【課題】 非磁性中間層との界面に存在する磁性材料に見合ったＭＲ変化率を実現しながら、磁化自由層の磁歪を抑制して単磁区化を妨げないことによって、低ノイズで良好な検出動作を示すＭＲ効果素子及びこのＭＲ効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定されている磁化固定層と、この磁化固定層上に積層された非磁性中間層と、この非磁性中間層上に積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを有するＭＲ積層体を備えており、磁化自由層が、非磁性中間層に接する側とは反対側に、ＣｏＦｅを含む磁歪調整膜を備えているＭＲ効果素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】半選択セルの誤書き込み防止とスイッチング磁場の低減を図る。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第１及び第２強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とからなる積層構造を有し、第１及び第２強磁性層のうちの少なくとも１つは、第１方向に磁気異方性を有する第１部分と、第１部分に結合され、第１方向及びこれと逆向きの第２方向とは異なる第３方向に磁気異方性を有する第２部分とから構成される。 （もっと読む）

本発明は、２．２Ｔ以上の高Ｂｓを有し、かつ、表面粗度が５ｎｍ以下の平滑面に形成されることによりライトヘッド等に好適に使用できる磁性薄膜および磁気ヘッドに関する。磁性薄膜は、ＦｅＣｏ系合金層を異種の層と多層化することによって、膜表面の粗さを５ｎｍ以下に形成したものである。ＦｅＣｏ系合金層を成膜操作する際に、層ごとにＮ_２ガス等の反応ガスを用いた反応性スパッタリングを施して多層化することによって膜表面の平滑化を図ることができる。
（もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的結合を小さくして、高い垂直抗磁力を発現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】一般式［（Ｃｏ_1-mＰｔ_m）_1-nＣｒ_n］_100-x-yＴａ_xＯ_y
（ここで、ｍ、ｎは原子比で、ｍは０．２以上０．４以下、ｎは０以上０．１以下、ｙは１６ａｔ．％以上２６ａｔ．％以下、ｙ／ｘは１．７以上２．３以下である）
で表される強磁性体からなる記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的結合を小さくして、高い垂直抗磁力を発現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】一般式［（Ｃｏ_1-mＰｔ_m）_1-nＣｒ_n］_100-x-yＴｉ_xＯ_y
（ここで、ｍ、ｎは原子比で、ｍは０．２以上０．４以下、ｎは０以上０．１以下、ｘは９ａｔ．％以上１３ａｔ．％以下、ｙ／ｘは１．８以上２．３以下である）
で表される強磁性体からなる記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】
グラニュラ膜を利用し、積層磁性薄膜の高抵抗率化と、高周波帯域における優れた軟磁気特性の両立を図る。
【解決手段】
積層磁性薄膜１０は、基板１２上に、絶縁層１４とグラニュラ層１６を交互に複数成膜した積層構造となっている。絶縁層１４は、ＳｉＯ_２膜によって形成される。グラニュラ層１６は、ＦｅＮｉＳｉＯ膜によって形成されており、磁性粒子２０を包み込むように、粒界に絶縁体１８が存在する構造となっている。成膜時に基板１２の加熱を行うことで、絶縁層１４及び絶縁体１８の絶縁性を向上させて抵抗率を高めることができる。また、所定の範囲内の組成の磁性粒子２０の粒径を、絶縁層１４及びグラニュラ磁性層１６の厚みや、絶縁体１８に対する磁性粒子２０の比率を変えて適正化することにより、高抵抗率化に起因する磁気特性の劣化を抑制し、高い磁気特性と高抵抗率の両立が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
磁性薄膜内部の磁区構造の最適化により、高い共振周波数を有し、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１２上に、磁性粒子１６を絶縁体１４Ａで包み込んだグラニュラ層１８と絶縁層を積層する際に、前記絶縁層の厚みを周期的に変化させて、前記グラニュラ層１８と薄い絶縁層１４Ｂとの積層構造よりなる強磁性領域２０と、厚い絶縁層１４Ｃからなる非磁性領域２２とを交互に形成し、前記非磁性領域２２中に磁壁２４を配置して、磁性薄膜１０の内部の磁区構造を最適化する。磁区構造を任意に変更できるため、磁壁を介して磁気的相互作用が制御可能となり、異方性磁界の値を増大させて共振周波数を高め、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物グラニュラ媒体の結晶粒間の交換結合を低減し、高い媒体S/Nを得て、1平方センチあたり23ギガビット以上の面記録密度を実現する。
【解決手段】基板上に、軟磁性層、Ruを含有する下部中間層、Ru結晶粒と酸化物からなる結晶粒界とを有する上部中間層、結晶粒と酸化物からなる結晶粒界とを有する磁気記録層を順次積層した構造を有し、磁気記録層の結晶粒は上部中間層のRu結晶粒上にエピタキシャル成長し、磁気記録層の結晶粒界は上部中間層の結晶粒界上に成長している。 （もっと読む）

【課題】 抵抗変化量ΔＲと素子面積Ａの積ΔＲＡが大きいＣＰＰ型磁気検出素子を提供する。
【解決手段】フリー磁性層２５と固定磁性層２３の第２磁性層２３ｃのいずれか一方または両方が（Ｃｏ_０．６７Ｆｅ_０．３３）_{１００−ａ}Ｚ_ａ合金層（ＺはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂのうち１種または２種以上の元素であり、ａはａｔ％で０＜ａ≦３０）として形成されている。（Ｃｏ_０．６７Ｆｅ_０．３３）_{１００−ａ}Ｚ_ａ合金はハーフメタル的な性質を有しており、これによって本願発明ではフリー磁性層２５と固定磁性層２３の第２磁性層２３ｃの磁化方向が平行方向であるときと反平行方向であるときの磁気検出素子の直流抵抗値の変化量を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】強磁性体同士のポイントコンタクトに基づく巨大な抵抗変化率を実用的なデバイス構造で再現性よく得ることを可能にすると共に、磁気再生ヘッド等として利用する際に不可欠となる素子抵抗の低減を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、磁化方向が実質的に一方向に固着された強磁性金属膜を有する磁化固着層５と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する強磁性金属膜を有する磁化自由層７と、磁化固着層５と磁化自由層７との間に介在された中間層６と、これら各層の膜面垂直方向にセンス電流を通電する一対の電極３、４とを具備する。中間層６は絶縁層１３と、この絶縁層１３内に配置された磁気モーメントを有する半金属化合物または半導体化合物からなる導通部１４とを有する。 （もっと読む）