【課題】半導体チップの厚さに左右されることなく半導体チップと基板の一体性を高めて機械的強度を向上させ、半導体チップと基板との接続信頼性を高めることができるモジュール部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のモジュール部品１０は、平板部１３を有する回路基板１１と、上面に入出力電極１２Ａを有し且つ下面が搭載面となるように平板部１３に搭載された半導体チップ１２と、を備え、回路基板１１には、半導体チップ１２の入出力電極面１２Ａと同一面内に端面を有する柱状電極１４と、柱状電極１４の周面を支持する支持部１５とが設けられ、且つ、柱状電極１４の端面を表面電極部１４Ａとして形成され、表面電極部１４Ａと入出力電極１２Ａとが同一面に形成された再配線ライン１８によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】 セラミック基板の平面方向の収縮を抑えるとともに、セラミック基板本体の表面に樹脂層部を形成して複合配線基板とする場合、工程の大幅な増加を招くことなく樹脂層部に高品質なビアを形成可能とする。
【解決手段】 セラミック基板本体と、前記セラミック基板本体表面に形成された樹脂層を含む樹脂層部と、前記セラミック基板本体の表面に突出形成された焼結金属からなる柱状導体とを備え、前記柱状導体の少なくとも一部は、所定形状の導体部が複数重なり合った多段構造を有する。前記各導体部は略円錐台形状とされている。樹脂層部は、複数の前記樹脂層と配線層とが交互に積層されてなり、樹脂層の厚さが当該樹脂層を貫通する導体部の高さと略等しくされている。 （もっと読む）

【課題】 セラミック基板の平面方向の収縮制御と、柱状導体の不良発生率の低減とを両立させる。
【解決手段】 基板用グリーンシートと、収縮抑制効果を有するシートに柱状導体前駆体が埋め込まれた導体形成用シートと、収縮抑制効果を有する層とがこの順に積層された積層体を形成する工程と、積層体を脱脂する工程と、脱脂後の積層体を焼成する工程と、焼成後の残渣を除去することにより、焼結金属からなる柱状導体をセラミック基板本体の表面に有するセラミック基板を得る工程とを有し、柱状導体前駆体の頭部端面が収縮抑制効果を有する層に接しない状態で焼成を行う。得られるセラミック基板は、焼結金属からなる柱状導体をセラミック基板本体の表面に有し、柱状導体の頭部端面の中央部が周縁部に比べて陥没している。 （もっと読む）

【課題】外部電極についてめっき不良等が少ない表面性状をもった多層セラミック基板と、このような表面性状を得るために適した多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面の収縮抑制のための拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を焼成し、焼成後の多層セラミック基板をエッチング液へ浸漬し、当該エッチング液中にて超音波洗浄を行うことにより前記拘束層を除去する多層セラミック基板の製造方法、また或いは、基板表面の収縮抑制のための拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を焼成し、焼成後の多層セラミック基板をエッチング液へ浸漬した後、洗浄液中にて超音波洗浄を行うことにより前記拘束層を除去する多層セラミック基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 多様な用途や要求に対応することが可能な多機能な積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 互いに異なる異種セラミック材料により構成される２種類以上のセラミック積層体２，３が、焼結金属により形成された柱状導体５によって所定の間隙をもって且つ電気的に接続された状態で一体化されている。セラミック積層体２，３間の間隙には樹脂が充填され樹脂層４が形成されている。セラミック積層体２，３と柱状導体５は、同時に焼成されたものである。 （もっと読む）

【課題】平面方向の寸法精度が高いアルミナ焼結層が得られるセラミックグリーンシート積層体並びにこれを用いた配線基板の製造方法及び配線基板を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックグリーンシート積層体１は、未焼成セラミック層１１と、その両面に積層され、且つセラミック焼結層の平面方向における収縮を抑制するための寸法安定化層１２と、を備え、未焼成セラミック層には焼結体用アルミナ粉末と焼結助剤粉末とが含有され、合計を１００モル％とした場合に、焼結体用アルミナ粉末は７５モル％以上であり、寸法安定化層には寸法安定化層用セラミック粉末（焼結体用アルミナ粉末より平均粒径の大きいアルミナ粉末及び窒化珪素粉末等）を含むセラミック粉末が含有され、このセラミック粉末を１００モル％とした場合に、寸法安定化層用セラミック粉末は５０〜１００モル％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ファインライン形成が可能で、セラミックグリーンシートと同時に焼成しても基板の反りや断線が発生せず、電気抵抗値の低い導電性ペーストを提供する。
【解決手段】ＺｒＯ₂によって被覆された平均粒径が０．２〜３．０μｍのＡｇ粒子からなる導電性粉末を有機ビヒクル中に分散させる。 （もっと読む）

【課題】キャビティ底面の隅部や端部の欠陥を抑制し、且つ反りや平坦性を確保したキャビティを有する多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】キャビティを形成するための貫通孔を有する複数のセラミック層からなるキャビティ壁部８が、複数のセラミック層からなる平板部９表面上の少なくとも一方に積層された、内部導体層を備える多層セラミック基板であって、主材と副材を有し、少なくとも前記キャビティ壁部と接する側の前記平板部表層に、副材からなる第２のセラミック層１１が平板で配置され、且つ主材からなる第１のセラミック層１２と前記第２のセラミック層が単独でも緻密に焼結する温度の範囲で焼成することを特徴とする。また、収縮抑制層を上下面１０及びキャビティ底面１３に配置してもよい。これにより、キャビティ底面の隅部や端部の欠陥を抑制し、且つ反りや平坦性を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板等の焼結体を製造するのに際して、焼結体の反りを抑制し、焼成収縮率のバラツキを低減し、寸法精度の高い焼結体を提供する。
【解決手段】被焼成体５を焼成して焼結体を製造する。バインダーを含有しており、かつ被焼成体５が焼結する温度で焼結しないセラミック組成物体２Ａ、２Ｂを、被焼成体５の表面の一部を被覆するように配置し、セラミック組成物体２Ａ、２Ｂ上に、被焼成体５の焼結温度で安定な材質からなる板状体６Ａ、６Ｂを設置する。次いで、被焼成体５を焼成する。 （もっと読む）

【課題】基板の誘電体層と電極層の僅かな焼成縮率の差により基板焼成後、基板に反りが発生する。この反りが大きくなると、印刷性が悪くなり、かつ印刷するパターンかすれや、にじみが発生し、場合によっては印刷時にスクリーンが破れたりする。
【解決手段】少なくとも、ストリップライン導体７と、複数のＧＮＤ電極と、複数のコンデンサを内蔵すると共に、前記ストリップライン導体７に対し、積層方向の両側に、ＧＮＤ電極３、４を配置してトリプレート型ストリップライン導体共振器を構成した高周波モジュールにおいて、前記トリプレート型ストリップライン導体共振器に対し、積層方向の上側（部品搭載面側）と下側（底面側）の双方に、それぞれＧＮＤ電極３、４からなるコンデンサを配置した。 （もっと読む）

【課題】高周波特性に優れ、回路設計も容易なセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】セラミック多層基板１０は、低温焼成セラミックからなる絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅと導電層１２Ａ乃至１２Ｅとが交互に積層された構成を有している。導電層１２Ａ乃至１２Ｅは、任意の平面形状を有する導体パターン１３と、導体パターン１３の領域以外の領域に形成された絶縁体スペーサ１４とで構成されている。絶縁体スペーサ１４は、熱圧着されたときに導体パターン１３の断面形状の変形を防止する役割を果たすため、セラミック絶縁層１１Ａ乃至１１Ｅ及び導電層１２Ａ乃至１２Ｅを交互に重ねて熱圧着した後も、導体パターン１３の断面形状は矩形状に維持される。 （もっと読む）

【課題】 内部導体を有する多層セラミックス基板において、内部導体周囲に生ずる欠陥を確実に解消する。
【解決手段】 複数のガラスセラミックス層が積層されるとともに、内部導体を有する多層セラミックス基板である。内部導体の周囲のガラスセラミックス層がＴｉ、Ｚｒ、Ｍｎから選択される少なくとも１種を拡散元素として含有している。内部導体は、Ａｇを導電材料とする。このような多層セラミックス基板は、導体ペーストにＴｉ、Ｚｒ、Ｍｎから選択される少なくとも１種を拡散元素として添加し、焼成時にこれら拡散元素を周囲のガラスセラミックス層に拡散させることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】積層体を形成する際の圧着時の応力の偏りを低減することが可能で、形状精度の高いキャビティを備えたセラミック基板を効率よく製造することが可能なセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１セラミック基材層１１ａと、未焼成の第２セラミック基材層１１ｂとを連結する第１柱状連結体４ａを有する第１収縮抑制層１２ａを介して、第１セラミック基材層と、未焼成の第２セラミック基材層を積層して複合積層体Ａを形成した後、第２セラミック基材層１１ｂを、第１柱状連結体４ａに接続された第１領域Ｒ１と第１柱状連結体４ａに接続されていない第２領域Ｒ２とに分割できるように、第２セラミック基材層に、第２セラミック基材層１１ｂ側から第１収縮抑制層１２ａに達する第１切り込み溝６ａを形成し、焼成した後、第２セラミック基材層１１ｂの不要部分と第１収縮抑制層１２ａとを取り除き、キャビティを備えたセラミック基板を得る。 （もっと読む）

【課題】外部導体の密着性が良好であるとともに、外部導体形成による反り量を小さくすることのできる多層基板を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体成分及びガラス成分を含む誘電体層１１〜１７が複数積層され、かつ複数積層された誘電体層１１〜１７の最外層表面に外部導体３１〜３３が形成された多層配線基板１０であって、外部導体３１〜３３が、導電体成分及びＺｎＯ系ガラスを含み、最外層に位置する誘電体層１１が、焼成過程においてＺｎに対して安定な誘電体成分及びガラス成分を含むことを特徴とする多層配線基板１０。誘電体成分としては、周期律表ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素及びＶＩａ族元素の酸化物の１種又は２種以上、又はフォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）が好適である。 （もっと読む）

【課題】本発明は反り防止用の補強手段が設けられた多層配線基板及びその製造方法に関し、薄型化を図りつつ反りの発生を抑制することを課題とする。
【解決手段】配線層１０５，１０８，１１０と絶縁層１０４，１０６，１０７とを複数層積層形成してなる多層配線基板において、積層される複数の絶縁層１０４，１０６，１０７の内、積層方向に対し積層中心に位置する絶縁層１０６を補強材を含む補強材入り絶縁層とする。 （もっと読む）

【課題】 基板端部の変形領域が小さくし、１基板当たりの製品取れ数を増加できる低温焼成の多層セラミック基板に係る製造方法を提供する。
【解決手段】 低温焼成のセラミックでなるグリーンシートを準備する工程と、グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を主とするセラミックスラリーをキャリアフィルム上に塗布し、乾燥して拘束シートを準備する工程と、所望のグリーンシートに導体ペーストで導体パターンやビア導体を作製する工程と、ビア導体及び／または導体パターンを形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、拘束シートをグリーンシート積層体の両面または片面に積層したまま焼成する工程と、焼成後の積層体から拘束シートを除去する工程とを具備し、拘束シートとグリーンシート積層体を圧着する際の圧着圧力を、グリーンシート積層体作製時の圧着圧力以上とする多層セラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りが少ない積層体及び積層部品を提供する。
【解決手段】無機組成物及び有機バインダを含む２種のセラミック層と、金属組成物及び有機バインダを含む導体層と、を積層してなり、前記セラミック層のうち、一方のセラミック層の焼成収縮開始温度Ｔ_２が、他方のセラミック層の焼成収縮開始温度Ｔ_１よりも高く、前記他方のセラミック層の収縮終了温度Ｔ_３及び前記導体層の収縮終了温度Ｔ_４よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 無収縮焼成方法によって多層セラミック基板を形成する際のビアホールの変形や空隙の発生等を防止する。
【解決手段】 複数のセラミック層が積層され、これらセラミック層のうちの少なくとも一部を貫通してビアホールが形成されてなる多層セラミック基板である。ビアホールが形成されたセラミック層のうちの少なくとも一部において、ビアホールの周囲に電極パッドが設けられている。そして、相対的に内層に位置するセラミック層に設けられた電極パッドの大きさが外層に位置するセラミック層に設けられた電極パッドの大きさよりも大とされている。これにより、表面に近い部分から中央に近い部分まで、全てのグリーンシートにおいて、グリーンシート毎に収縮力が適正に相殺され、ビアホールの形状（径）が一定に保たれる。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板のより多くの多層化或いは小型化並びに設計の自由度向上を実現化した上で、異なる誘電体をシート主面方向に電気的に接続し、設計の自由度を上げ、よりコンパクト化し、従来の層状構造と比較して必要部位のみに、必要なサイズで誘電体を形成し、組み合わせる誘電体の材料物性（焼成縮率、熱膨張係数）の制限を緩和した多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第２グリーンシートの所定部分に切り込み又はクラックを入れたのち所定部分を第２支持体上に載せたまま所定部分以外をテープではがし取り、打ち抜き孔を有する第１グリーンシートを第２支持体に重ねてその打ち抜き孔にその所定部分をはめ込んで異材質複合グリーンシートを作製する際に、孔のない第２支持体上に常に第２グリーンシートの所定部分をのせておくことで、脱落を防止する。 （もっと読む）

【目的】平面方向の収縮率を低く抑えることができる積層ガラス−セラミック回路基板の製造方法を提供する。
【構成】積層ガラス−セラミック回路基板の製造方法であって、第１ガラス転移点を有するガラス成分を含む第１未焼結シートと、前記第１ガラス転移点よりも８０℃以上低い第２ガラス転移点を有するガラス成分を含む第２未焼結シートとの積層体を含んで構成される未焼成状態の積層基板を得る工程と、ピーク温度に向かって温度上昇させることにより、前記未焼成状態の積層基板を焼成する焼成工程と、を有し、前記焼成工程は、前記第１ガラス転移点よりも低く、前記第２ガラス転移点よりも高い温度で焼成することにより、前記第２未焼結シートの収縮応力を前記第１未焼結シートで緩和する第１工程と、前記第１ガラス転移点よりも高い温度で焼成することにより、前記第１未焼結シートの収縮応力を前記第２未焼結シートで緩和する第２工程と、を順次経る。 （もっと読む）