【課題】基板への磁性原子の導入時間を短縮することができるとともに、室温でも使用可能な磁性半導体を実現する磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置を提供する。
【解決手段】レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で、然も安定な磁気構造を有するハーフメタリック反強磁性体を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、２種類以上の磁性元素とハロゲンとを含む化合物であって、前記２種類以上の磁性元素には、有効ｄ電子数が５より少ない磁性元素と有効ｄ電子数が５より多い磁性元素とが含まれている。そして、前記２種類以上の磁性元素の有効ｄ電子数の総和は１０或いは１０に近い値である。 （もっと読む）

【課題】室温下での動作が可能な強磁性半導体素子及びその制御方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けた二酸化チタン層１５と、二酸化チタン層１５上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層１２と、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２上に設けた電解液１３と、電解液１３と接触するよう設けたゲート電極１４と、を含む。電解液１３は、ＣｓＣｌ_４、Ｓｒ（ＣｌＯ_４）_２、ＫＣｌＯ_４、ＮａＣｌＯ_４、ＬｉＣｌＯ_４の一以上の電解質を溶媒に溶かしてなる。ゲート電極１４へのゲート電圧印加の有無に応じて、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２の強磁性の強さが変化する。遷移元素はコバルトが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。障壁層１２，１４にＩｎＡｌＡｓを採用した場合、Ａｌ組成は０．４３〜０．５３％であることが好ましくは、ＩｎＧａＡｓを採用した場合、Ｇａ組成が０．４２〜０．５２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】室温以上の温度で磁性特性を表わす磁性半導体の製造を可能にする。
【解決手段】磁性原子が導入された半導体に対してレーザ照射を行うことで磁性半導体を得る製造方法および製造装置であって、磁性原子が導入された半導体１ａ表面に対し、磁場を印加しながらレーザを照射する。 （もっと読む）

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体１１０に強磁性半導体１１０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体１１０内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体１１０における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる。 （もっと読む）

【課題】反強磁性を有し、且つハーフメタリックな新規なスピントロニクス材料である反強磁性ハーフメタリック半導体を提供する。
【解決手段】本発明に係る反強磁性ハーフメタリック半導体は、カドミウムを含有するカルコゲナイド半導体にｄ電子数が５より少ない磁性元素とｄ電子数が５より多い磁性元素とを含む２種類以上の磁性元素を添加して、前記カルコゲナイド半導体が含有するカドミウム成分一部を前記２種類以上の磁性元素で置換することにより作製される。 （もっと読む）

【課題】希薄強磁性半導体及びそれと同様の構造を有する希薄常磁性絶縁体を含む希薄磁性体を提供する。
【解決手段】本発明の希薄磁性体は、Ga₂O₃を母相とし、該母相のGaのうちの0.5%〜15%がV, Cr, Mn, Fe, Co, Niのうちのいずれか１種又は複数種の原子に置換することにより得られる。この希薄磁性体は、酸化雰囲気中又は還元雰囲気中で熱処理をする／しないことによりOの欠損数を調整することができ、それによりほぼ同じ構造を有する希薄強磁性半導体及び希薄常磁性絶縁体の双方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性−常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。
【解決手段】ＧａＡｓで形成された基板上に、II-VI族半導体であるＺｎＴｅにＣｒを添加した半導体であり、Ｃｒ組成５％の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがｐ型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にｎ型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Ｃｒ組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 他の物質と組み合わせて、例えば、トンネル磁気抵抗素子や電界効果トランジスタ等の素子を簡単に製造することができる強磁性伝導体材料を提供する。
【解決手段】 強磁性伝導体材料は、化学式（１） Ｍ_{（Ａ−ｘ）}Ｍ´_ｘＯ_ｙ …（１）（上記ｘは、０＜ｘ≦０．８かつｘ＜Ａの範囲の数値であり、上記Ａ、ｙはＭの種類によって変化する定数であり、上記ＭがＦｅの場合Ｍ´はＭｎ、Ｚｎの少なくとも一方であり、上記ＭがＣｒの場合Ｍ´はＭｎ、Ｚｎの少なくとも一方であり、上記ＭがＴｉの場合Ｍ´はＭｎ、Ｚｎの少なくとも一方であり、上記ＭがＺｎの場合Ｍ´はＭｎである）で示される構成である。 （もっと読む）

【課題】 フェルミ面付近のスピン偏極したキャリア密度を増加でき、キュリー温度が高く、スピンエレクトロニクスの基本材料に適用が好ましい（Ｍｎ−Ｖ族）共添加ＩＶ族磁性半導体を提供すること
【解決手段】 ＩＶ族半導体に、ＭｎとＶ族元素との２つを共添加する。例えば３Ｃ−ＳｉＣに、Ｍｎ，Ｎをそれぞれ２５％添加する構成にする。Ｖ族元素にはＰもよい。製造は、分子線エピタキシャル法などのエピタキシャル成長法や、ｎ型のＳｉＣ基板に加速したイオンを打ち込む方法など、適宜な方法により行えばよい。状態密度は図２に示すような特性となり、横軸の０点（フェルミ面）を見ると、ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは金属的、ｍｉｎｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは半導体的でありハーフメタルになっている。添加したＭｎが磁性を発現し、共添加したＮが物性を適正化するような作用となる。 （もっと読む）

バルク状の酸化亜鉛にマンガンを最大で５原子％の濃度までドープすることによって、ドープされた希薄強磁性半導体を生産する方法を提供する。この材料は好ましくは、最高で６５０℃までの温度で焼結される。この方法によれば、５原子％を超えないＭｎ濃度でＭｎドープされたＺｎＯを含有している半導体材料が得られる。上記ＭｎドープされたＺｎＯは、約２１８Ｋ〜約４２５Ｋの温度範囲の少なくとも一部において強磁性である。
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非酸化物材料又は既にドーピングされた酸化物材料である半導体材料であって、前記半導体材料は、マンガン（Ｍｎ）がドーピングされ、室温と５００Ｋとの間の範囲における少なくとも１つの温度で強磁性を示す。好適には、前記マンガンがドーピングされた材料は、５ａｔ％以下のマンガン濃度を持つ。
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本発明は、半導体材料、材料の製造方法、材料の実装方法に関する。その材料は、Ｃｕ又はＣｕＯがドーピングされて、−５５℃〜１２５℃の範囲における少なくとも１つの温度において強磁性を示す。典型的には、その材料は、ＧａＰ又はＧａＮを含む。
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希釈磁性半導体（ＤＭＳ）ナノワイヤを製作する方法について示した。この方法は、触媒がコーティングされた基板を提供するステップと、前記基板の少なくとも一部を、塩化物系蒸気搬送体を介して、半導体およびドーパントに暴露するステップと、を有し、ナノワイヤが合成される。この新しい塩化物系化学気相搬送処理方法を用いて、単結晶希釈磁性半導体ナノワイヤＧａ_１−ｘＭｎ_ｘＮ（ｘ＝０．０７）が合成される。ナノワイヤは、直径が〜１０ｎｍ乃至１００ｎｍであり、全長は最大数十μｍであり、キューリー点が室温を超える強磁性体であり、２５０Ｋ（ケルビン）まで磁気抵抗を示す。
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