【課題】垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを提供すること。垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、ＭｇＯトンネル障壁によって分離された垂直磁化をもつ強磁性ピンおよび自由層を本質的に含む。金属Ｍｇ堆積とその後の酸化処理によってまたは反応性スパッタリングによって作製されるＭｇＯトンネル障壁の微細構造はアモルファスまたは不完全な（００１）面垂直方向組織をもつ微晶質である。
【解決手段】本発明では、少なくとも強磁性ピン層のみまたは強磁性ピンおよび自由層の両方が、トンネル障壁と強磁性ピン層のみとの間に、またはトンネル障壁とピンおよび自由層の両方との間に位置する結晶好適結晶粒成長促進（ＰＧＧＰ）シード層を有する構造とすることが提案される。この結晶ＰＧＧＰシード層は、堆積後アニーリングに際してＭｇＯトンネル障壁の結晶化および好適結晶粒成長を誘起する。 （もっと読む）

【課題】 第１軟磁性層と第２軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、ＯＷ特性およびＳＮＲを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、軟磁性層１１４と、磁気記録層１２２を備える垂直磁気記録媒体１００であって、軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄと、第１軟磁性層１１４ｂの下に設けられた結晶調整層１１４ａと、第１軟磁性層１１４ｂと前記第２軟磁性層１１４ｄの間に第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層１１４ｃとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子（磁気ヘッド）のコア幅を微細化とすることができる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドの製造方法及び磁気再生記録装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１０は、下地層１１と、反強磁性層１２と、ピンド層（固定側磁性層）１３と、非磁性中間層１４とが順次積層された状態で形成されるとともに、非磁性中間層１４の上面に形成された自由側磁性層（フリー層）１５の一部には、自発磁化を有する磁性金属３０を内部に内包したナノチューブ２０を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録パターンの形成時における反応性プラズマまたはイオンと磁性層との反応性を高め、また、パターニングにおける像のぼけが生じにくい磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法である。その方法は非磁性基板上に酸化物を０．５原子％〜６原子％の範囲内で含む磁性層を形成する。この磁性層の磁気的に分離する領域を反応性プラズマもしくは反応性イオンにさらす。これによって形成された非磁性化領域で磁性層を分離する方法である。 （もっと読む）

本発明は、２．２Ｔ以上の高Ｂｓを有し、かつ、表面粗度が５ｎｍ以下の平滑面に形成されることによりライトヘッド等に好適に使用できる磁性薄膜および磁気ヘッドに関する。磁性薄膜は、ＦｅＣｏ系合金層を異種の層と多層化することによって、膜表面の粗さを５ｎｍ以下に形成したものである。ＦｅＣｏ系合金層を成膜操作する際に、層ごとにＮ_２ガス等の反応ガスを用いた反応性スパッタリングを施して多層化することによって膜表面の平滑化を図ることができる。
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【課題】本発明は、高い磁化と絶縁特性を兼ね備える軟磁性薄膜を生成するための方法に関する。
【解決手段】該方法は、アモルファス基板内に浸漬したＦｅリッチな強磁性ナノ粒子の窒化、および、該アモルファス基板の選択的酸化を含む。本発明はまた、該方法によって得られた、磁化の高い、絶縁性のある、軟磁性薄膜に関する。本発明はまた、該方法によって得られた薄膜を組み込んだメンブレンを使用するコンポーネントを備える集積回路を提案する。 （もっと読む）