【課題】 高周波信号の伝送特性に優れるとともに、積層不良の発生が効果的に防止された配線基板を提供する。
【解決手段】 複数の絶縁層１が積層されてなる絶縁基板２と、絶縁層１の層間に形成されたメタライズ線路３とを備える配線基板９であって、メタライズ線路３は、同じ層間に位置する上側メタライズ線路３ａと下側メタライズ線路３ｂとが、長さ方向に沿って互いの幅方向の一部同士が重なって接合されている。上側および下側メタライズ線路３ａ，３ｂが幅方向の一部同士が重なっているので、幅方向の全部で重なる場合に比べて、接合が比較的弱いメタライズ線路３（３ａ，３ｂ）同士の重なり幅を小さく抑えることができ、絶縁層１間の積層不良（デラミネーション）の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板内に発生する信号の反射を大幅に抑制して信号の品質を保つことができる配線基板、および前記配線基板を備える電子装置を提供する。
【解決手段】配線基板は、絶縁基板、信号配線、複数の基準電位配線層１５、および複数の基準電位配線導体を備え、複数の基準電位配線層１５は、隣接する絶縁層の間に配置され、基準電位配線導体は、互いに対向する基準電位配線層１５を接続し、信号配線は、少なくとも１つの絶縁層を貫通して設けられ、第１基準電位配線導体１６ａは、第１信号配線貫通導体２８ａとの距離Ｗ１が、第２信号配線貫通導体２８ｂとの距離Ｗ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】 配線基板内に発生する信号の反射を大幅に抑制して信号の品質を保つことができる配線基板、および前記配線基板を備える電子装置を提供する。
【解決手段】 配線基板１１は、絶縁基板１３、信号配線１４、複数の基準電位配線層１５、および複数の基準電位配線導体１６を備え、複数の基準電位配線層１５は、隣接する絶縁層１３Ａの間に配置され、基準電位配線導体１６は、互いに対向する基準電位配線層１５を接続し、信号配線１４は、少なくとも１つの絶縁層１３Ａを貫通して設けられ、第１基準電位配線導体１６ａは、第２基準電位配線導体１６ｂよりも積層方向に垂直な方向の断面積が小さい。 （もっと読む）

【課題】配線層の電気的特性を保ち、被検査電子部品の検査情報を正確に収集できる電子部品検査用配線基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックｓ１〜ｓ３層からなり、表面２に形成された複数のパッド６、上記セラミック層間に形成された配線層７、９、および上記パッド６と配線層７，９と裏面３との間を接続する複数のビア導体ｖを有する第１積層体Ｃ１と、上記と同じ材料組成で且つ複数のセラミック層ｓ４〜ｓ６からなり、表面４と裏面５との間を貫通する複数のビア導体Ｖを有し、第１積層体Ｃ１の裏面３側に積層された第２積層体Ｃ２と、を備え、第１積層体Ｃ１と第２積層体Ｃ２との間には、第１積層体Ｃ１の裏面３に露出するビア導体ｖと第２積層体Ｃ２の表面４に露出するビア導体Ｖとを接続するランド１０のみが配置され、該ランドの直径は、該ランド１０に接続されるビア導体ｖ，Ｖの直径の２〜５倍である、電子部品検査用配線基板１。 （もっと読む）

【課題】 配線基板に搭載する半導体素子のスイッチング動作時に発生する同時スイッチングノイズやＥＭＩノイズを抑制することができ、その結果、半導体素子の作動性を良好なものとすること。
【解決手段】 配線基板１は、電源配線層４および接地配線層５と、電源配線４および接地配線５の間に設けられた複数の絶縁層２ｂ，２ｃと、絶縁層２ｂ，２ｃの間に配置された信号配線層３とを備え、電源配線層４および接地配線層５は、絶縁層２ｂ，２ｃを介して信号配線層３と対向する部位に突出部６を有している。 （もっと読む）

【課題】
セラミック母基板を各配線基板領域に分割する際に、貫通孔の内面に被着されたメタライズ層が剥がれることのない多数個取り配線基板を提供すること。
【解決手段】
多数個取り配線基板は、複数の絶縁層を有し、複数の配線基板領域３が形成されたセラミック母基板２の主面に、配線基板領域３の境界に沿って分割溝９を設けるとともに、内面の全面にメタライズ層６が被着された複数個の貫通孔４を、分割溝９をまたがるようにして設けた多数個取り配線基板であって、メタライズ層６は、縦断面において薄肉部と厚肉部とが漸次厚みが変化するように交互に形成され、厚肉部は、縦断面において各絶縁層の中央部に形成されている。
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【課題】多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、薄肉化による高密度化を図ることが可能な多層配線回路基板を提供すること。
【解決手段】少なくとも２層以上のポリイミド基材層と、前記ポリイミド基材層の少なくとも片面にそれぞれ形成された配線回路層とを有する多層配線回路基板であって、前記ポリイミド基材層のうちの少なくとも１層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０^−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることを特徴とする多層配線回路基板。 （もっと読む）

【課題】発光素子の搭載面を有する複数のセラミック層からなり、前記発光素子の熱を効率良く放熱でき、且つ所要の回路の配線層を容易に配置できると共に、簡単で且つ少ない工程で製造が可能な配線基板を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ（発光素子）１０の搭載面６を有する第１セラミック層ｓ１（ｓ１ａ，ｓ１ｂ）と、金属成分を含有し且つ上記第１セラミック層ｓ１の搭載面６の反対である下層側に積層され、かかる第１セラミック層ｓ１よりも熱伝導率が高い第２セラミック層ｓ２と、上記搭載面６に形成され且つ表層にＡｇメッキ膜１８およびＡｕメッキ膜１９の少なくとも一方が被覆されているパッド（導体）８，９と、を含み、上記第１セラミック層ｓ１は、側面７ａおよび前記ＬＥＤ（発光素子）１０の搭載面６を有するキャビティ５ａを備え、かかる搭載面６に上記パッド８，９が形成されている、配線基板１ａ。 （もっと読む）

【課題】セラミック層間に比較的高密度の配線層を有する第１積層体と、その裏面側に積層され且つセラミック層をビア導体が貫通する第２積層体とを備え、被検査電子部品の検査情報を正確に収集できる電子部品検査用配線基板およびその製造方法。
【解決手段】セラミック層からなり、表面のパッド、セラミック層間の配線層、およびパッドと配線層と裏面との間を接続するビア導体を有する第１積層体と、上記と同じ材料組成のセラミック層からなり、表面と裏面との間を貫通する複数のビア導体を有し、第１積層体の裏面側に積層された第２積層体とを備え、第１・第２積層体間には、第１積層体の裏面に露出するビア導体と第２積層体の表面に露出するビア導体とを接続する複数のランド、およびこれらの周りに位置する配線層が配置されており、該ランドの直径は、ビア導体の直径の２〜５倍である、電子部品検査用配線基板。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法を適用して、基板との密着性が高い配線を有し、且つ高周波特性に優れた配線基板を製造しうる配線基板の製造方法、及び該製造方法により得られた配線基板を提供する。
【解決手段】（Ａ）基板の一方の面又は両方の面に、配線形成領域となる凹部２８又は貫通孔３０を形成する工程と、（Ｂ）基板上に、無電解めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を有し且つ基板表面と直接結合するポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（Ｃ）ポリマー層上に、無電解めっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（Ｄ）無電解めっきを行い金属層２６を形成する工程と、（Ｅ）凹部又は貫通孔内のみに金属層が残存するように、基板上に存在する不要な金属層を除去して配線を形成する工程と、を含む配線基板３６の製造方法。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めることができるとともに、剛性を高くすることで反りを防止でき、しかも肉薄化できて配線のデザインの自由度も高い多層配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の多層配線基板１１は、金属配線層５１〜５６及び接着絶縁層６１〜６５を備える。金属配線層５１〜５６は平面方向に延びる金属導体部７３を有し、接着絶縁層６１〜６５はビア導体８５を有する。金属配線層５１〜５６同士は接着絶縁層６１〜６５を介して接合され、異なる金属配線層５１〜５６に属する金属導体部７３同士はビア導体８５を介して互いに電気的に接続される。なお、金属配線層５１〜５６の厚さは、接着絶縁層６１〜６５の厚さよりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】Ｘ−Ｙ方向の収縮率が少なく、かつ、絶縁信頼性に優れた多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１ガラス粉末および軟化点が前記第１ガラス粉末の結晶化温度よりも高い第２ガラス粉末を主成分とし、セラミック粉末を２０体積％以下含有する第１グリーンシートを作製する工程Ａと、セラミック粉末および第３ガラス粉末の少なくとも一方を主成分とする第２グリーンシートを作製する工程Ｂと、前記第１グリーンシートおよび前記第２グリーンシートを積層して積層体を作製する工程Ｃと、前記積層体を焼成する工程Ｄとを具備する多層基板の製造方法であって、前記工程Ｄにおいて、前記第１ガラス粉末から析出した結晶が前記第１グリーンシートに含まれていた結晶と合わせて前記第１グリーンシートに含まれる全無機成分の４０体積％以上８０体積％以下である時に前記第２ガラス粉末を軟化させ、次いで、前記第１グリーンシートの焼結を終了させ、前記第１グリーンシートの焼結が終了した後に前記第２グリーンシートを焼結させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機械的強度等に優れる多層セラミック基板を提供すること。
【解決手段】本発明の多層セラミック基板１０は、板状のセラミック基板本体１１、複数の表面側端子２１、複数の裏面側端子２２、内層電極３１、複数の導通用ビア導体４２等を備える。複数の導通用ビア導体４２は、セラミック基板本体１１の厚さ方向に延びる複数のビア孔４１内に配置されている。複数の導通用ビア導体４２は、表面側端子２１と裏面側端子２２との間、内層電極３１と表面側端子２１との間、あるいは内層電極３１と裏面側端子２２との間を電気的に接続する。複数の導通用ビア導体４２間のスペース４３には、複数のガス抜き孔６１が形成されている。複数のガス抜き孔６１は、セラミック基板本体１１の厚さ方向に延び、かつ、表面１２及び裏面１３の少なくともいずれかにて開口している。 （もっと読む）

【課題】基板と中間層である樹脂層との間で、層間剥離、接着不良、クラック等がなく、更に、中間層である樹脂層に形成されたビアホール導体やサーマルビアの形状や位置精度に寸法ズレのない、信頼性に優れた複合基板を提供する。
【解決手段】複合基板１は、熱可塑性樹脂を含む第１の樹脂層７とこの第１の樹脂層７の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂を含む第２の樹脂層８からなる多層樹脂層４と、前記多層樹脂層４の一方の主面に設けられた第１の基板又は電気素子２と、前記第１の基板又は電気素子２とは異なる熱膨張係数を有し、前記多層樹脂層４の他方の主面に設けられた第２の基板又は電気素子３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れ、信頼性を向上させることができるセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック多層基板１０は、複数のセラミック層１１Ａが積層されてなるセラミック積層体１１と、セラミック積層体１１の下面に形成された凹部１１Ｂと、凹部１１Ｂの内部に露出する接続用電極１２Ｃと、凹部１１Ｂ内に充填されて接続用電極１２Ｃと導通する導電性樹脂１４を主体とする端子電極１３Ａと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】平面方向の寸法精度が高いアルミナ焼結層が得られるセラミックグリーンシート積層体並びにこれを用いた配線基板の製造方法及び配線基板を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックグリーンシート積層体１は、未焼成セラミック層１１と、その両面に積層され、且つセラミック焼結層の平面方向における収縮を抑制するための寸法安定化層１２と、を備え、未焼成セラミック層には焼結体用アルミナ粉末と焼結助剤粉末とが含有され、合計を１００モル％とした場合に、焼結体用アルミナ粉末は７５モル％以上であり、寸法安定化層には寸法安定化層用セラミック粉末（焼結体用アルミナ粉末より平均粒径の大きいアルミナ粉末及び窒化珪素粉末等）を含むセラミック粉末が含有され、このセラミック粉末を１００モル％とした場合に、寸法安定化層用セラミック粉末は５０〜１００モル％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平衡伝送経路と不平衡伝送経路とが混在する多層配線基板において、双方の特性インピーダンスを容易に整合させ、配線密度が高く、半導体素子の高速動作に対応可能な多層配線基板を提供すること。
【解決手段】一般信号線１と、互いに波形が反転した差動信号をそれぞれ伝送する一対の信号配線から成る差動信号線２と、一般信号線１および差動信号線２に間隔をあけて配置され、差動信号線２と電磁結合する部位に非形成部を有する基準電位層４と、を具備する。 （もっと読む）

本発明はｎ層の所定材料の元素状活性層（ｎは２以上の整数）を含む多層構造物を支持体上に製造する方法（１００）に関する。この方法は、第１の元素状材料活性層の成膜工程（２００）と、ｎ番目の元素状材料活性層の成膜工程（３００）とを含む方法であって、特性が制御された多層構造物を得るために、成膜されたｎ層の材料元素状活性層上に、ｎ層の元素状活性層のそれぞれの個々の特性を変性させるのに適したイオン種をレジストを介して注入する単一の工程（６００）を含むことを特徴とする。
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【課題】特別な防湿対策を施すことを不要にしながら、外部サージの放電のし易さが変動することを防止し、また、基板を小型化する。
【解決手段】本発明の配線基板は、基板１に少なくとも２層の配線層６〜１０を設けて成るものにおいて、１つの配線層６に外部入力端子用パターン１１を設け、上記１つの配線層６と異なる配線層１０にグランドパターン１２を設け、基板１にその板面に対して垂直方向にビアホール１３を設け、このビアホール１３に抵抗体１４を充填し、そして、抵抗体１４の上下端部を外部入力端子用パターン１１及びグランドパターン１２に接続したものである。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性に優れた配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板９は、複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体１の主面に、格子状に配列して形成される複数の接続パッド２および複数のダミーパッド５を有し、接続パッド２は、ビア導体４を介して、絶縁基体１の内部に複数のセラミック層１ａに沿って配設される内部配線導体３と電気的に接続され、ダミーパッド５は配線導体３とは電気的に独立して形成され、ダミーパッド５は、絶縁基体１を厚み方向に貫通して形成される貫通導体６と接続されている。 （もっと読む）