２にそれぞれ配置された第３外部電極12，第４外部電極13と、積層体３上面に、第１外部電極６と第３外部電極12とを接続して配置された第１接続電極14と、積層体３上面に、第２外部電極７と第４外部電極13とを接続して配置された第２接続電極15と、第１内部電極４から引き出されて第１外部電極６，第３外部電極12に接続された第１引出部10，第３引出部16と、第２内部電極５から引き出されて第２外部電極７，第４外部電極13に接続された第２引出部11，第４引出部17とを具備しているコンデンサ１である。 （もっと読む）

【課題】銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上には、（１１１）の一軸配向性を有するＣｕ下部電極１４が形成される。該Ｃｕ下部電極１４上に、ペロブスカイト型誘電体のナノ粒子の単分散スラリーをスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気で乾燥させる。その後、還元性雰囲気で熱処理を行うことにより、ナノ粒子をＣｕ下部電極１４上でエピタキシャル成長させて一軸配向性を有する誘電体薄膜１６を形成する。該誘電体薄膜１６に上部電極１８を形成すると薄膜キャパシタ１０が得られる。この製造方法によれば、Ｃｕ下部電極１４に与えるダメージが少なく変質・変形を抑制できるため、該Ｃｕ下部電極１４上に形成される誘電体薄膜１６の膜質の維持が可能になるとともに、少ない工程で高結晶性の誘電体薄膜１６の作製が可能となる。 （もっと読む）

【課題】５００以上の誘電率εを得ながら、１２０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層３を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である）を主成分とし、前記（x，y，z）が、点Ａ（0.70，0.00，0.30）、点Ｂ（0.69，0.02，0.29）、点Ｃ（0.55，0.10，0.35）、点Ｄ（0.35，0.15，0.50）、点Ｅ（0.50，0.00，0.50）で構成される五角形ＡＢＣＤＥに囲まれる領域内にある（点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、および線分ＡＥ以外の線分を含む）。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含有し、ＢａＴｉＯ_３１００モルに対して、ＲＡ酸化物（ＲＡは、Ｄｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）をＲＡ_２Ｏ_３換算で０．９〜２．０モル、ＲＢ酸化物（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）をＲＢ_２Ｏ_３換算で０．３〜２．０モル、Ｙｂ酸化物をＹｂ_２Ｏ_３換算で０．７５〜２．５モル、Ｍｇ酸化物をＭｇ換算で０．５〜２．０モル、ＢａＴｉＯ_３１００モルに対するＲＡ酸化物の含有量（α）、ＲＢ酸化物の含有量（β）およびＹｂ酸化物の含有量（γ）が、０．６６≦α／β≦３．０、０．８≦（α＋β）／γ≦２．４である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板上に誘電体を形成するための、耐熱基板上に形成された誘電体構造と、その誘電体膜の非耐熱性基板上への剥離転移プロセスを提供する。
【解決手段】第１基板５と、第１基板５上に形成された酸化膜４と第１電極層３と、第１電極層３上に形成された誘電体層２と、を有する誘電体構造体１において、第１基板５と第１電極層３との間に、第１基板５上の少なくとも一部を覆うように形成されたＴｉ等による結合層６を有する。形成後の誘電体内の残留応力に応じて、界面の機械特性を最適化することで、誘電体層２および電極層３が、形成過程では、耐熱性基板から剥離せず、転移過程において、剥離するような界面の剥離特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシートにクラックが発生することなく、高精度に配線パターンが形成された薄型化が可能な配線パターン付きセラミックグリーンシートの製造方法を提供する。
【解決手段】吸着テーブル３の上に配線パターン形状の貫通部21を有する板状体２を載置するとともに、板状体２の上にセラミックグリーンシート１を載置し、貫通部21からセラミックグリーンシート１を吸引してセラミックグリーンシート１に配線パターン形状の凹部11を形成した状態で、凹部11に導体ペースト４を充填するとともに凹部11に充填された導体ペースト４を乾燥して配線パターンを形成した後、セラミックグリーンシート１の吸引を解除することを特徴とする配線パターン付きセラミックグリーンシートの製造方法である。 （もっと読む）