【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極３，５の間に誘電体膜４が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜４は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲で含む。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の低下を抑制し且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設されたセラミックからなる部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、前記外部電極２０は、部品本体の外面に形成された第１の電極層２１と、第１の電極層２１の外面に物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成されてなり且つ部品本体１０内への水素の拡散を防止する保護層２２と、保護層２２の外面に電解メッキで形成された１層以上の第２の電極層２３，２４とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐湿性が良好で且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、前記外部電極２０は、物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成されてなり且つ導電性を有する水素バリア層２１を含む、複数の電極層からなる。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れる温度補償型の静電容量素子を提供する。
【解決手段】 静電容量素子１０は、基板２０と、基板２０の上に位置する第１コンデンサ３０と、基板２０の上に位置して第１コンデンサ３０と電気的に並列接続されている第２コンデンサ４０とを有し、第１コンデンサ３０は、第１下部電極３１と第１誘電体３２と第１上部電極３３とで構成され、第２コンデンサ４０は、基板２０側から順に第１下部電極３１と異なる材料からなる第１層４１ｘと、第１下部電極３１と同じ材料からなる第２層４１ｙとが積層されてなる第２下部電極４１と、第１誘電体３２と同じ組成の材料からなる第２誘電体４２と、第２上部電極４３とで構成され、温度が上昇する際の第１コンデンサ３０の静電容量の変化量と第２コンデンサ４０の静電容量の変化量とで変化の正負が異なっている。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】積層構造体において、高い耐湿性を実現すると共に電気特性の検査を可能にする。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の基材１、誘電体層２、第１電極層３１、第２電極層３２、及び保護膜４１を備えている。誘電体層２は、基材１の表面上に形成されている。第１電極層３１は、誘電体層２の表面上に形成されている。第２電極層３２は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１とは異なる領域Ｒ２上に、該第１電極層３１から離間させて形成されている。保護膜４１は、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。そして、保護膜４１は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１と第２電極層３２の形成領域Ｒ２とによって挟まれた領域Ｒ３を被覆している。一方、第１電極層３１の表面と第２電極層３２の表面とにはそれぞれ露出面３１ａ，３２ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】粉末噴射コーティング法又は蒸着法が用いられる積層構造体の製造方法において、誘電体層の誘電特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、積層構造体を製造する方法であって、工程（ａ）、工程（ｂ）、及び工程（ｃ）を有している。製造される積層構造体は、金属製の基材１と、該基材１の表面上に形成された誘電体層とを備えている。工程（ａ）では、粉末噴射コーティング法又は蒸着法を用いて、基材１の表面上に、誘電体層となる成膜層６を形成する。工程（ｂ）では、成膜層６の表面に焼結助剤を付着させる。工程（ｃ）は、工程（ｂ）の後に実行される。工程（ｃ）では、成膜層６に対して熱処理を施すことにより、誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐湿性が高く且つ工程負荷の小さなチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】 内部電極１１が埋設された略直方体形状の部品本体１０と、部品本体１０外面に形成され且つ前記内部電極１１と導通する外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極形成部以外の部品本体１０の外面には窒化珪素系薄膜３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】実装性を維持しつつ、素体から外部電極が剥離することを防止できる電子部品及びその電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１では、素体２の主成分を含有する第一電極層１１ａと、金属薄膜からなる第二電極層１２とを含んで外部電極３，４が形成されており、第一電極層１１ａは、主面２ｃ，２ｄの端面２ａ，２ｂ側に素体２と同時焼成されて形成されていると共に、その縁部１１ｅと素体２との間に隙間Ｓを形成しており、第二電極層１２は、第一電極層１１ａの縁部１１ｅを挟むように、端面２ａ，２ｂ及び第一電極層１１ａ上を覆うと共に隙間Ｓに形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に設けられた穴の内部に導電体と誘電体を配置することにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体において、穴をより深くしたり、穴の平面形状を複雑な形状とすることなく、導電体間の対向面積を増加させて容量値の増大が実現できるようにする。
【解決手段】穴２０は、シリコン基板１０の一方の主面に開口する有底穴であり、穴２０の内部にはシリコン基板１０よりなる突起２１が設けられ、穴２０の底面は、突起２１による凹凸面とされており、穴２０の内部では、穴２０の底面および側面に、これらの面側から第１の導電体３１、誘電体４０、第２の導電体３２が順次積層されているとともに、第１の導電体３１および誘電体４０は、突起２１による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。 （もっと読む）

【課題】ビルドアップ基板中に内蔵できるキャパシタを、エアロゾルデポジション法を使って形成する。
【解決手段】金属よりなる第１の基体上に第１のセラミック膜を形成する工程と、金属よりなる第２の基体上に第２のセラミック膜を形成する工程と、前記第１および第２のセラミック膜の一方の表面に銅よりなる第１の電極パタ―ンと第１のビアプラグパタ―ンとを、相互に離間して形成する工程と、前記第１および第２の基体を互いに押圧することにより、前記第１のセラミック膜と前記第２のセラミック膜とを、前記第１の基体と前記第２の基体とが押圧された状態で、前記第１の基体と前記第２の基体との間にパルス電圧を印加することにより、前記第１および第２のセラミック膜を、前記第１の電極パターンおよび前記第１のビアプラグパタ―ンを介して相互に接合する工程と、前記第２の基体を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】実装ミスを防止することのできる積層コンデンサ、及び積層コンデンサの実装構造を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ１において、回路基板１００などに実装されない接続導体４の最外層２１は、端子電極３よりもはんだ濡れ性の低い膜によって形成されており、視覚的にもはんだ濡れ性の良い端子電極３と識別することが可能となる。従って、積層コンデンサ１を回路基板１００などに実装する際は、目視によって接続導体４と端子電極３との識別が可能となるため、実装ミスを防止することができる。また、接続導体４の最外層２１は、はんだ濡れ性が低いため、誤って接続導体４を回路基板１００に実装しようとした場合であっても、はんだ付けを行うことができない。更に、端子電極３のはんだ付けの際のはんだブリッジ不良による実装ミスも防止することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに薄膜形成前駆体溶液を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜４５０℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い４５０〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上には、（１１１）の一軸配向性を有するＣｕ下部電極１４が形成される。該Ｃｕ下部電極１４上に、ペロブスカイト型誘電体のナノ粒子の単分散スラリーをスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気で乾燥させる。その後、還元性雰囲気で熱処理を行うことにより、ナノ粒子をＣｕ下部電極１４上でエピタキシャル成長させて一軸配向性を有する誘電体薄膜１６を形成する。該誘電体薄膜１６に上部電極１８を形成すると薄膜キャパシタ１０が得られる。この製造方法によれば、Ｃｕ下部電極１４に与えるダメージが少なく変質・変形を抑制できるため、該Ｃｕ下部電極１４上に形成される誘電体薄膜１６の膜質の維持が可能になるとともに、少ない工程で高結晶性の誘電体薄膜１６の作製が可能となる。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大容量の大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供する。
【解決手段】第一電極４、誘電体層６、第二電極７を備えた電気エネルギー蓄積装置１において、第一電極４と誘電体層６との間および第二電極７と誘電体層６との間に、金属の微粒子５ａにより構成された微粒子層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板上に誘電体を形成するための、耐熱基板上に形成された誘電体構造と、その誘電体膜の非耐熱性基板上への剥離転移プロセスを提供する。
【解決手段】第１基板５と、第１基板５上に形成された酸化膜４と第１電極層３と、第１電極層３上に形成された誘電体層２と、を有する誘電体構造体１において、第１基板５と第１電極層３との間に、第１基板５上の少なくとも一部を覆うように形成されたＴｉ等による結合層６を有する。形成後の誘電体内の残留応力に応じて、界面の機械特性を最適化することで、誘電体層２および電極層３が、形成過程では、耐熱性基板から剥離せず、転移過程において、剥離するような界面の剥離特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高容量でインピーダンス及びインダクタンスが小さく信頼性の高いキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔上に、エアロゾルデポジション法により、チタン酸バリウム系セラミックス材料の誘電体膜を形成し、誘電体膜に、金属箔に接続された第１のビア導体及び第２のビア導体を埋め込み、誘電体膜上に、第１のビア導体に接続された第１の電極パターンを形成し、金属箔をパターニングし、第２のビア導体に接続された第２の電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの電極形成に使用される離型層を必要としない転写信頼性の高い電極転写フィルムを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】基材のプラスチックフィルムの片面に金属膜が形成された電極転写フィルムの金属膜表面と、誘電体グリーンシート表面とを重ね合わせ、前記基材の他面側から加熱した金型で押圧し、前記誘電体グリーンシート表面に電極パターンの金属膜を転写して電極を形成する電極形成方法において、厚み１２〜３０μｍの２軸延伸ポリプロピレン樹脂フィルムからなる基材の表面にスパッタリング法により厚み０．５μｍ以下の金属膜が形成された電極転写フィルムを用い、前記電極転写フィルム側に位置して電極パターンを押圧面に備える金型の上型の温度を７０〜１００℃以内、グリーンシート側に位置する金型の下型の温度を５０〜８０℃以下に設定された金型を用いて押圧して電極パターンの金属膜を転写して電極を形成する電極形成方法。 （もっと読む）

【課題】超高容量の具現が可能でありながらも強度が高い積層セラミックスキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による積層セラミックスキャパシタの製造方法は、基礎誘電体層を形成する段階；前記基礎誘電体層の上面に内部誘電体層及び内部電極層を交互に蒸着した単位セラミックスキャパシタを形成する段階；及び前記単位セラミックスキャパシタを２層以上で積層する段階；を含む。 （もっと読む）