【課題】 絶縁基体と内部電極層との間のセパレーションを防止できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト粒子を主結晶粒子とする焼結体からなる絶縁基体の内部に、銅を４０〜６０体積％と、タングステンまたはモリブデンの少なくとも一方を４０〜６０体積％とを含有する内部配線層を備えている配線基板であって、前記内部電極層の周囲に存在する前記主結晶粒子として、アルミナが多く含まれているムライト粒子を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内周面への凹み発生を低減できるグリーンシート積層体および絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックグリーンシート１の配線基板領域１ａとそれぞれの配線基板領域周囲のダミー領域１ｂとに跨るように配置された貫通孔２を成形する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層加圧して積層体５を作製する工程を有し、貫通孔は間隔をあけて配置された２つの孔がダミー領域側から配線基板領域側へ、配線基板領域とダミー領域との境界線１ｃの延長線１ｄを跨いで延びると共に配線基板領域でつながった形状であるグリーンシート積層体の製造方法である。複数のセラミックグリーンシートを積層加圧した際に上下に配置される平板状の金属体または弾性体が、２つの孔の間の積層体によって支持されて平板状の金属体または弾性体が貫通孔内に入り込むことを抑制でき、貫通孔の開口縁に傾斜を低減できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔３を有する絶縁板１と、貫通孔３内に充填された貫通導体２とを備える配線基板であって、貫通孔３の内側面と貫通導体２の側面との間に、内部に空隙４ａを含んだ焼結体からなる緩衝層４が介在している配線基板である。貫通導体２の熱膨張を、空隙４ａを含んだ緩衝層４の変形によって吸収することができるため、貫通導体２の長さ方向の膨張を抑制して、貫通導体２の絶縁板１からの突出を抑制できる。 （もっと読む）

本発明のセラミックパッケージ台座は、クパッケージ基板（1）と、その上に印刷される回路配置層と、パッケージ固定層と、を含む。該回路配置層は少なくとも１つの金属スラリーエリア（３）を含み、金属スラリー（３）が設置されない空白エリア（２）には、さらに金属スラリーエリア（３）と対応する少なくとも１つの補償金属スラリーエリア（４）が設けられる。金属スラリーエリアと対称に分布する補償金属スラリーエリアを設けることによって、応力を減少させ、台座変形の状況を有効に改善することができる。
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【課題】 絶縁層間の空気残留に起因するデラミネーションを抑制できる多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】 絶縁層102が積層されてなり、配線基板領域107が縦横の並びに配列形成され、外周部に捨て代領域103が設けられた母基板101と、捨て代領域103において絶縁層102の層間に形成された枠状メタライズ層104と、枠状メタライズ層104と同じ層間において配線基板領域107内に形成された配線導体105および配線基板領域107の境界112を越えて配線導体105同士または配線導体105と枠状メタライズ層104とを接続するめっき用接続導体106とを備え、枠状メタライズ層104がめっき用接続導体106および配線導体105よりも薄い
多数個取り配線基板である。枠状メタライズ層104が比較的薄いため、積層時に絶縁層102間からの空気の排出が妨げられにくく、空気の残留に起因するデラミネーションを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】配線間での銅のマイグレーションを防止して高集積化を図ることができる多層配線基板を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１０の配線積層部３０において、上面３１側には複数の開口部３５，３６を有するソルダーレジスト２５が配設され、ソルダーレジスト２５に接している最外層の樹脂絶縁層２３にＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２が埋設されている。ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２は、主体をなす銅層４４と銅層４４の外面を覆うめっき層４６とにより構成される。ソルダーレジスト２５と樹脂絶縁層２３との界面に存在する導体層２６は、銅層２７と銅層２７の外面を覆うニッケルめっき層２８とにより構成される。 （もっと読む）

【課題】各セラミック層に挟まれる多数の側面電極を備えたセラミック多層配線基板を製造するのに、多数個取り用のグリーンシートを積層圧着してなる未焼成セラミック積層体とし、これを配線基板部位相互間の境界線で切断して未焼成配線基板とし、その側面に側面電極形成用のメタライズインク部位を露出させたものとし、これを焼成する場合で、側面電極の層間方向の端面と、これが接すべき各セラミック層の端面との間に剥離が生じるのと、側面電極が基板側面から凹むのを防ぐ。
【解決手段】 グリーンシート２０１の側面電極形成用のビアホール２１１に充填した柱状メタライズインク部位３０の端面、又はその端面が接すべきグリーンシート２０１の面の対応部位に、メタライズインクをパッド層を３８，３９なすよう補填印刷しておく。これにより圧着後の未焼成セラミック積層体の切断前、その内部のインクを高圧にする。 （もっと読む）

【課題】プローブピンの半導体素子の電極への接続が確実に行なえるとともに、インピーダンスの不整合が小さいプローブカードおよびプローブ装置を提供することにある。
【解決手段】セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３間が貫通導体４で接続された配線基板と、最上層の絶縁樹脂層２の上面の配線層３に接続されたプローブピン５とを具備しており、最上層直下の２層目から下に位置する絶縁樹脂層２の少なくとも１層に、平面視でプローブピン５の配線層３との接続領域を投影した領域に対応する、絶縁樹脂層２のヤング率よりも小さいヤング率の弾性樹脂領域６が設けられているプローブカードである。半導体素子の電極とプローブピン５との接触を確実にすることが可能となり、また高周波信号の伝送を良好にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】集積回路デバイスの読出回路を放射線から保護し、且つ寄生容量の増加を抑制することが可能な放射線検出器モジュール用の接続基板を提供する。
【解決手段】接続基板１３は、複数の誘電体層１３０ａ〜１３０ｆが積層されて成る基材１３０と、互いに隣接する誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆを貫通して設けられた複数の貫通導体２０とを備える。複数の貫通導体２０それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａが、誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆにおける二以上の層間部分に設けられている。一の層間部分において一の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ａ（２１ｂ）を所定方向に垂直な仮想平面に投影した領域ＰＲ１と、他の層間部分において他の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２２ｂ又は２２ｃ（２２ｃ）を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。 （もっと読む）

【課題】 表面配線を小さくしても表面配線と表面ビア導体とを確実に接続することができ、浮遊容量を小さくすることで、より高速な素子の検査や、高速の検査ができる高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミックスから成る複数の絶縁層１ａが積層された絶縁基体１と、絶縁基体１の下面に形成された外部電極２と、外部電極２に接続されて絶縁基体１の上面に導出された、ビア導体を含む内部配線３とを有し、内部配線３のうち最上層の絶縁層１ａを貫通して上端面が絶縁基体１の上面に露出した表面ビア導体３ａが上面視で配線基板４の中心からの放射線の方向に沿った形状である配線基板である。表面ビア導体３ａが位置ずれしても位置ずれ方向と反対方向に延在する部分が存在するので、表面配線５の大きさを小さくしても表面ビア導体３ａと確実に接続でき、表面配線５の浮遊容量を低下させることができる配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は積層型チップキャパシタに関する。
【解決手段】本発明の一様態による積層型チップキャパシタは、複数の誘電体層が積層された積層構造を有し、積層方向に沿って配列された第１キャパシタ部と第２キャパシタ部を含むキャパシタ本体と、上記キャパシタ本体の側面上に形成された少なくとも一つの第１ないし第４外部電極−上記第１及び第３外部電極は相互同じ極性を有し、第２及び第４外部電極は相互同じ極性を有するが上記第１外部電極の極性とは異なる極性を有する−と、上記キャパシタ本体の外面上に形成され、上記第１外部電極と第３外部電極を相互連結するか上記第２外部電極と第４外部電極を相互連結する少なくとも一つの連結導体ラインと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高い容量を備える電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｓｉコンデンサ１０では、下部電極４２と誘電体層４４と上部電極４６とから成るコンデンサ部４０が、Ｓｉ基板２０に形成されたトレンチ３０の壁面上に形成されているめ、下部電極４２−誘電体層４４−上部電極４６の面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。また、トレンチ３０の内部に樹脂充填材５２が充填されているため、トレンチ３０の側壁で生じる応力を可撓性の有る樹脂充填材５２で吸収することができ、凹部（トレンチ）を狭い間隔で設け容量の増大を図っても、トレンチ３０の側壁へクラックが入ることが無い。 （もっと読む）

【課題】 配線抵抗が低く、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられたプローブピンとＳｉウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、電気特性の検査に好適に使用できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体の前記セラミック絶縁層の層間に、導体層として、銅、タングステンおよびモリブデンから選ばれる少なくとも１種の導体材料を主成分とするシグナル配線層とグランド配線層とを具備するプローブカード用セラミック配線基板において、前記セラミック絶縁層がムライト質焼結体からなり、前記セラミック絶縁層のうち、前記グランド配線層と接する前記セラミック絶縁層には、当該セラミック絶縁層の表面にアスペクト比が４以上の針状のアルミナ結晶を有する。 （もっと読む）

【課題】故障が発生しにくく、信頼性の高い多層配線板及びその多層配線板を製造する多層配線板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】多層配線板であって、基板と、基板上に配置された第１導電体、第１導電体の基板から離れた面に積層された第２導電体、及び第１導電体と第２導電体との間に配置された応力緩和層を備えるランドと、ランドと接し、前記ランドと電気的に接続されている接続部と、を有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板の上面から側面にかけて配線導体が被着されており、生産性および外部接続信頼性の向上が容易な配線基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体からなる複数の絶縁層２ａが積層されてなる四角板状の積層体２、および積層体２の上面から上面の１つの外辺を越えて側面にかけて折れ曲がって被着された、この折れ曲がった部分が積層体２の１つの側面を被覆する補助絶縁層３からなる絶縁基板１と、補助絶縁層３の上面の中央部から折れ曲がった部分の露出表面にかけて被着された配線導体４とを備え、補助絶縁層３の折れ曲がった部分の露出表面に被着された配線導体４が外部電気回路に対向して接続される配線基板９である。絶縁基板１の上面から側面にかけて配線導体４が一体的に被着されているため、生産性の向上、および配線導体４の厚みばらつきの抑制による外部接続信頼性の向上が容易である。 （もっと読む）

【課題】高速動作、高周波動作、多機能動作の要求からプリント回路基板とチップ部品の接点を大幅に増加させ、プリント回路基板の回路密度を高める必要があり、接点間の間隔を縮小させ続けなければならない。
【解決手段】互いに隣接する表面と側面を有する回路基板と、前記回路基板の前記表面の一部を覆う内部回路と、前記内部回路に電気接続され、前記内部回路と同一の追加層に位置する第一サイド電気接続パッドを含み、金属保護層２２２にはんだバンプ２２４，２２６を形成する。はんだバンプ２２４は、サイド電気接続パッド２１０ａ〜２１０ｃの末端４１０ａ〜４１０ｃにそれぞれ接続させる。 （もっと読む）

【課題】 大開口部を有していても信号貫通導体のインピーダンスが整合された配線基板を提供する。
【解決手段】 開口部４ａを有する接地配線層４と、開口部４ａを通り、一端が信号配線層３に、他端が電極５に接続された信号貫通導体６と、信号貫通導体６を取り囲んで開口部４ａの外側で接地配線層４に接続された複数の接地貫通導体７とを備え、他方主面に最も近い接地配線層４から少なくとも１層の開口部は大開口部４ｂであり、他方主面側において、接地貫通導体７は、大開口部４ｂの外側で接地配線層４に接続された第１の接地貫通導体７ａと、大開口部４ｂの内側で接地配線層４の開口部４ａの外側に接続され、第１の接地貫通導体７ａよりも短い長さの複数の第２の接地貫通導体７ｂとからなる配線基板１。信号貫通導体６と第２の接地貫通導体７ｂとの距離は大きくならないので、特性インピーダンスが大きくなることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】
樹脂基板上に導電性ペーストを用いた配線が形成される配線基板においては、導電性ペーストを焼結させる時の熱が樹脂基板に伝熱されてしまい、樹脂基板に耐熱温度の低い材料を使用できない。さらに、焼結時の長時間の加熱により、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化などの不具合がある。
また、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化を防ぐために、低温で焼結を行うと、導電性ペーストの焼結が不完全で、焼結後の配線において導通の抵抗が高くなる不具合もある。
【解決手段】
配線と樹脂基板の間に、酸化物セラミックスからなる層を設ける。 （もっと読む）

【課題】大きな引張応力などを生じさせ得る金具を基板本体に取り付けても、外力にて破壊しにくく耐久性に優れた多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層ｓ１〜ｓ８、および該セラミック層ｓ１〜ｓ８間に形成された導体層ｐ１〜ｐ７を含む基板本体２と、該本体２の裏面４に形成したメタライズ層７の上に接合材９を介して固定された金具１０と、を備えた多層セラミック基板１ａであって、該金具１０は、接合材９と接触するベース部１２の底面積Ａ１が１５ｍｍ²以上であり、且つ該ベース部１２から基板本体２の外側に立設する機能部１３の断面積Ａ２がベース部１２の底面積Ａ１以下で且つ５ｍｍ²以上であり、基板本体２において、金具１０が固定されたメタライズ層７を基板本体２の厚み方向に沿って投影した領域(ｍａ×ｓｄ)内には、導体層ｐ１〜ｐ７が形成されていないセラミック部ＳＡが配設されている、多層セラミック基板１ａ。 （もっと読む）

【課題】複数のセラミック層を積層してなり、内部に焼成時の反りを抑制し、電気的に独立した金属層を有し、反りなどの変形が抑制されており、且つ電気的に信頼性の高い多層セラミック基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面３および裏面４を有し、且つ複数のセラミック層ｓ１〜ｓ７を積層してなる基板本体２と、該基板本体２の厚み方向における表面３と裏面４との中間で且つ該基板本体２の平面方向に沿って位置する仮想の中間平面ｃｆよりも、該基板本体２の表面３側に位置するセラミック層ｓ１〜ｓ４間に形成された平面状の配線層ｐ１〜ｐ３と、中間平面ｃｆよりも基板本体２の裏面４側に位置するセラミック層ｓ４〜ｓ６間に形成され且つ電気的に独立した金属層ｍ１，ｍ２と、を備えた多層セラミック基板１ａであって、該金属層ｍ１，ｍ２は、基板本体２の裏面４側における最外側のセラミック層ｓ７とこれに隣接して積層されたセラミック層ｓ６との間には、形成されていない、多層セラミック基板１ａ。 （もっと読む）