【課題】高抵抗率を有するとともに、高周波帯域での磁気特性が良好な積層磁性薄膜を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、微細な磁性粒子１４を絶縁体（ないし絶縁層１６）で包み込んだグラニュラ層１８と第１の絶縁層２０をｎｍオーダーで積層したグラニュラ磁性体層１２と、第２の絶縁層２２を、基板３０上に交互に積層した構造となっている。すなわち、グラニュラ層１８は、薄い第１の絶縁層２０と、それよりも厚い第２の絶縁層２２によって分離される構造となっており、前記第１の絶縁層２０が主に磁性粒子１４の微細化，第２の絶縁層２２が絶縁性の向上に寄与している。極めて薄い第１の絶縁層２０を用いて磁性金属比率の高い状態で磁性粒子を微細化することにより、高抵抗率と高い磁気特性の両立が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン等の基板上に鉄シリサイド系磁性材料を形成した積層構造、特にスピンに依存した電子現象を発揮することを可能にするそのような積層構造、その積層構造を使用した磁性又は電子装置、および電界効果スピントランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン等の基板上に、ＭｇＯ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＹＳＺ，ＣａＦ_２，ＳｒＦ_２，ＢａＦ_２，ＬａＦ_３，ＮｄＦ_３，ＣｅＦ_３，（Ｂａ，Ｓｒ）Ｏ，ＣｅＯ_２，ＺｒＯ_２，ＭｇＡｌ_２Ｏ_４，ＳｒＴｉＯ_３，ＢａＴｉＯ_３，Ｙ_２Ｏ_３，ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＴｉＣあるいはβ−ＦｅＳｉ_２などの中間層を介してＦｅ_３±αＳｉ（式中、０≦α≦１．０５）の層を有する積層構造体。この積層構造体のＦｅ_３±αＳｉ層が磁性素子又はその構成要素である磁気又は電子装置。 （もっと読む）

【課題】微細化を図りつつ、低消費電力で駆動することを可能とする。
【解決手段】 磁気素子は、チャネル層(O)と、このチャネル層に接し、互いに接しない第１及び第２の磁性電極(A,B)と、第１の磁性電極に隣接して設けられ、第１の絶縁層を有する第１の介在層(P)と、この第１の介在層の第１の磁性電極に接する面とは反対の面に接して設けられ、第１の磁性電極に磁化転写するための第１の磁性層(C)と、第１及び第２の磁性電極にそれぞれ接続された第１及び第２の電極(H,J)とを具備し、第１及び第２の電極の少なくとも１つは第１及び第２の磁性電極の磁化配置によって変化する第１の信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、等方的な透磁率が得られ、複雑な磁場発生設備を使用しなくても作製することが可能である磁性多層膜を提供する。
【解決手段】 磁性金属から成る強磁性材料の薄膜１１と、絶縁材料の薄膜１２とを、交互に少なくとも２層以上積層した構造を有し、強磁性材料の薄膜１１の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、絶縁材料の薄膜１２の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、強磁性材料の薄膜１１の膜面内の透磁率が等方性である磁性多層膜１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】誤書き込みを低減し、かつ熱安定性を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが固定された磁化固定層１１と、磁化の向きが変化する磁化自由層１３と、磁化固定層１１及び磁化自由層１３間に設けられた非磁性層１２とを具備する磁気抵抗効果素子１０であって、磁化自由層１３は、第１の方向に延在する延在部１０ａと、この延在部１０ａの側面の端部以外から第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する突出部１０ｂ，１０ｃとを有し、磁化自由層１３の平面形状は、１８０度回転対称性を有し、かつ鏡映対称性を有しない。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性，強度，磁気特性および耐候性等がともに優れた重層構造の塗布型磁気記録媒体を得る。
【解決手段】樹脂系バインダーに磁性粉を分散させた磁性層を，樹脂系バインダーに非磁性粉を分散させた非磁性層を介して，支持体上に形成した重層構造の塗布型磁気記録媒体において，前記の磁性粉が， Ｃｏ：５超え〜５０at.％， Ａｌ：０.１〜３０at.％， 希土類元素（Ｙを含む）：０.１〜１０at.％， 周期律表第１ａ族元素：０.０５重量％以下， 周期律表第２ａ族元素：０.１重量％以下（０重量％を含む）をＦｅ中に含有した平均長軸長０.０１〜０.４μｍの針状の強磁性金属粉からなり，前記の非磁性粉が， 平均長軸長：０.０１〜０.５μｍ， 比表面積：ＢＥＴ法で４０〜１５０ ｍ²／ｇ， 結晶粒径：５０〜１５０オングストロームの針状のオキシ水酸化鉄からなる重層構造の塗布型磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 ＧＭＲ膜を用いた薄膜磁気センサにおいて、アニール処理に伴うＧＭＲ膜の電気抵抗Ｒの変化率のＧＭＲ単独膜との差、及び、センサ間の差をなくし、薄膜磁気センサのＳ／Ｎ比の低下を抑制すること。
【解決手段】 下地膜１２と、下地膜１２上に形成された薄膜ヨーク１４、１６と、ギャップｇ内又はその近傍に形成されたＧＭＲ膜１８と、薄膜ヨーク１４、１６及びＧＭＲ膜１８の表面を保護する保護膜２０と、下地膜１２とＧＭＲ膜１８の界面及び／又は保護膜２０とＧＭＲ膜１８の界面に形成されたバリア層２２、２４とを備え、ＧＭＲ膜１８は、金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料からなり、バリア層２２、２４は、フッ化物を含む材料からなる薄膜磁気センサ１０ （もっと読む）

【課題】低抵抗を維持したまま、高密度記録に対応した高いＭＲ変化率が得られる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】３層以上の金属磁性層と、前記３層以上の金属磁性層の間に設けられた接続層と、前記金属磁性層および接続層に対して垂直方向に電流を通電させる電極とを具備し、前記３層以上の金属磁性層のうち最下層または最上層の金属磁性層は磁化方向が固着され、外部磁界がゼロのときに最下層の金属磁性層の磁化方向と最上層の金属磁性層の磁化方向がほぼ直交するように中間の金属磁性層の磁化方向がねじれている磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比を保持しつつ低抵抗であり、しかも素子間における特性のバラツキが小さいトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】ＴＭＲ素子１０は、基板１上に導電層２、下部磁性層３、酸化抑制層４、絶縁層５、上部磁性層６、電極パターン７ｂが順に積層された構造をしている。下部磁性層３／酸化抑制層４／絶縁層５／上部磁性層６の部分が、トンネル磁気抵抗効果素子におけるトンネル接合部となっている。酸化抑制層４は、下部磁性層３の表面を窒化することによって得られた下部磁性層３の窒化物からなる。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性と磁気クラスタサイズの低減を両立した垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 非磁性基体、非磁性中間層および磁気記録層をこの順に備えた垂直磁気記録媒体であって、磁気記録層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、ＳｉおよびＯを含有したグラニュラー構造を有し、磁性結晶粒径が膜厚方向に実質的に一定であり、非磁性中間層との界面側に磁気記録層の表面側よりも酸素の多い領域を有することを特徴とする。
また、軟磁性裏打ち層、下地層をさらに設け、下地層はＮｉ、Ｆｅを含有し、面心立方格子からなる結晶構造を有し、かつ軟磁性を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７に対して、中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、中間層１６が酸化マグネシウムから成り、積層方向に電流を流すことにより記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７又は磁化固定層３１を構成する強磁性層１７，１３，１５のうち少なくとも一層が、Ａ_２ＢＣ型ホイスラー合金から成る記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】低いスイッチング磁場と高い磁気抵抗比を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】本発明は、非磁性中間層に分離される自由層と固定層とを含む磁気トンネル接合構造であって、非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層と、前記自由層の上部に形成された非磁性体からなる中間層と、前記中間層の上部に形成された強磁性層である固定層と、を含むことを特徴とする。前記自由層は、例えば非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ/ＲＵ/非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】多層構造を有する磁性層の渦電流損失を低減させる。
【解決手段】一連の磁性層１１０から構成される多層構造１００を具備する物品が提供される。磁性層１１０は、磁性材料から形成され、連続する磁性層１１０の間に、絶縁層１２０が配置される。各磁性層１１０は、少なくとも約２μｍの厚さを有し、磁性材料は、２００ｎｍを超えない平均粒径を有する。物品を製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 記録層中への書き込み磁界の強度と勾配を高める裏打ち層を備える情報記録媒体において、信号再生時、ノイズ発生を抑制できる情報記録媒体、その製造方法および情報記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板２と記録層８と軟磁性体より形成される第１の裏打ち層３と補償温度が信号再生温度である第２の裏打ち層４とを、基板２上に第１の裏打ち層３、第２の裏打ち層４、記録層８の順に積層して設ける。上記構成では、信号再生時、ノイズの原因となる各裏打ち層３、４からの漏洩磁束を抑制し、かつ、信号記録時、各裏打ち層３、４により磁気ヘッドから発生する記録磁界を記録層８中に集中させることが可能となる。よって、各裏打ち層３、４を有する情報記録媒体においても、信号再生時、各裏打ち層３、４に起因したノイズを抑制できる情報記憶装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】高い磁界感度を有し、かつその直線性が良好な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、かかる薄膜磁気抵抗素子を安価且つ容易に製造する方法を提供すること、前記薄膜磁気抵抗素子を用いた実用的な磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子１Ａを、絶縁基板２と、絶縁基板２上に形成され、一端が所要のギャップｇを介して対向に配置された帯状の第１軟磁性膜３及び第２軟磁性膜４と、第１軟磁性膜３の上面のギャップｇ寄りの部分及び第２軟磁性膜４の上面のギャップｇ寄りの部分にそれぞれ形成された非磁性絶縁膜５と、ギャップｇ内の絶縁基板２上、ギャップｇを臨む第１及び第２の軟磁性膜３，４の端面、並びにこれに続く非磁性絶縁膜５の端面と上面の一部に形成された巨大磁気抵抗薄膜６とから構成する。 （もっと読む）

【課題】 磁気光学効果が大きく、安定性に優れた磁性多層膜及びこれを用いた光磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 強磁性材料の薄膜１１と、絶縁材料の薄膜１２とを、交互に積層した構造を有する磁性多層膜１０を構成する。また、この磁性多層膜１０により、情報を記録する記録膜（光磁気膜）が構成されている光磁気記録媒体を構成する。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗ＲＡの大幅な増大を招くことなく、高いＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層及び前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子において、前記スペーサ層の下側に位置する前記磁化固着層または前記磁化自由層は膜厚方向に延びる粒界によって分離された結晶粒を含み、前記結晶粒の一端の面内方向位置を０とし、前記結晶粒の他端に隣接する粒界の面内方向位置を１００としたとき、前記電流パスは面内方向位置が２０以上８０以下の範囲内にある領域上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】精密な膜厚制御を行うことが可能なＲｕ膜の形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜を提供する。
【解決手段】本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。この場合、スパッタリングの際、基板２０に対して所定の高周波電力を印加し、基板２０の電位が−２０〜−１００Ｖとなるように制御することができる。 （もっと読む）