【課題】層間接続導体部の近傍にクラックが発生することを抑制し、基板の破壊を防止して、突出部材の接合強度を高めることができる多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スタッド２３の底面の外周におけるロウ材層５９の外接円と、最表面の低温焼成セラミック層において表面金属層５７の周りに配置されるビア５５の面積中心との間の距離Ｚが２．５ｍｍ以上、スタッド２３の底面の面積中心を中心にして、表面金属層５７の半径方向の長さＭＬと、ロウ材層５９の底面の同じ半径方向の長さＲＬとの差（ＭＬ−ＲＬ）がスタッド２３の外周の全周にわたり０．６５ｍｍ以上、スタッド２３の底面の面積中心を中心にして、スタッド２３に最も近いビア５５の面積中心までの半径方向における長さＶＬとスタッド２３の底面の同じ半径方向における長さＳＬとの比（ＶＬ／ＳＬ）が１．６〜２．０である。 （もっと読む）

異種金属組成物間の電気的接続における界面の影響を最小限にするために、遷移ビアおよび遷移配線導体を形成するための組成物が、開示される。この組成物は、（ａ）（ｉ）２０〜４５重量％の金および８０〜５５重量％の銀と、（ｉｉ）１００重量％の銀−金の固溶体合金とからなる群から選択される無機成分、および（ｂ）有機媒体を含む。この組成物は、（ｃ）組成物の重量に対して１〜５重量％の、Ｃｕ、Ｃｏ、ＭｇおよびＡｌからなる群から選択される金属の酸化物または混合酸化物、および／または、主として高融点酸化物を含む高粘度ガラスをさらに含む。この組成物は、ビア充填での多層膜組成物として使用され得る。遷移ビアおよび遷移配線導体を形成するために、この組成物を使用して、ＬＴＣＣの回路およびデバイスなどの多層膜回路がさらに形成され得る。
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【課題】電極とセラミック層との接合強度を向上させることができ、かつ基板割れ等を招くこともなく、良好なめっき付き性を確保できるようにする。
【解決手段】少なくとも導電性粉末と、非ガラス質の無機酸化物と、有機ビヒクルとを含有した導電性ペーストを作製する導電性ペースト作製工程と、非晶質のガラス成分を含有したセラミック材料を成形加工して成形体を作製する成形体作製工程と、前記導電性ペーストを前記成形体の表面に塗布して導電膜を形成する導電膜形成工程と、焼成後に表面電極７となる前記導電膜と焼成後にセラミック層１ｅとなる前記成形体とを同時焼成し、前記ガラス成分と前記無機酸化物とを反応させ、表面電極７とセラミック層１ｅとの間に反応層８を形成する焼成工程とを含み、無機酸化物の塩基度Ｂ１とガラス成分の塩基度Ｂ２との塩基度差ΔＢが、０．０２≦ΔＢ≦１．３３を満足する。 （もっと読む）

【課題】素子搭載部材ウエハの収縮の影響を抑えた生産性のよい素子搭載部材ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子搭載部材となる部分が設けられる素子搭載部材ウエハを焼結させる焼結工程と、レーザーを用いて焼結された素子搭載部材ウエハのそれぞれの素子搭載部材となる部分に貫通孔を設ける貫通孔形成工程と、焼結された素子搭載部材ウエハのそれぞれの素子搭載部材となる部分に設けられている貫通孔に導電材料を埋め込む埋め込み工程と、焼結された素子搭載部材ウエハのそれぞれの素子搭載部材となる部分に配線パターンを設ける配線パターン形成工程と、電解めっきを用いて焼結された素子搭載部材ウエハのそれぞれの素子搭載部材となる部分に設けられている配線パターンにめっき金属膜を設けるめっき工程からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力が発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間がビア導体４で接続され、最下層の絶縁樹脂層２に形成された複数のビア導体４と、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された複数の内部配線５の端部とが電気的に接続されており、セラミック配線基板１の上面に、ビア導体４と内部配線５の端部との接続部を離間して取り囲むように、絶縁樹脂層２の絶縁樹脂よりもヤング率の大きい材料から成る凸部９が形成されている配線基板である。接続部の周囲の絶縁樹脂は凸部９によって固定されて変形し難いので、接続部で破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間がビア導体４で接続され、最下層の絶縁樹脂層２に形成された複数のビア導体４と、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された複数の内部配線５の端部とが電気的に接続されており、ビア導体４と内部配線５の端部との接続部の周囲が絶縁樹脂層２の絶縁樹脂よりもヤング率の大きい固定材料９で覆われている配線基板。比較的接続強度の弱いビア導体４と内部配線５の端部との接続部は、周囲が固定材料９によって固定されて変形し難いので、接続部で破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】電極パターンの位置精度を向上することができるセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係るセラミック基板の製造方法は、あらかじめ先行セラミック基板を作製し、先行セラミック基板を作製する工程までの先行セラミック基板と先行電極パターンの変形度を把握しておく。そして、セラミックグリーンシートに、先行セラミック基板と先行電極パターンの変形度から計算した電極パターンを形成することで、電極パターンの位置精度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】被加工物に位置精度に優れたレーザ加工で孔が形成できるレーザ加工用治具を得ること。
【解決手段】レーザ光Ｌによって孔５ａが形成される被加工物５が載置されて被加工物５を保持する保持板１と、保持板１を上部で支持する枠状の支持体２と、支持体２の下部に配置されて保持板１および支持体２とともに内側に空間を形成する板状の基体３と、基体３の上の貫通孔１ａの直下の部位に配置されたレーザ光吸収体４とからなるレーザ加工用治具１０であって、基体３はレーザ光吸収体４の周囲に位置する基体側吸引孔３ａを有する。基体側吸引孔３ａから吸引される空気の流れによってレーザ光吸収体４および基体３が空冷され、保持板１の熱膨張を抑制し被加工物５の伸長を抑制することができるので、被加工物５に形成される孔５ａの位置精度を良好で高精度なものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】コストダウンが図れるセラミックス回路基板及びセラミックス回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板は、セラミックス基板１０と、セラミックス基板１０の表面に形成された端子部２０と、セラミックス基板１０に穿設された複数のビアホール２１と、ビアホール２１内の導体１８と端子部２０とを連結する配線１４と、を含み、複数のビアホール２１は、セラミックス基板１０の平面視での中心部分を中心として同心円上に沿った位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子に半田バンプを有する半導体部品のリペア作業時に、取り外される部品の半田バンプを効率よく加熱できるようにし、かつ、隣接する他の半導体部品に熱的悪影響が及ぶことのないようにする。
【解決手段】配線基板10の表面の電極パッド10aにはICチップ11が搭載されている。配線基板10の裏面の電極パッド10bには半田バンプ12が形成されている。電極パッド10aと10bは、基板内部に形成された層間接続導体10e、内層配線10c、10dを介して電気的に接続されている。配線基板の再下層には電極パッド10bを囲むようにヒータ配線が形成されており、このヒータ配線は、基板表面に形成されたヒータ用電極端子10fから給電される。 （もっと読む）

【課題】機械研磨の際に層間接続導体の周囲にクラックが発生することを防止できるとともに、機械研磨の加工以降に多くの工程を必要しない多層セラミック基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、ラッピング加工によって、基板に反り等が無くなるまで焼結体本体３７の表面を研磨して、基板の平坦性を確保した。次に、ラッピング加工後の焼結体本体３７の両外側表面を、ポリッシング加工により研磨した。具体的には、平均粒径（Ｄ５０）が９μｍの多結晶ダイヤモンド砥粒４１を使用して、ラッピング加工後の焼結体本体３７の両外側表面を研磨した。詳しくは、凸量よりも平均粒径（Ｄ５０）が大きな多結晶ダイヤモンド砥粒４１を選択し、この多結晶ダイヤモンド砥粒４１を固定したポリッシング定盤４３を用いてポリッシング加工を行い、多層セラミック基板１を得た。 （もっと読む）

【課題】 電源ラインと信号ラインとの干渉を効果的に防止し、小型化を図ることができる高周波部品、及びかかる高周波部品を具備する通信装置を提供する。
【解決手段】 導体パターンを有する複数の誘電体層からなり、高周波信号の入出力端子、増幅回路及びスイッチ回路の電源端子を含む端子群及び第一のグランド電極が積層基板の一方の主面に形成され、増幅回路又はスイッチ回路の電源端子に一端が接続された電源ラインが電源ライン層に形成され、第一のグランド電極は積層方向に電源ラインの少なくとも一部と重なり、電源ライン層の主面と反対側に第二のグランド電極が形成され、第二のグランド電極は積層方向に電源ラインの少なくとも一部と重なり、高周波信号処理回路は第二のグランド電極の電源ライン層と反対側に配置され、電源ラインの他端の間隔は、電源ラインの一端と接続する電源端子の間隔より大きい高周波部品。 （もっと読む）

【課題】外層に形成される第２抵抗体を小さい面積（狭い面積）で形成することにより、抵抗内蔵型多層配線板の小型化を図る。
【解決手段】多層配線板は複数の絶縁層が積層されたもので、内層として提供される第１層１０及び外層として提供される第２層２０を含む本体部と、第１層１０に形成される第１抵抗体１１と、第２層２０に形成される第２抵抗体２１を含み、第２抵抗体２１は第１抵抗体１１と並列連結され、第１抵抗体１０より狭い面積を有する。 （もっと読む）

【課題】 配線基板の配線層間に生じる浮遊容量を小さくすることで、より高速な素子の検査や、高速の検査ができる高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３間がビア導体４で接続された配線基板であって、配線層３のうち、下から２層目の絶縁樹脂層２の下面に位置する接続用配線層３ａと、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された内部配線１ａの端部とが電気的に接続されており、接続用配線層３ａとセラミック配線基板１との間に絶縁樹脂層２が存在しない空間５がある配線基板である。比誘電率の比較的大きなセラミック配線基板１の内部配線１ａと接続用配線層３ａとの間に比誘電率の小さな空間５が入ることで、これらの間に発生する浮遊容量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 外部からの不要電磁波の混入、外部への電磁波の放射を防止するとともに、内部における不要な共振の影響を抑制した優れた伝送特性を有する高周波基板および高周波モジュールを提供することである。
【解決手段】 ＭＭＩＣに、積層型導波管線路である接続用導波管接続し、ＭＭＩＣと接続用導波管とは、ボンディングワイヤ、マイクロストリップ線路，変換部を介して接続する。保護部材は、その収容空間内に、ＭＭＩＣ、ボンディングワイヤ、変換部、マイクロストリップ線路を収容する。 （もっと読む）

【課題】被検査電子部品の検査情報を正確に収集できる電子部品検査用配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック層ｓ１〜ｓ３からなり、表面２のパッド６、セラミック層ｓ１〜ｓ３間の配線層７，８、およびパッド６と配線層７，８と裏面３との間を接続するビア導体ｖを有する第１積層体Ｃ１と、上記と同じ材料組成のセラミック層ｓ４〜ｓ６からなり、表面４と裏面５との間を貫通する複数のビア導体Ｖを有し、第１積層体Ｃ１の裏面３側に積層された第２積層体Ｃ２と、を備え、第１・第２積層体Ｃ１，Ｃ２間には、第１積層体Ｃ１の裏面３に露出するビア導体ｖと第２積層体Ｃ２の表面４に露出するビア導体Ｖとを接続する複数のランド１０、およびこれらの周りに位置する配線層９が配置されており、該ランド１０の直径は、ビア導体ｖ，Ｖの直径の２〜５倍である、電子部品検査用配線基板１。 （もっと読む）

【課題】フェライト層と側面電極との境界部分およびフェライト層と接続電極との境界部分からの水分浸入を抑制できる、電気的な信頼性に優れた配線基板を提供すること。
【解決手段】 ガラスセラミック層１と、ガラスセラミック層１の間に設けられたフェライト層２と、フェライト層２の層間に形成された内部配線６に接続されてフェライト層２の層間からフェライト層２の側面に導出された接続導体５と、ガラス材料およびフェライト層２と同じフェライト材料を含んで、フェライト層２の側面の導出された接続導体５の周囲を覆っている介在層３と、導出された接続導体５および介在層３を覆って接続導体５に接続された側面電極４とを備えている配線基板10である。側面電極４と介在層３および接続導体５と介在層３とはそれぞれ密着しているので、側面電極４と介在層３との間および接続導体５と介在層３との間から水分が浸入することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 耐薬品性に優れるとともに、低抵抗の内部配線層を有するプローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 絶縁基体の相対密度が９６％以上であり、前記内部配線層が銅を３０〜４０質量％、タングステンを６０〜７０質量％、前記ランドが銅を３２〜４２質量％、タングステンを５８〜６８質量％の割合で含み、前記貫通導体がモリブデンを主成分として含有してなり、前記ランドにおける前記銅の含有率が前記内部配線層における前記銅の含有率よりも多く、かつ前記内部配線層の前記ランドに近い領域および前記ランドから遠い領域における前記銅の含有率がほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】複数の層のうち熱膨張率の小さい方の層と導体パターンとの熱膨張率の差によって生じる応力を低減させること。
【解決手段】配線基板１は、第１ガラスセラミック層１１と、第１ガラスセラミック層１１に積層された第２ガラスセラミック層１２と、第１ガラスセラミック層１１と第２ガラスセラミック層１２との間に形成された導体パターン１３と、導体パターン１３を覆っている第３ガラスセラミック層１４とを含んでいる。第２ガラスセラミック層１２は、第１ガラスセラミック層１１より小さい熱膨張率を有している。第３ガラスセラミック層１４は、第１ガラスセラミック層１１と第２ガラスセラミック層１２との間において導体パターン１３の形成領域を含む部分的領域に形成されており、導体パターン１３の熱膨張率と第２ガラスセラミック層１２の熱膨張率との間の範囲に含まれる熱膨張率を有している。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗導体および高融点導体を主成分として含む低抵抗な内部配線層を有し、耐薬品性に優れたプローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 本発明は、アルミナ質焼結体からなる絶縁基体１１と、縁基体１１の内部に設けられたＣｕおよびＷを主成分として含む内部配線層１２と、内部配線層１２にランド１３を介して接続されたＭｏを主成分として含む貫通導体１４とを備えたプローブカード用配線基板であって、ランド１３が、内部配線層１２と接触し貫通導体１４と接触しないＣｕおよびＷを主成分として含む第１の層１３１と、貫通導体１４と接触し内部配線層１２と接触しないＭｏからなる粒子本体にＡｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２の被膜が形成されてなる複合粒子を主成分として含む導電性ペーストの焼成によって形成された第２の層１３２とからなることを特徴とするものである。 （もっと読む）