【課題】本発明は、大きな過電圧が印加されても抵抗体を保護することができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面において前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように設けられた抵抗体１３と、前記抵抗体１３を覆うように設けられたプリコートガラス層１４と、前記抵抗体１３およびプリコートガラス層１４に設けられた抵抗値調整用のトリミング溝１５とを備え、前記プリコートガラス層１４の上面に一対のギャップ電極１６を形成し、かつ前記一対のギャップ電極１６のそれぞれの一端部１６ａを互いに離間するように配置するとともに、前記一対のギャップ電極１６の他端部１６ｂと前記上面電極１２とを電気的に接続したものである。 （もっと読む）

【課題】側面電極同士の導通を防止することができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器は、上面の一方向と交差する他方向の両縁に一方向に延びる凹部１ａを有する絶縁基板２と、絶縁基板２の上面上に形成された抵抗体３と、抵抗体３と電気的に接続され、かつ絶縁基板１の上面上に形成された上面電極２と、上面電極２と電気的に接続されており、かつ絶縁基板１の一方向の両側面をそれぞれ覆うように形成された側面電極４と、凹部１ａ上に形成された隆起部５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電極部にＣｕメッキ層と半田層やＳｎメッキ層を形成する場合に、半田食われを防ぐとともに、密着性を向上させた電子部品の電極構造を提供する。
【解決手段】抵抗体１の裏面１０ｂに、互いに間隔を隔てた一対の電極部５０が設けられ、かつ一対の電極部５０間には絶縁層２Ａが設けられている。電極部５０は、電極層３と電極層３上に積層されたメッキ電極層とで構成される。メッキ電極層は、銅メッキ層３１、スズメッキ層３２、ニッケルメッキ層３３、スズを含むメッキ層３４を有している。 （もっと読む）

【課題】半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の裏面電極３は、セラミック基板２の裏面に固着された焼成銀からなる第１電極層３ａと、第１電極層３ａの中央部を横断する領域に積層された焼成銀からなる第２電極層３ｂとで構成されており、第２電極層３ｂの側面から第１電極層３ａの表面へ至る段差１２が形成され、メッキ層（ニッケルメッキ層９および半田メッキ層１０）の裏面電極３を覆う部分には段差１２と対応する段差１３が形成されている。したがって、このチップ抵抗器１が回路基板３０上に実装されると、裏面電極３とランド３１との間に介設される半田接合部（半田３２）の厚みが段差１３部分で増大し、第１および第２電極層３ａ，３ｂの境界部分に熱応力が集中する虞もないため、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低いものとなる。 （もっと読む）

【課題】調整できる抵抗値の範囲を広くすることができ、かつ高精度のトリミングが行えるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２、３を備えている。電極２と電極３は離間し、かつ対向して配置されている。抵抗体４の形状は、長方形に形成されている。また、抵抗体４は、電極２から電極３に渡って形成される。電極２と電極３の離間領域を覆っている抵抗体４の形状は、台形である。電極２と電極３の離間領域は、電極２と電極３が形成される延伸方向に段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。すなわち、電極２と電極３との間の経路の抵抗値が、抵抗体４の２辺の一方の辺から他方の辺に向かって段階的に増加するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】厚膜抵抗体組成物の導電成分として、ガラス結合剤に対して配合比を高めても、焼成膜の構造が強固で、静電気やサージ電流が負荷されても抵抗値変化が小さい板状酸化ルテニウム粉末とその製造方法、それを用いた厚膜抵抗組成物を提供する。
【解決手段】ルテニウム化合物とバリウム化合物の混合物を、酸化雰囲気かつ４００℃以上の温度で熱処理してルテニウムとバリウムの板状複合酸化物を合成する工程、次に、得られた板状複合酸化物に酸化ホウ素もしくはホウ酸を混合した後、５００℃以上の温度で熱処理を行って板状複合酸化物を板状の酸化ルテニウム粉末と酸化ホウ素と酸化バリウムの溶融物中に生成させる工程、得られた溶融物に溶剤を添加し、酸化ホウ素と酸化バリウムを溶解して板状酸化ルテニウム粉末を回収する工程からなることを特徴とする板状酸化ルテニウム粉末の製造方法などにより提供。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を用いたフェースダウン実装に好適なチップ抵抗器と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の絶縁性基板２の片面２ａには、保護膜４に被覆された抵抗体３と、抵抗体３の両端部に重なり合う一対の電極５とが設けられており、電極５の表面は、少なくとも絶縁性基板２の表面よりも粗くなるように粗面化処理されたうえで露出している。このチップ抵抗器１は片面２ａ側を回路基板１０に対向させてフェースダウン実装され、回路基板１０上に設けられた配線パターン１１とチップ抵抗器１の電極５とが導電性接着剤１２によって電気的かつ機械的に接続されるようになっている。チップ抵抗器１の電極５は例えばブラスト加工を施して粗面化できるが、軟化点の異なる複数種類のガラス材を電極ペーストに含有させる等の手法で電極５を粗面化してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明では、発熱抵抗体層を、酸化亜鉛を主成分とするガラスからなり、導電物質および拡散防止物質を含有したペーストを焼成して形成することにより、発熱抵抗体の抵抗値のバラつきを防止して製品の品質を向上させるとともに、コストパフォーマンスおよび製造時の作業性に優れたサーマルヘッドを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に所定パターンで形成された電極層と、前記電極層上に形成された発熱抵抗体層と、前記電極層と前記発熱抵抗体層とを覆う保護層とを備えたサーマルヘッドであって、前記発熱抵抗体層は、酸化亜鉛を主成分とするガラスからなり、導電物質および拡散防止物質を含有したペーストを焼成して形成したサーマルヘッド。 （もっと読む）

【課題】分相性を適正に制御し得る抵抗体形成用ガラスを創案することにより、（１）ホットプレス工程で、緻密に焼結すること、（２）ホットプレス工程で、容易に変形すること、（３）ホットプレス工程後に、抵抗体の抵抗値がばらつく不具合を防止できること等の要求特性を満たすこと。
【解決手段】本発明の抵抗体形成用ガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４９．０〜５７．９％、Ｂ_２Ｏ_３ ２６．８〜４０．６％、ＢａＯ ２．８〜７．５％、Ｌｉ_２Ｏ ７．６〜１２．３％、ＢａＯ＋Ｌｉ_２Ｏ（ＢａＯ、Ｌｉ_２Ｏの合量） １０．４〜１５．２％（但し、１５．２％は含まず）を含有し、且つモル比ＳｉＯ_２／Ｂ_２Ｏ_３の値が１．８３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子部品素子を２層以上の外装樹脂で被覆した電子部品において、第１の外装樹脂と第２の外装樹脂との間で界面剥離が生じないようにする。
【解決手段】 本発明の高圧抵抗部品（電子部品）１００は、外装樹脂を、電子部品素子を直接被覆する第１の外装樹脂７と、電子部品素子を第１の外装樹脂を介して被覆する第２の外装樹脂８とで構成し、第１の外装樹脂７と第２の外装樹脂８とのモノマー構造を同一とするとともに、第１の外装樹脂７の弾性率を第２の外装樹脂８の弾性率よりも低くした。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性と耐半田食われ性にともにすぐれる、鉛フリーの厚膜導体形成用組成物を低コストで提供する。
【解決手段】本発明は、チップ抵抗器の電極として用いられる厚膜導体を形成するための組成物に関する。本発明の組成物は、導電粉末としてＡｇ粉末が、酸化物粉末として、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末とが、それぞれ含まれており、かつ、添加物としてカーボン粉末が添加されている。導電粉末１００質量部に対し、カーボン粉末が１〜１０質量部、前記ガラス粉末が０．１〜１５質量部、前記Ａｌ₂Ｏ₃粉末が０．１〜８質量部である。前記ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ₂：２０〜６０質量％、Ｂ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ₂Ｏ：０．５〜６質量％である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗値の修正を適切に行ないつつ、大電力にも対応する抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器８は、基板１と、前記基板１の上面に形成された少なくとも一対の第１の上面電極５、第２の上面電極６と、前記一対の第１の上面電極５、第２の上面電極６の間に形成されかつ電気的に接続している抵抗体２とを備え、前記抵抗体２には、同一直線上に形成された３個以上の溝３ａ〜３ｅからなる第１の抵抗値修正用トリミング溝群３が形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗値が低く、外形寸法のバラツキも小さく、硫化ガス等による腐食断線を防止できる小形のジャンパーチップ部品を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のジャンパーチップ部品は、絶縁基板１１の上面に設けられた導体１２を、両端部が前記絶縁基板１１の端部にまで至らないようにＣｕを印刷することにより形成された第１の導体１５と、この第１の導体１５を覆い、かつ両端部が前記絶縁基板１１の端部にまで至るようにＮｉＣｒ系合金をスパッタすることにより形成された第２の導体１６と、この第２の導体１６を覆い、かつ両端部が前記絶縁基板１１の端部にまで至るようにＣｕＮｉをスパッタすることにより形成された第３の導体１７とで構成し、さらに一対の端面電極１３の表面にめっき層１８を形成するとともに、このめっき層１８の端部を保護膜１４に接触させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】点火プラグが細経化されても、高周波雑音電波の発生を十分に抑制し得る抵抗体形成用ガラス組成物を創案することにより、点火プラグの信頼性および生産性を高めること。
【解決手段】本発明の抵抗体形成材料は、粗粒ガラス粉末と粗粒セラミックフィラーを含む抵抗体形成材料において、（１）粗粒ガラス粉末が、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ₂ ３５〜６０％、Ｂ₂Ｏ₃ ２５〜５５％、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ １〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３５％、ＢａＯ ０〜１４％を含有し、（２）粗粒セラミックフィラーの平均粒子径Ｄ₅₀が５０〜３００μｍであり、（３）粗粒セラミックフィラーの含有量が１〜５５質量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】点火プラグが小型化されても、抵抗体の機械的強度が低下したり、抵抗率のばらつきが大きくなったりしない抵抗材料を提供する。
【解決手段】抵抗体入り点火プラグの抵抗体を形成するための抵抗材料であって、ガラスビーズからなる。ガラスビーズは、溶融状態のガラスが表面張力によって略球状に固化したガラス粒子で、最大粒径が４００μｍ以下であることが好ましく、５００〜５６０℃のガラス転移転を有し、６５０℃以上の熱処理で分相する性質を有するものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】厚膜チップ抵抗器の厚さを薄くしつつ且つ製造段階で大判の基板の反りが生じない、基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有する厚さが１００μｍ以下の絶縁性基板１１と、該基板の表面に形成された一対の厚膜焼成体からなる内部電極１２ａ，１２ｂと、該一対の内部電極間に形成された厚膜焼成体からなる抵抗膜１３と、該基板１１の裏面に形成された厚膜焼成体からなるガラスまたは金属層１６と、を備える。また、抵抗膜１３が保護膜１７，１８に被覆され、該保護膜の一部と内部電極１２ａ，１２ｂ上に導電性樹脂膜からなる第２内部電極１９ａ，１９ｂを備え、該第２内部電極の表面にメッキ層を備える。 （もっと読む）

【課題】チップ抵抗器において、耐サージ性をより良好とすることができ、これにより、高電力化が可能なチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】平面視で略長方形状の基板１０と、基板１０の上面における互いに対向する長辺側にそれぞれ形成された一対の上面電極３０、３２と、該一対の上面電極間に形成され蛇行した形状の抵抗体２０とを有し、上面電極３０と上面電極３２の長辺に沿った方向の幅が基板の長辺の長さよりも短く形成されるとともに、上面電極３０と上面電極３０とが対角状に形成され、抵抗体２０の蛇行した形状における折返し部分の少なくとも１つが基板１０の長辺側に形成され、抵抗体における基板の長辺側に形成された折返し部分と該折返し部分が対向する基板の長辺との間には上面電極が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】銅−マンガン系合金の低抵抗率、低ＴＣＲを維持しながら、高い密着力を得ることができる抵抗体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅及びマンガンを少なくとも含む導電性金属粉体と、ガラス粉体と、有機ビヒクルとを含有する抵抗体ペーストを用いて、抵抗体膜を製造する方法に関する。抵抗体ペーストを絶縁基板に塗布する工程と、絶縁基板に塗布された抵抗体ペーストを酸化性雰囲気下２００〜２４０℃で加熱して酸化処理する工程と、酸化処理された抵抗体ペーストを７５０℃以上の温度で焼成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗体の抵抗値をばらつきなく、所望する抵抗値により正確に設定することができ、ひいては歩留まりの向上を図る。
【解決手段】スパークプラグ１は、軸線ＣＬ１方向に延びる軸孔４を有する絶縁碍子２と、中心電極５と、端子電極６とを備える。また、軸孔４内には、カーボンブラック５３、ガラス粉末５１、及び、ガラス以外のセラミックス粒子５４を含んでなる抵抗体組成物５６が焼結されることで抵抗体７が設けられる。抵抗体７は、カーボンブラック５３を０．５質量％以上１０質量％以下、ガラスを６０質量％以上９０質量％以下、セラミックス粒子５４を５質量％以上３０質量％以下含有する。また、ガラス粉末の平均粒径が５０μｍ以上５００μｍ以下とされ、抵抗体組成物５６中におけるガラス粉末のうち、その５０質量％以上が球状をなしている。 （もっと読む）

【課題】上面電極との接続端から最初にターンする領域であるターン領域において、電流が集中することによりターン領域が破壊されるのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】帯状部接続部３４ａの辺部３４ａ−１は、電極間方向（Ｘ１−Ｘ２）に対して傾斜して形成され、切欠部Ｌ１の奥部が三角形状に形成されている。また、トリミング溝Ｔ２の開始点Ｔ２ａはトリミング溝Ｔ１の開始点Ｔ１ａよりもＹ１側にずれて形成され、トリミング溝Ｔ２の終了点Ｔ２ｂはトリミング溝Ｔ１の終了点Ｔ１ｂよりもＹ１側にずれて形成されている。 （もっと読む）