【課題】結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ又はＰｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、基体上に複合酸化物膜形成用塗布剤を塗布する塗布工程と、この基体上の塗膜にマイクロ波を照射して焼成する焼成工程とを含み、複合酸化物膜形成用塗布剤が、β−ジケトンを配位するチタン化合物と、β−ジケトンを配位するＡサイトの金属元素を含む化合物との溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（たとえば、２０〜３５０℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ａ（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３−ｂＢａＴｉＯ_３で表される化合物を有し、前記ａ、ｂおよびｘが、ａ＋ｂ＝１、０．６２≦ａ≦０．８０、０≦ｘ≦０．５６の関係を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｕ−ｖ−ｗ}，Ｃａ_ｕ，Ｍｇ_ｖ，Ｓｒ_ｗ）_α（Ｔｉ_１−ｘ，Ｚｒ_ｘ）Ｏ_３の組成式で表わされる主成分と、酸化ニッケルと、酸化セリウムと、酸化マンガンと、を有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のｕが０．２０〜０．２７であり、前記組成式中のｖが０．０１８〜０．０４９であり、前記組成式中のｗが０．００４〜０．０１８であり、前記組成式中のｘが０．１１８〜０．１４９であり、前記組成式中のαが０．９５〜１．０２であり、前記酸化ニッケルを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有し、前記酸化セリウムを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有し、前記酸化マンガンを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】セラミック層と電極とを有するセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック層がＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる１つ以上、ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる１つ以上）で表される主成分および添加成分を含む誘電体磁器組成物から構成され、主成分の原料粉体と、添加成分に含まれる金属元素のうち、少なくとも一部の金属元素のゲル状化合物スラリーまたは少なくとも一部の金属元素の溶液とを準備する工程と、主成分の原料とゲル状化合物スラリーまたは溶液とを分散して原料混合物を得る工程と、原料混合物を乾燥する工程と、乾燥後の原料混合物を熱処理する工程とを有する。ゲル状化合物スラリーまたは溶液としては、ゲル状水酸化物スラリーまたは水溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】副成分の大部分が、ＢａＴｉＯ３粒子の表層に近い部分のみに存在し、粒子中央付近にはほとんど存在しない、表層が改質された構造を有し、容量温度特性が良好で、信頼性(絶縁抵抗(ＩＲ)の高温負荷寿命)に優れたセラミックコンデンサを実現することが可能なチタン酸バリウム系セラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ₃粒子をエッチングすることにより、ＢａＴｉＯ₃粒子表層のＢａを溶出させて、Ｔｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子とし、このＴｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子に、Ｃａ，Ｓｒ，およびＭｇからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物（副成分）を添加し、Ｔｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子と反応させる。
溶解した状態の副成分をＴｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子と反応（固液反応）させる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性が良好で、かつ耐熱衝撃性が良好な積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサは、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とする誘電体セラミック層６ａ〜６ｇと、Ｎｉを主成分とする内部電極２ａ〜２ｈとが交互に積層されている。そして、少なくともＭｇ及びＬｉを含有した結晶性酸化物が、内部電極２ａ〜２ｈ及び誘電体セラミック層６ａ〜６ｇのうちの少なくともいずれか一方に存在している。前記結晶性酸化物は、大部分が内部電極２ａ〜２ｈ中のＮｉに接しているのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高電界強度の電圧が印加されても良好な誘電特性を有し、高温負荷試験の寿命特性が優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、主成分としてＡＢＯ₃（ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）を含み、副成分としてＣａＣｕ₃Ｔｉ₄Ｏ₁₂を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】内部電極層がセラミック層を介して積層された構造を有する積層セラミック電子部品において、内部電極に卑金属を用いた場合のように、焼成工程で内部電極が酸化されたり、内部電極層を構成する金属が玉化したりするおそれがなく、良好な特性を有する積層セラミックコンデンサ、積層正特性サーミスタなどの積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極層を構成する電極材料として、Ｌａ，Ｎｉを主体とする低抵抗酸化化合物を用いる。
セラミック積層体を構成するセラミックとしてＢａＴｉＯ₃系セラミックを用いる。
セラミック積層体を構成するセラミックとして、ＢａＴｉＯ₃系誘電体セラミックを用いて積層セラミックコンデンサを構成する。
セラミック積層体を構成するセラミックとして、ＢａＴｉＯ₃系半導体セラミックを用いて積層正特性サーミスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】１μｍ未満に薄層化した場合であっても、高温負荷特性と静電容量の温度特性とが両立可能な誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサの実現。
【解決手段】結晶構造が異なる第１の結晶粒子１と第２の結晶粒子２とが混在した混晶系構造を有している。主相粒子はチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ｌａ、Ｃｅ等の特定の希土類元素を含有している。第１の結晶粒子１は、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶していない主相粒子単独領域３と、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶した表層部の希土類元素固溶領域４とからなる。第２の結晶粒子２は、コア・シェル構造を有し、シェル部６は特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶している。そして、第１及び第２の結晶粒子１、２の全結晶粒子に対する個数割合は、第１の結晶粒子１が１２〜８４％であり、第２の結晶粒子２は１６〜８８％とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が厚み１μｍ未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-x/100Ｃａ_x/100）_ｍＴｉＯ_３（０≦ｘ≦２０）で表わされる化合物を主成分とし、ａＭｇ−ｂＳｉ−ｃＭｎ−ｄＲ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種。ａ、ｂ、ｃおよびｄ［モル部］は、前記主成分１００モル部に対して、それぞれ、０．１＜ａ≦２０．０、０．５＜ｂ≦２０．０、０．１＜ｃ≦１０．０、および１．０＜ｄ≦３０．０である。）を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は２０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、希土類元素とを有するとともに、主結晶粒子が、コアシェル構造の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、カルシウムの濃度が０．３原子％より少ない第１の結晶粒子と、カルシウムの濃度が０．３原子％以上である第２の結晶粒子とを有するとともに、平均粒径が０．１５〜０．４μｍであり、コア部９ａの結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部９ｂの結晶構造が立方晶系であり、かつＸ線回折情報を基に算出した前記シェル部９ｂの平均厚みが５〜１５ｎｍである誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられ、高周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも誘電率温度特性に優れ、高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】酸化ストロンチウムをＳｒＴｉＯ_３換算で２９．３４〜４４．７０重量％、酸化ビスマスをＢｉ_２Ｏ_３換算で２２．５６〜２８．４８重量％、酸化チタンをＴｉＯ_２換算で２６．３６〜３０．２７重量％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で３．６１〜５．５６重量％、酸化ネオジムを、Ｎｄ_２Ｏ_３換算で、１．８６〜３．４２重量％、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．２１〜０．９９重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ_２換算で０．０６〜０．５０重量％含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム主成分とする結晶粒子９がカルシウムを０．４〜１．０原子％含有し、マグネシウム、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、該コア部９ａを取り囲み前記マグネシウムおよび前記希土類元素のうち少なくとも１種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部９ｂとからなり、Ｘ線回折情報を基に算出した該シェル部９ｂの平均厚みｔが５〜１５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されながら高い電界強度が付与されても、高温負荷寿命が長く、寿命ばらつきが小さく、大容量、高い電気絶縁性および良好な容量温度特性を得ることができる、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｍＴｉＯ_３＋ａＭｇＯ＋ｂＶＯ_５／２＋ｃＲｅＯ_３／２＋ｄＭｎＯ＋ｅＳｉＯ_２（Ｒｅは、Ｙ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種。）で表わされ、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、およびｍは、それぞれ、０．０５≦ｘ≦０．１５、０．０１≦ａ≦０．１、０．０５≦ｂ≦０．５、１．０≦ｃ≦５．０、０．１≦ｄ≦１．０、０．５≦ｅ≦２．５、および０．９９０≦ｍ≦１．０３０の各条件を満たすものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 外部電極の下地電極を緻密化してメッキ液の浸入を防止し、下地電極におけるガラス浮きおよびブリスタの発生を防止すること。
【解決手段】 外部電極２が下地電極２ａおよび下地電極２ａに被着された１層以上のメッキ層２ｂからなるセラミック電子部品１において、下地電極２ａは、平均厚みが５μｍ以上25μｍ以下である、銅，銀，ニッケル，パラジウムまたはこれらの合金からなる金属成分と、硼珪酸系ガラスからなる、質量比が金属成分に対して15％を超えて30％以下であるガラス成分とを含むことを特徴とするセラミック電子部品１である。下地電極２ａ中のガラス成分の金属成分に対する質量比が高くなるので下地電極を緻密化させつつ、下地電極２ａ中のガラス成分の総量を一定の値以下に抑制することができるので、下地電極２ａ中へのメッキ液の浸入を防止でき、下地電極２ａのガラス浮きおよびブリスタの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】セラミック層の表面に簡単に耐酸性処理を施すことが可能な積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、セラミック焼結体１００と内部電極２１０と外部電極２２０とを備える。セラミック焼結体１００は、容量取得部１１０と、容量取得部１１０の外側に形成される上層１２１と下層１２２とを有する。容量取得部１１０は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第一の化合物を主成分として含み、上層１２１と下層１２２は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第二の化合物を主成分として含む。第一の化合物における元素Ａはカルシウムを５０ｍｏｌ％以上含み、第二の化合物における元素Ａは、カルシウムを含まない、または、１０ｍｏｌ％以下含む。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、ＴｍおよびＬｕのうちの少なくとも１種）を含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＲｅの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＲｅ含有量の割合を５０％以上とし、Ｒｅの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＲｅ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）