【課題】 配線基板の配線層間に生じる浮遊容量を小さくすることで、より高速な素子の検査や、高速の検査ができる高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３間がビア導体４で接続された配線基板であって、配線層３のうち、下から２層目の絶縁樹脂層２の下面に位置する接続用配線層３ａと、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された内部配線１ａの端部とが電気的に接続されており、接続用配線層３ａとセラミック配線基板１との間に絶縁樹脂層２が存在しない空間５がある配線基板である。比誘電率の比較的大きなセラミック配線基板１の内部配線１ａと接続用配線層３ａとの間に比誘電率の小さな空間５が入ることで、これらの間に発生する浮遊容量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の優れた熱放熱性を有し、外観不良および半田付け性の低下を防止した高品質な窒化アルミニウム基板を得る。
【解決手段】同時焼成法により形成されたＷまたはＭｏを主成分とするメタライズ層を表面に備える厚さ１．５ｍｍ以下の単層の窒化アルミニウム基板において、メタライズ層を除く窒化アルミニウム基板は１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有し、メタライズ層の厚さは１〜２０μｍであり、メタライズ層表面を２０倍に拡大観察した際に液相成分が観察されないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電源導体層および接地導体層に発生する抵抗およびインダクタンスを小さくして同時スイッチングノイズを低減することができる多層基板を提供すること。
【解決手段】 多層基板１は、複数の電源貫通導体10および複数の接地貫通導体11は、平面視で搭載部１ａの中心から外周側に向かって交互に環状に配列されており、電源導体層７は、平面視で環状に配列された複数の接地貫通導体11が貫通する部位を含む環状の電源導体層非形成部７ａを有しており、接地導体層８は、平面視で環状に配列された複数の電源貫通導体10が貫通する部位を含む環状の接地導体層非形成部を有している。 （もっと読む）

【課題】被検査電子部品の検査情報を正確に収集できる電子部品検査用配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック層ｓ１〜ｓ３からなり、表面２のパッド６、セラミック層ｓ１〜ｓ３間の配線層７，８、およびパッド６と配線層７，８と裏面３との間を接続するビア導体ｖを有する第１積層体Ｃ１と、上記と同じ材料組成のセラミック層ｓ４〜ｓ６からなり、表面４と裏面５との間を貫通する複数のビア導体Ｖを有し、第１積層体Ｃ１の裏面３側に積層された第２積層体Ｃ２と、を備え、第１・第２積層体Ｃ１，Ｃ２間には、第１積層体Ｃ１の裏面３に露出するビア導体ｖと第２積層体Ｃ２の表面４に露出するビア導体Ｖとを接続する複数のランド１０、およびこれらの周りに位置する配線層９が配置されており、該ランド１０の直径は、ビア導体ｖ，Ｖの直径の２〜５倍である、電子部品検査用配線基板１。 （もっと読む）

【課題】焼成、冷却時にグリーンシートを積層した積層体の変形を抑制できる多層セラミック基板の製造方法と、多層セラミック基板を用いた空気流量計を提供する。
【解決手段】導電性層による導体配線２及び／又は導体層３を形成したシート状のセラミック基板１Ａ〜１Ｆを多層に積層して焼成する多層セラミック基板の製造方法において、導電性層２，３が形成された複数のグリーンシートのうち、積層される表面積に対して占有率の大きい導電性層が形成されたグリーンシート１Ｄ、１Ｅを、積層体の厚さの２分の１以下の位置に積層し、占有率の大きい導電性層が形成されたグリーンシート１Ｅを積層体１の下層側となるように配置して積層体を焼成する。 （もっと読む）

【課題】 耐薬品性に優れるとともに、低抵抗の内部配線層を有するプローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 絶縁基体の相対密度が９６％以上であり、前記内部配線層が銅を３０〜４０質量％、タングステンを６０〜７０質量％、前記ランドが銅を３２〜４２質量％、タングステンを５８〜６８質量％の割合で含み、前記貫通導体がモリブデンを主成分として含有してなり、前記ランドにおける前記銅の含有率が前記内部配線層における前記銅の含有率よりも多く、かつ前記内部配線層の前記ランドに近い領域および前記ランドから遠い領域における前記銅の含有率がほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を絶縁層内に内蔵する半導体装置において、半導体素子近傍の反りを抑制する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置５０は、半導体基板２を具備する半導体素子１と、半導体素子１が埋設された絶縁層１０と、少なくとも一部が、半導体素子１に接続される配線構造２０とを備える。半導体基板２には、半導体素子１の反り量を低減する手段として、当該半導体基板２の少なくとも一主面側に１又は複数の開口部３を形成した。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗導体および高融点導体を主成分として含む低抵抗な内部配線層を有し、耐薬品性に優れたプローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 本発明は、アルミナ質焼結体からなる絶縁基体１１と、縁基体１１の内部に設けられたＣｕおよびＷを主成分として含む内部配線層１２と、内部配線層１２にランド１３を介して接続されたＭｏを主成分として含む貫通導体１４とを備えたプローブカード用配線基板であって、ランド１３が、内部配線層１２と接触し貫通導体１４と接触しないＣｕおよびＷを主成分として含む第１の層１３１と、貫通導体１４と接触し内部配線層１２と接触しないＭｏからなる粒子本体にＡｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２の被膜が形成されてなる複合粒子を主成分として含む導電性ペーストの焼成によって形成された第２の層１３２とからなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体の表面に形成された電極パターンの画像認識装置による誤認識を生じさせることなく、絶縁基体の表面に隣接して配置される配線間の絶縁性が保持された多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｓｉ、Ｍｎ、ＭｇおよびＭｏを含むアルミナ質焼結体からなる絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを複数積層してなる絶縁基体１１と、絶縁基体１１の表面および内部に設けられた配線層１２、１３と、絶縁基体１１の内部に設けられ、配線層１２、１３に接続された貫通導体１４とを備えた多層配線基板において、Ｍｏがアルミナ質焼結体中に平均粒径０．１〜０．５μｍで、かつ最大粒径１μm以下の粒子として含まれているとともに、Ｍｏの含有量が０．０７〜０．４２質量％であり、かつアルミナ質焼結体の明度が４０％〜４６％である。 （もっと読む）

【課題】 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、搬送ロールに蓄えられる静電気が、離型層表面に傷を発生させる主要因となっていることを見出し、離型層中に帯電防止剤を含有させることにより、搬送中に生じる離型層表面の傷発生を防止し得ることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の内容を含む。
【解決手段】 支持体層上に帯電防止剤を含有する離型層が形成され、該離型層上に金属膜層が形成されている金属膜付きシート。 （もっと読む）

【課題】接続用パッドの小型化を実現するとともに、接続用パッドとセラミック基板との接続強度および接続用パッドと外部接続端子との接続強度の低下を抑制できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板（１）は、ガラス成分を含む絶縁基板（２）と、絶縁基板（２）に設けられた配線導体（３）とを有する。配線導体（３）は、絶縁基板（２）の内部に設けられ、ガラス成分を含む第１導体層（３ａ）と、該第１導体層（３ａ）上に設けられ、一部が絶縁基板（２）の表面に露出する第２導体層（３ｂ）とを有する。第２導体層（３ａ）は、ガラス成分を含まない、又は第１導体層（３ａ）よりも質量濃度の小さいガラス成分を含む。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１と、セラミック配線基板１の上面に積層された複数の絶縁樹脂層２と、複数の絶縁樹脂層２それぞれの上面の配線層３と、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間を接続するビア導体４と、最下層の絶縁樹脂層２の上面からセラミック配線基板１内に至り、最下層の絶縁樹脂層２の上面の配線層３とセラミック配線基板１の上面の外部配線７ａとを接続する貫通導体６とを具備する配線基板。熱応力が大きくなるセラミック配線基板１と最下層の絶縁樹脂層２との界面に、比較的接続強度の弱いビア導体４の端面と外部配線７ａとの接続部を有さないので、配線が破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】 表面に形成された電極パターンの画像認識装置による誤認識を生じさせることなく、薄層化された絶縁層における誘電率の低下を抑制するとともに絶縁性が保持された多層配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分とし、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇおよび着色成分としてＭｏを含むアルミナ質焼結体からなる厚さ１０〜９０μｍの絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを複数積層してなる絶縁基体１１と、絶縁基体１１の表面および内部に設けられた配線層１２、１３と、絶縁基体１１の内部に設けられ、配線層１２、１３に接続された貫通導体１４とを備えた多層配線基板において、複数の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄは、Ｍｏの含有量が０．１〜０．４質量％であり、かつ明度が４０％〜４６％である。 （もっと読む）

【課題】配線基板の小型化が進んでいるため、レーザー加工による接続配線の露出面を小さくする必要がある。このように露出面が小さくなった場合、エッチングに掛かる時間が増加することから、金属パッドへの影響が大きくなる可能性がある。
【解決手段】絶縁性基体と、該絶縁性基体の表面に配設された金属パッドと、前記絶縁性基体の表面に配設されたフローティングパッドと、少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設され、前記フローティングパッドと電気的に接続された第１の接続配線と、少なくとも一部が前記絶縁性基体に埋設され、前記金属パッドと電気的に接続された第２の接続配線と、を備え、前記第１の接続配線と前記第２の接続配線とが互いに離隔し、前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線が、前記金属パッドを構成する主成分よりもイオン化傾向の大きい成分を主成分とする配線基板とする。 （もっと読む）

【課題】複数のセラミック層を積層してなる基板本体の中空部に腐食（変色）などのない内部導体層を有し、且つ該基板本体の表面などに露出して形成した外部導体層にメッキ膜を確実に被覆した配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層ｓ１〜ｓ６を積層してなり、平面視が矩形の表面３、裏面４、および四つの外壁面５ａ，５ｂを有する基板本体２と、該基板本体２の内部に形成され、且つ上記複数のセラミック層ｓ１〜ｓ６のうち、最上層と最下層のセラミック層ｓ１，ｓ６および下層側のセラミック層ｓ５を除いた中層のセラミック層ｓ２〜ｓ４の内側に形成された中空部６と、該中空部５の床面８を形成する下層側のセラミック層ｓ５の表面に平面形状に形成された単一の導体層１０と、上記中空部５の天井面７と基板本体２の表面３との間を貫通する複数の貫通孔ｈ１と、を備え、該貫通孔ｈ１は低温焼成セラミックからなる充填材ｊ１により閉塞されている、配線基板Ｋ１。 （もっと読む）

【課題】腐食性流体に晒される環境下でも使用できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板（１）は、アルミナを含む基板（２）と、基板（２）の内部に設けられるとともに、端部が基板（２）の表面に露出した、モリブデンあるいはタングステンを含むビア導体（３）と、基板（２）の表面上に、端部を覆うように設けられた活性金属を含む薄膜（４）と、薄膜（４）上に設けられた白金を含む導体層（５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】穴部内の配線層上に形成された金属層の厚みの差が小さい配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板（１）は、穴部（４）が形成された絶縁基板（２）と、穴部（４）の内壁面に形成された配線用の導体層（３）と、導体層（３）上に形成された金属層（５）とを有する。金属層（５）は、厚みが０．１〜１．０μｍの電解めっき層（５ａ）と、電解めっき層（５ａ）上に形成された、該電解めっき層（５ａ）と同一の材料を含む無電解めっき層（５ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハー上のパッドとの接続に関して十分な寸法精度を有し、なおかつ、焼成時に焼成セッターとの融着を防止できる多層セラミック基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ムライトを主結晶とするセラミックを有する多層セラミック基板１であって、ムライトの含有量が、前記セラミック成分の９３〜９９質量％であり、且つ、ムライト以外の成分として、Ｍｇ及びＹの少なくとも１種を含むとともに、多層セラミック基板の内部に、導電層の成分として、Ｗ及びＭｏの少なくとも１種を含む。更に、−５０〜１５０℃の平均熱膨張係数が３．０〜４．０ｐｐｍ／℃で、且つ、−５０〜１５０℃における各温度の熱膨張係数α１と、同じ温度でのＳｉの熱膨張係数α２とが、０ｐｐｍ＜α１−α２≦２．５ｐｐｍの関係を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハー上のパッドとの接続に関して十分な寸法精度を有し、なおかつ、温度差が大きな試験等の場合でも、ウェハー上のパッドと基板上に形成された接続端子とが接続不良無く接続することが可能な多層セラミック基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ムライトを主結晶とするセラミックを有する多層セラミック基板１であって、ムライト以外の成分として、Ｓｉ及びＡｌを含み、−５０〜１５０℃の平均熱膨張係数が３．０〜４．０ｐｐｍ／℃で、且つ、−５０〜１５０℃における各温度の熱膨張係数α１と、同じ温度でのＳｉの熱膨張係数α２とが、０ｐｐｍ＜α１−α２≦２．５ｐｐｍの関係を有する。 （もっと読む）

【課題】塩素原子・臭素原子を含有する重合体や難燃剤などを含まない硬化性樹脂組成物を用いた場合であっても、優れた難燃性を示し、しかも、電気特性や配線の埋め込み性にも優れる多層プリント回路基板用フィルムを提供する。
【解決手段】難燃性有機高分子材料フィルムからなる中間層と、この中間層の両面側に積層され、官能基を有する脂環式オレフィン重合体および硬化剤を含んでなる硬化性樹脂組成物により形成された第１外層および第２外層と、からなる多層プリント回路基板用フィルムであって、中間層の厚さ（ｔ_Ｍ）が３〜２４μｍであり、第１外層の厚さ（ｔ_Ｏ１）が１〜２０μｍであり、第２外層の厚さ（ｔ_Ｏ２）が６〜２０μｍであり、第１外層および第２外層の厚さの和と中間層の厚さとの比（（ｔ_Ｏ１＋ｔ_Ｏ２）／ｔ_Ｍ）が０．５〜３であることを特徴とする多層プリント回路基板用フィルム。 （もっと読む）