【課題】低周波域ノイズおよび孤立スパイクノイズの低減を可能とした構造の垂直磁気記録媒体とそれを実現するための基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板として多結晶のものを用いることによりＮｉまたはＮｉＰ合金膜等の下地メッキ膜なしに基板上に軟磁性膜をメッキ法で成膜することを可能としている。下地メッキ膜を設けないために顕著なスパイクノイズ低減効果が得られる。１０nm以上１０００ｎｍ以下の厚みの酸化珪素膜１０６を主面に有する直径９０ｍｍ以下の多結晶シリコン基板１０２上に、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚みのメッキ成膜された軟磁性裏打ち層１０２と磁気記録層１０３と保護層１０４と潤滑層１０５が順次積層されて記録媒体とされている。なお、酸化珪素膜１０６と軟磁性裏打ち層１０２との間に１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みのＰｄ含有膜１０７を設けるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 所望の低い素子面積抵抗を保持しつつ、スペーサー層を構成する半導体層の厚さを厚くすることができ、高いＭＲ特性が得られるとともに、素子面積抵抗のばらつきを抑えることができ、膜特性の信頼性が格段と向上するＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提供する。
【解決手段】 本発明のＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体層を有し、第１の非磁性金属層と半導体層との間、および／または、第２の非磁性金属層と半導体層との間に仕事関数調整層が形成されており、半導体層は、ｎ型半導体であり、仕事関数調整層は、第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層よりも小さな仕事関数を有する材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】
特に、絶縁障壁層をＭｇ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢあるいはＦｅＢで形成された第１磁性層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＦｅで形成された第２磁性層４ｃ２の順に積層されてなる。前記第２固定磁性層４ｃ上にＭｇ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。このように第２固定磁性層４ｃをＣｏＦｅＢあるいはＦｅＢ／ＣｏＦｅあるいはＦｅの積層構造とすることで、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の向上が図れる磁気抵抗素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層とを有し、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくともいずれかは、式Ｍ１_ａＭ２_ｂＸ_ｃ（５≦a≦６８、１０≦ｂ≦７３、２２≦ｃ≦８５）で表される磁性化合物を有し、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素、Ｘは、Ｎ，Ｏ，Ｃから選択される少なくとも一種の元素である。 （もっと読む）

【課題】交換スプリング記録層構造を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録システムおよび媒体は、交換スプリング構造および強磁性の水平結合層（ＬＣＬ）を含む多層の記録層を有する。交換スプリング構造は、それぞれ垂直磁気異方性を有する、２つの強磁性的に交換結合された磁性層（ＭＡＧ１およびＭＡＧ２）から構成される。ＭＡＧ１およびＭＡＧ２は、互いに直接接触しているか、またはそれらの間に位置する結合層（ＣＬ）を有する。ＬＣＬは、ＭＡＧ２と直接接触して位置し、ＭＡＧ２中の粒子間交換結合を仲介する。ＬＣＬ中の強磁性合金は、一般的には酸化物などの分離個体を含むＭＡＧ２中の強磁性合金よりも、著しく大きな粒子間交換結合を有する。ＬＣＬは、好ましくは、ＬＣＬ中の粒子間交換結合を低減させる傾向があるであろう、酸化物または他の分離個体を含まない。 （もっと読む）

【課題】
抵抗変化率が高く、かつフリー磁性層の磁歪が小さい、トンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記絶縁障壁層は酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成され、前記フリー磁性層上には、白金（Ｐｔ）あるいはルテニウム（Ｒｕ）のどちらか一方で形成された第１保護層が形成される。これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、高い抵抗変化率を維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を効果的に低減できる。前記絶縁障壁層を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）で形成した場合には、抵抗変化率が減少し、またフリー磁性層の磁歪が効果的に低減できない。 （もっと読む）

【課題】デュアル構成のＭＲ素子を使ったＭＲＡＭにおいて、さらに書き込み電流を低減し、ＭＲ素子の再生出力を向上させる。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、２層以上の強磁性層を、間に非磁性中間層を介して積層した積層構造を具備し、前記積層構造中、前記強磁性層の一が情報を磁化の形で保持する記録層を構成し、書き込み電流を前記積層構造の上端と下端の間で流す構成の磁気抵抗素子を含み、少なくとも一の強磁性層がホイスラー型合金膜を含む。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、ＲＡを低く且つ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高い値に設定できるトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 トンネル型磁気検出素子を構成する積層体Ｔ１は、下から、固定磁性層４、絶縁障壁層５、及びフリー磁性層６の順に形成された部分を有する。前記絶縁障壁層５は、Ｔｉ−Ｍｇ−Ｏ（酸化チタン・マグネシウム）で形成され、Ｔｉの組成比とＭｇの組成比をあわせて１００ａｔ％としたときに、Ｍｇは、４ａｔ％以上で２０ａｔ％以下含まれる。このように、前記絶縁障壁層５のＭｇ濃度を高く設定しない。これにより、従来に比べて、ＲＡ（素子抵抗Ｒ×素子面積Ａ）を低く且つ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高い値に設定できる。また従来に比べてＶＣＲの絶対値を低減でき、耐熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第１の磁化参照層１１と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する磁化自由層１３と、磁化の方向が固定された第２の磁化参照層１５と、第１の磁化参照層１１と磁化自由層１３との間に設けられた第１の中間層１２と、磁化自由層１３と第２の磁化参照層１５との間に設けられた第２の中間層１４とを具備し、磁化自由層１３及び第１の磁化参照層１１の容易磁化方向は、膜面に対して垂直或いは平行であり、第１の磁化参照層１１と第２の磁化参照層１５との容易磁化方向は、互いに直交する。 （もっと読む）

【課題】装置依存性なく２００％を超えるＴＭＲ比を得ることができるＴＭＲ素子を提供する。
【解決手段】ハーフメタル層１，２をＣｏ_２ＭｎＳｉによって構成し、アモルファス構造の絶縁層を用いる。このように製造装置に応じてＴＭＲ素子の歩留まりが変動しないアモルファス構造の絶縁層を用いることによって、装置依存性のないＴＭＲ素子を製造することができる。また、アモルファス構造の絶縁層３を、Ｃｏ_２ＭｎＳｉによって構成したハーフメタル層１，２によって挟むことによって、電流が流れる際のトンネル障壁の中での電子の散乱の影響がなくなり、５７０％を超える高いＴＭＲ比を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高熱安定性を有する高速超低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の第一の強磁性膜３０６と第二の強磁性膜３０８と第一の非磁性膜３０７で構成される自由層を持ち、自由層に（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５を介して固定層３０２１を積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れているとともに、高い記録再生特性を有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、少なくともバリア層２、裏打ち層１１、下地膜６、中間膜７及び垂直磁気記録膜８をこの順で有する垂直磁気記録媒体であって、裏打ち層１１は少なくとも１以上の軟磁性膜を有しており、該軟磁性膜が、非晶質構造であって飽和磁束密度Ｂｓが１．１（Ｔ）以上であるＣｏＡｌＣｒ合金あるいはＣｏＦｅＡｌＣｒ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】３値以上の多値記録が可能であり、かつ製造の容易なスピン注入磁化反転素子を提供することにある。
【解決手段】スピン注入磁化反転素子において、磁化が第１の方向に実質的に固定された強磁性固定層１３と、非磁性の分離層１４と、磁化の方向が可変の２以上の強磁性フリー層１５、１６、１７を備え、強磁性固定層１３は分離層１４の一方の主面に配置され、前記各強磁性フリー層１５、１６、１７はそれぞれが分離層１４の他方の主面に接して配置する。 各強磁性フリー層１５、１６、１７は、膜厚、磁化反転臨界電流密度または保磁力が全て異なることが好ましい。 また、スピン注入磁化反転素子を用いて磁気記録装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸素や水などの酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質が前記ＭｇＯ層を成膜する室内に設けられた構成部材（第１成膜室２１内部の、成膜室内壁３７、防着シールド３６の内壁、仕切板２２やシャッタなど）の表面に被着された成膜室内で前記ＭｇＯ層を成膜するとによって、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間にＭｇＯ（酸化マグネシウム）層を有する磁気抵抗効果素子を製造する。ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのＴａ（タンタル）が好適である。 （もっと読む）

【課題】 ＧＨｚ帯域で動作可能な磁性薄膜とこれを用いた電子デバイスを得ることを目的とする。
【解決手段】 磁性体層と絶縁体層が交互に積層された磁性薄膜で、磁性体層は第一の磁性体層１と第二の磁性体層２を含み、前記第一の磁性体層１は前記第二の磁性体層２よりも異方性磁界が高く、前記第二の磁性体層２は前記第一の磁性体層１よりも飽和磁化が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録再生中、誤差が生ずることがない信頼性の高いパターンドメディア及びそれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】パターンドメディアは、基板、軟磁性層、非磁性層、中間層及び記録層とを有する。記録層は非磁性材料と磁性材料からなるパターン構造を有し、非磁性材料のヤング率は磁性材料のヤング率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 酸化チタン等の絶縁酸化物で形成された絶縁障壁層５の上に形成されるフリー磁性層６のうち前記絶縁障壁層５と接する位置にエンハンス層６ａが形成されている。前記絶縁障壁層５の下には固定磁性層４を構成する第２固定磁性層４ｃが形成される。前記第２固定磁性層４ｃは、膜面と平行な方向に｛１１１｝面が優先配向する面心立方構造で形成され、前記絶縁障壁層５は、ルチル型構造等で形成され、前記エンハンス層６ａは、膜面と平行な方向に｛１１０｝面が優先配向する体心立方構造で形成される。これにより、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ磁界を検知する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。拡散防止層３８はＣｏ、Ｆｅ、およびＮｉからなる群のうち少なくとも１種の元素を含みかつＭｎを含まない強磁性材料からなり、自由磁化層３９を、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｍｎ含有量，Ａｌ含有量）として表すと、点Ａ（４４，２３，３３）、点Ｂ（４８，２５，２７）、点Ｃ（６０，２０，２０）、点Ｄ（６５，１５，２０）、点Ｅ（６５，１０，２５）、点Ｆ（６０，１０，３０）として、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、および点Ａをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域ＡＢＣＤＥＦＡ内の組成から選択する。 （もっと読む）