【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が２Ｈ／ｍ以上、１００Ｈ／ｍ以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】配向性、高充填性、かつ平滑性が高い磁性層の形成が可能な磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性支持体の一方の主面側に、磁性塗料を塗布して磁性塗膜を形成し、磁性塗膜から第１溶媒を除去する乾燥処理を所定の期間行いながら、磁性塗膜に含まれる磁性粉末を所定方向に磁場配向させる、磁性層形成工程を含み、磁性層形成工程において、乾燥処理は、予熱過程と、恒率乾燥過程と、減率乾燥過程とからなり、恒率乾燥過程が行われる恒率乾燥期間は、０．２秒以上であり、磁場配向は、予熱過程開始後において、第１配向手段および第２配向手段をこの順に用いて行なわれ、（Ｗ_2max−Ｗ_1min）／Ｗ_2max≦０．９、および、（Ｗ_2max−Ｗ_2min）／Ｗ_2max≦０．５の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングでのプラズマダメージを受けて高温になっても基板、磁性層、及びレジスト層が損傷することなく、また、磁性層のエッチングレートが低下せず、基板自体の温度変化が小さいので、膨張及び収縮によるパターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】基板の表面にレジスト層及び磁性層をこの順に有する磁気記録媒体における該レジスト層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、前記レジスト層に凹凸パターンを形成した磁気記録媒体を冷却する冷却工程と、冷却された前記凹凸パターンをマスクとして、ドライエッチングにより前記磁性層に凹凸形状を形成するドライエッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体の製造方法を、非磁性基板に磁性層を形成する工程、磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に前記磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプを用いて転写する工程、マスク層で磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程、レジスト層側表面から磁性層にイオンを注入し、磁性層を部分的に非磁性化する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程をこの順で有するようにする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて交換結合力が高く、かつ製造が容易な交換結合膜及びその交換結合膜を備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る交換結合膜３０は、Ｒｕ−Ｒｈ合金からなる非磁性層３１を２つの強磁性層３２ａ，３２ｂで挟んだ構造を有している。本発明の交換結合膜を磁気ヘッド（読み取り素子）に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．５ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。また、本発明の交換結合膜を磁気記録媒体に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．６ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜７０ａｔ％とする。更に、本発明の交換結合膜をＭＲＡＭに適用する場合、非磁性層３１の厚さを例えば０．３〜０．７ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。 （もっと読む）

【課題】裏打層の上部の酸化による中間層及び記録層の結晶配向性の低下を回避でき、従来に比してより一層の高密度記録が可能な磁気記録媒体、その磁気記録媒体の製造方法、及びその磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。
【解決手段】基板２１上に軟磁性体により裏打層２２を形成した後、裏打層２２の上にＴｂ、Ｇｄ、Ｓｍ及びＹ等の希土類金属により酸化防止層２３を０．１〜１．０ｎｍの厚さに形成する。この酸化防止層２３中の希土類金属が酸化することにより、その下の裏打層２２の酸化が防止される。次に、酸化防止層２３の上に中間層２４を形成し、その上に記録層２５を形成する。このようにして形成された磁気記録媒体２０は、中間層２４及び記録層２５の結晶配向の乱れが防止され、データを高密度に記録することができる。 （もっと読む）