【課題】 高周波電流の部分的な集中による損失低下を防止するとともに、伝送導体の断面積を大きく確保して高周波電流の損失を低減することが可能な高周波配線構造を提供する。
【解決手段】 接地導体３と、接地導体３上に備えられた誘電体４と、一部が誘電体４内に配置された伝送導体５とからなるマイクロストリップ線路６を具備してなり、伝送導体５は、接地導体３に平行な平面底部と、接地導体３に対して垂直で平面底部の配線幅方向両側に位置する一対の平面側部と、平面底部および一対の平面側部を連続的に連結する曲面部とにより区画されてなり、曲面部の曲率半径が、伝送導体の厚みの５％以上５０％以下の範囲に設定されていることを特徴とする高周波配線構造１を採用する。 （もっと読む）

（Ａ）バインダーポリマーと、（Ｂ）エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、（Ｄ）下記一般式（１）又は（２）で表される化合物と、を含有する感光性樹脂組成物。
【化１】


［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６は、それぞれ独立に、ＣＨ基、ＣＣＨ_３基、ＣＣ_２Ｈ_５基又は窒素原子を示し、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３及びＹ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｙ^５は置換基を有していてもよいアリーレン基を示す。］
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【課題】 プリント配線基板内の配線構造として同軸線路を採用し、配線から生じる電磁界を同軸シールド構造の内部に閉じこめることにより、配線間の信号クロストークおよび外来雑音に対する耐性を飛躍的に高めることを目指す。
【解決手段】 信号線１の周囲が絶縁層２で取り囲まれており、その絶縁層２の外側をシールド電極３で覆うことで、それぞれ同軸線路４が形成されている。そして、隣り合う各同軸線路４は、シールド電極３の構成材による連結部５を介して相互に接続されて、平面状に形成される。 （もっと読む）

【課題】 サブトラクティブ法で従来よりも配線ピッチの小さい導体パターンを形成することができて、高密度配線化の要求に対応できるようにする。
【解決手段】 配線基板１２の導体パターンをサブトラクティブ法で形成する場合に、導体パターンの線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とでは、最適なエッチング条件が異なることを考慮して、線幅の細い部分（配線部１４）を形成する工程と、線幅の太い部分（パッド部１６）を形成する工程とをエッチング条件を変えて別々に実施する。これにより、線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とをそれぞれ最適なエッチング条件でエッチングすることができて、サイドエッチング幅を少なくすることができ、その分、レジストパターンの線幅、ひいては、配線ピッチを小さくすることができて、配線密度を高めることができる。 （もっと読む）

集積化インダクタコアを有するプリント回路板を形成するための方法。本発明によれば、薄いニッケル層を銅箔上に形成する。次いで、この銅箔構造を基板に積層して、ニッケル層が基板と接触するようにする。銅箔を除去し、ニッケル層を基板上に残す。当該技術で知られている写真製版投影およびエッチング技法を用いて、ＮｉＦｅをニッケル層上に直接メッキして、パターン形成させ、これによって基板の集積化インダクタコアを形成する。本発明のこの方法は、公知の製法に使用されるいくつかの工程を不要とし、同時に、エッチング時間を低減し、かつＮｉＦｅの無駄を最少化する。 （もっと読む）

等しくない接合特性と側面を有する基板を塗布する方法は、第１の組の被覆条件下で第１の側面を塗布し第１の組の被覆条件と異なる第２の組の動作条件下で第２の側面を被覆することにより基板を非対称に被覆し、側面の等しくない接合特性を補償する工程を含む。また基板作成法は第１及び第２の面を有しアニーリング処理された熱可塑性基板のベース層を与える工程と、ベースライン温度及び相対湿度を有する環境下で基板のベース層を安定化する工程と、ベース層をドリリング処理してビアホールを形成する工程と、ベース層の第１及び第２の面をイオン処理してビアホールのドリリング処理による汚染物を除去しスパッタリング処理用の第１及び第２の面を作成する工程と、ベース層の温度がベース層のアニーリング処理温度を越えないよう制御して、ベース層の第１の面上に少なくとも１の金属層を第１のスパッタリング処理によりオングストロームを金属化し次に第２の面上に少なくとも１の金属層をスパッタリング処理する工程と、金属化されたベース層をベースライン温度並びに相対湿度を有する環境下で安定化させ次に金属化されたベース層を更に処理して金属層を導電性パターンに変形する工程とを含む。 （もっと読む）