【課題】成膜材料であるＤｙ、Ｔｂを有効に利用しつつ、所定形状鉄−ホウ素−希土類系の磁石の表面に高速で成膜させて生産性が向上し、低コストで永久磁石を製造できるようにする。
【解決手段】真空排気が可能な処理室と、前記処理室内を加熱する加熱手段と、前記処理室内でバルク体たる蒸発材料と被処理物とを離隔して保持する保持手段とを備え、前記被処理物を保持する保持手段が、前記処理室内の加熱により蒸発材料から蒸発した材料の通過を許容し、前記被処理物の複数個が並置できる部材から構成される。 （もっと読む）

【課題】 微細なナノ結晶組織を付与したFeあるいはFe濃度の高い合金材料からなる軟磁性金属膜を提供する。
【解決手段】 組成式：Ｆｅ_{１００−ａ}Ｍ_ａ（但し、Ｍ元素はMn,Si,Al,B,Zr,Ti,Crから選択された１種または２種以上の元素であり、ａは原子％で０≦ａ≦１０で、不可避不純物を含む）で表された合金組成で、粒子径が３nm以上１００nm以下の磁気的に等方性のナノ粒子が堆積した軟磁性金属膜。単位重量当たりの飽和磁化は180emu/ｇ以上、保磁力は100A/m以下である。 （もっと読む）

【課題】室温で動作可能な有機磁性体を用いたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で示される鉄サレン錯体を含む磁性体膜を備えたスイッチング素子。
【化１】


（Ｉ） （もっと読む）

【課題】動作信頼性に優れたＳＴＴ−ＲＡＭに好適なＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子１１は、下部電極１０の側から、下部積層体１１１と上部積層体１１２とを順に備える。下部積層体１１１は、シード層５１、リファレンス層３３、トンネルバリア層３４を順に含むものである。上部積層体１１２は、積層面に沿った占有面積が下部積層体１１１よりも小さく、フリー層４０、キャップ層３８、ハードマスク３９を順に含むものである。リファレンス層３３は、非磁性金属からなる挿入層３３Ｃと、磁性層３３Ａとから構成される２層構造を有する。磁性層３３Ａは、積層面内における磁化容易軸（Ｘ軸方向）に沿って固定された磁化方向を有する自己ピンド層である。フリー層４０は、下部強磁性層３５と、ＮＣＣ層３６と、上部強磁性層３７とが順に積層された複合体である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録が可能な上、粒径の制御が容易な磁性体粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁性体粒子(1)は、Ｐｄ、Ｆｅ及びＣｏを含むことを特徴とする。また、本発明の磁性体粒子(1)の製造方法は、i)岩塩型単結晶基板(20)の主面(20a)上に、岩塩型単結晶基板(20)を加熱しながらＰｄ粒子を配置する工程と、ii)Ｐｄ粒子上に、岩塩型単結晶基板(20)を加熱しながらＣｏ及びＦｅを配置して、Ｐｄ、Ｆｅ及びＣｏを含む磁性体粒子(1)を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、軟磁性底層を形成する磁性体が非磁性体マトリックス内にグラニュール形態で存在し且つグラニュール粒子が互いにアンティフェロマグネチックカップリングをなすように形成されることによって、マルチグラニュールドメイン形成が抑制できる垂直磁気記録媒体を提供するためのものである。
【解決手段】本発明は基板上に形成された垂直磁気記録層及び前記基板と前記垂直磁気記録層との間に少なくとも１層以上形成された軟磁性底層を含む垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性底層は非磁性体及び磁性体の合金で形成され、前記磁性体は前記非磁性体のマトリックス内にグラニュラ形態のナノ粒子として存在し、前記磁性体であるナノ粒子は相互アンティフェロマグネチックカップリングを形成するように一定間隔離隔していることを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。本発明の垂直磁気記録媒体によれば軟磁性底層のノイズを最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】不規則相とし成膜され磁性層を、熱処理によって規則化する規則化開始温度の低下を図る高い保磁力を有する磁性体を製造できるようにする。
【解決手段】磁性層の構成材によるターゲットに対してパルスレーザ照射によるレーザアブレーションによって基体上に磁性層４の成膜し、これを熱処理して規則化する方法をとって、規則化開始温度の低減化、すなわち規則化の熱処理温度の低減化を図る。 （もっと読む）

【課題】 高い保磁力を有する磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】 ３２．５〜６５at%のPt、３２．５〜６５at%のFeおよび０．５〜２．５at%のInを含有する磁性薄膜。 （もっと読む）

【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる （もっと読む）