【課題】 ムライト質焼結体からなる絶縁基体に対する接着強度の高い表面配線層を有するプローブカード用配線基板およびプローブカードを提供する。
【解決手段】 少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄがムライト質焼結体からなる絶縁基体１１と、少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄの内部に設けられたビア導体１４と、該ビア導体１４と接続され、前記絶縁基体１１を平面視したときに、前記ビア導体１４よりも大きな面積で前記絶縁基体１１の表面に設けられた金属膜からなる表面配線層１３とを具備しており、前記ビア導体１４がモリブデンまたはタングステンの少なくとも１種の金属を主成分とし、前記最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄは前記ビア導体１４の周囲の第１の領域１１Ａと該第１の領域１１Ａ以外の第２の領域１１Ｂとを有するとともに、前記第１の領域１１Ａはムライトに対するアルミナの量が前記第２の領域１１１Ｂよりも多い。 （もっと読む）

【課題】本発明はプローブカード用セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数の第１共用ビアが形成された第１共用基板と、複数の第２共用ビアが形成された第２共用基板と、第１共用基板と第２共用基板の間に配置され、１つ以上のグループビアを含み、複数の第１共用ビア及び複数の第２共用ビアを電気的性質に応じてグループ化し、グループ毎に同じグループビアに連結するグループ化基板と、個別の電子部品に形成された１つ以上の端子に対応するように形成され、上記複数の第１共用ビアと第２共用ビアの全部または一部に連結される１つ以上の配線ビアを含むビルドアップ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】コイル導体９の形成層を中央高さよりずれた位置に配置するとともに、コイル導体によるインダクタとしての電気特性の劣化を抑えたコイル内蔵基板を構成する。
【解決手段】コイル内蔵基板１０１は、コイル導体９と磁性体とが積層された第１の磁性体層２１と、電子部品搭載面側（第１主面側）に形成され、表面導体膜７を含む第１表面層３１と、実装先の配線基板に対する実装面側（第２主面側）に形成され、表面導体膜７を含む第２表面層３２と、を備えている。コイル導体９を含む層であるコイル導体形成層２１Ｃと第１表面層３１との間に第２の磁性体層２２を備えている。コイル導体形成層２１Ｃと第１表面層３１との間隔をＡ、コイル導体形成層２１Ｃと第２表面層３２との間隔をＢ、第１の磁性体層２１の透磁率をμ１、第２の磁性体層２２の透磁率をμ２で表すと、Ａ＜Ｂ、μ１＜μ２の関係にある。 （もっと読む）

【課題】コイルの磁気特性を改善し効率を向上することができるコイル内蔵基板を提供する。
【解決手段】積層方向から透視すると、第１のコイル要素３２ａ〜３２ｄが互いに重なり合う外コイル領域３２の内周より内側において、第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄが互いに重なり合う。空隙部４０は、積層方向に透視すると第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄが互いに重なり合う内コイル領域３４の内周と外コイル領域３２の外周との間に環状に延在し、コイル要素３４ｂ，３４ｃの一部が露出するように形成される。第１及び第２のコイル要素３２ａ〜３２ｄ，３４ａ〜３４ｄが有する一定の線幅をＡ、空隙部４０の幅をＢとすると、１．５≦Ｂ／Ａ≦２．０である。空隙部４０の個数は、第１のコイル要素３２ａ〜３２ｄと第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄの合計個数の半分より少ない。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板が実装された回路基板等から衝撃や応力が基板本体に作用しても、基板本体に与える悪影響を小さくすることができるセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】セラミック多層基板１０は、（ａ）積層されたセラミック層を含み、セラミック層が積層された方向の片側に矩形の主面１２ｂ有する基板本体１２と、（ｂ）基板本体１２の主面１２ｂに形成された外部電極１４とを備える。主面１２ｂの互いに対向する一対の辺１３ｐ，１３ｑのそれぞれの少なくとも一部分を含む基板本体１２の一部分が除去されて、基板本体１２に主面１２ｂから後退した切欠部１６が形成されている。すべての外部電極１４が切欠部１６に隣接して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 たわみ試験においてクラックの発生が無く機械的信頼性に優れたガラスセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミックスからなる絶縁層が複数積層された絶縁基体１と、該絶縁基体１の表面に形成された表面配線層２とを具備するガラスセラミック配線基板であって、前記絶縁基体１がセラミックフィラーとしてアルミナ粒子を含有するとともに、少なくともアルミナ（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）およびカルシウム（Ｃａ）を元素として含むガラス相とから構成されており、前記表面配線層１が銀を主成分とし、ロジウム（Ｒｈ）および酸化銅を含有するとともに、前記絶縁基体１の表面にアノーサイト相を主結晶相とするセラミック層７を有し、抗折強度が１９０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体と内部電極層との間のセパレーションを防止できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト粒子を主結晶粒子とする焼結体からなる絶縁基体の内部に、銅を４０〜６０体積％と、タングステンまたはモリブデンの少なくとも一方を４０〜６０体積％とを含有する内部配線層を備えている配線基板であって、前記内部電極層の周囲に存在する前記主結晶粒子として、アルミナが多く含まれているムライト粒子を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 焼成時にフェライト層２の透磁率が低減することを抑制できるコイル内蔵配線基板を提供すること。
【解決手段】 複数のフェライト層２と、フェライト層２の表面および内部に形成された配線導体３と、複数のフェライト層２の層間および内部に、配線導体３と電気的に接続されたコイル導体４とを備えたコイル内蔵配線基板であって、コイル導体４は、コイル導体４の幅方向の断面の断面視で、フェライト層２の一部を囲むように形成されていることを特徴とするコイル内蔵配線基板である。コイル導体４の外周部のフェライト層２への応力を低減できるので、フェライト層２の透磁率の低下を低減できる。また、フェライト層２や絶縁層１のクラックやデラミネーションの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック基板及びその製造方法並びにイメージセンサーパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック基板は、上部面に第１溝が形成され、第１溝に第２溝が形成され、第２溝に貫通孔が形成されたセラミックボディーと、第１溝に形成された第１電極パッドと、セラミックボディーの上部面、下部面及びこれら両面のうちのいずれかに形成され、第１電極パッドに電気的に接続された第２電極パッドと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面電極とセラミックとの間の密着強度の低下を抑えたセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】 表面電極３０を備えたセラミック多層基板の積層方向において、表面電極３０に対して少なくともセラミック層を介して対向するように空隙３１が形成され、空隙３１が形成された領域における空隙率が３０％以上７０％以下であるセラミック多層基板とすることで、焼成において表面電極３０がセラミックに引っ張られることを抑えることができ、表面電極３０とセラミックとの間の密着強度の低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】フェライト基板層を有する多層基板上に半田により電子部品チップが接合されている電子部品モジュールにおける絶縁抵抗の劣化を抑制する。
【解決手段】フェライトからなる基板層１２ａ〜１２ｃを有する多層基板１２の上面にランド電極２１〜２４が設けられており，ランド電極２１〜２４に電気的に接続されるように多層基板１２上に電子部品素子１３，１４が実装されており、電子部品素子１３，１４とランド電極２１〜２４が半田により接合され、該ランド電極２１〜２４の外周縁の少なくとも一部からランド電極２１〜２４の上面の一部に入り込むように絶縁性材料層５１が形成されている、電子部品モジュール。 （もっと読む）

【課題】 セラミックグリーンシートの反り、およびセラミックグリーンシートの中央部への付着が抑制された焼成用セッターおよびセラミックグリーンシートの焼成方法を提供する。
【解決手段】 板状のセラミック焼結体からなり、下面に凹部１ａを有し、下面の外周部が中央部よりも下方に位置している焼成用セッター１である。下面の外周部がセラミックグリーンシート２の上面の外周部に当接して、セラミックグリーンシート２の反りが発生しやすい外周部のみに荷重をかけながらセラミックグリーンシート２を覆うことができるため、セラミックグリーンシート２の反りおよびセラミックグリーンシート２への付着が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面電極とこの表面電極が設けられている誘電体基体との密着性が良好であると共に、電気的特性の優れたセラミック電子部品を提供すること、及び前記特性を有するセラミック電子部品を備えた配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】 この発明のセラミック電子部品における表面電極は内側層と前記内側層を被覆する外側層とを有し、前記内側層は誘電体基体の主成分と同じ成分を含むセラミック部を含み、誘電体基体上にある内側層におけるセラミック部の体積割合がビア導体上にあるセラミック部の体積割合よりも大きいことを特徴とする。この発明の配線基板は前記セラミック電子部品を内蔵して成る。 （もっと読む）

【課題】従来よりも電子部品を高密度に実装することが可能な薄膜回路部品を提供すること。
【解決手段】ガラスセラミックス基板１２と、ガラスセラミックス基板１２の面１２ａ側に薄膜回路２６，２８と、ガラスセラミックス基板１２を貫通するビア電極２４と、ガラスセラミックス基板１２の面１２ｂ側に該ビア電極２４を介して薄膜回路２６，２８と電気的に接続された端子電極２２と、を備える薄膜回路部品１０。 （もっと読む）

【課題】基板内にダイを埋め込むことに関連する応力またはその他の機械的な力が誘電材料を損傷することを防止する。
【解決手段】（ｉ）第１のラミネート層１１６（ｉｉ）第２のラミネート層１２０ならびに（ｉｉｉ）前記第１のラミネート層１１６および前記第２のラミネート層１２０の間に配される芯材１１８を有する基板と、前記第１のラミネート層１１６に取り付けられるダイ１０２とを提供する。ダイは１０２、ダイの活性側の表面に結合されたインタポーザ１０８を有し、表面は、（ｉ）誘電材料と、（ｉｉ）ダイ１０２の電気信号を伝送するボンドパッド１０６とを含み、インタポーザ１０８は、インタポーザの中に形成されたビア１１０を含み、ビア１１０は、ボンドパッド１０６に電気的に結合され、ダイの電気信号をさらに伝送する。 （もっと読む）

【課題】複数のグリーンシートを積層した母積層体から、追って多層セラミック配線基板となる積層体を切り出す際に、形状および寸法精度良く切り出せ、且つ生産効率の向上にも寄与し得る配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面２および裏面３において、配線基板４となる製品領域４ａと、該製品領域４ａの周囲を囲う耳部５とを有する複数のグリーンシートｇ１〜ｇ３を積層した母積層体１から、該母積層体１の表面２に形成した切断マークＭ１に基づいて、上記製品領域４ａを含む積層体１０を切り出す切断工程を備える配線基板４の製造方法であって、上記切断マークＭ１は、平面視において、製品領域４ａを囲み、且つその外側に所定の隙間ｓを持ちつつ上記製品領域４ａの外形と相似形にして形成され、切断工程では、切断マークＭ１よりも内側の隙間ｓに刃物ｃが母積層体１の厚み方向に沿って挿入される、配線基板４の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 表面配線層を被覆している保護層にボイドなどの欠陥が無く、表面配線層のメタライズ強度および平坦度が高く、絶縁基体の表面に形成された表面配線層の周縁部を覆う保護層側において、黒ごまと呼ばれる斑点が無く、かつ絶縁基体の表面を被覆している保護層の表面へのセラミックシートの成分の付着の無いガラスセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の表面に形成された表面配線層２の周縁部に形成された保護層２３１と、その周囲の前記ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２とを、ＳｉＯ_２のフィラー、酸化クロム、およびガラス成分の組成を異ならせて形成したものである。 （もっと読む）

【課題】バンプの高さや体積のバラツキが十分小さくできる基板の製造方法と、コストをかけずに多ピン化に対応した導通検査方法を提供すること。
【解決手段】一方の面（おもて面）には、半導体チップをフェイスダウンボンディングするための二次元アレイ状電極が、もう一方の面（うら面）には、プリント配線基板上の電極部と接続するための電極が、それぞれ形成されてなるフリップチップ型半導体パッケージ用基板の導通検査方法において、
うら面に形成された前記電極を電気メッキの給電電極としておもて面の電極に通電することにより、おもて面の電極にパターン電気メッキを行うことでバンプを形成したのち、前記バンプの外観検査を行うことを特徴とするフリップチップ型半導体パッケージ用基板の導通検査方法。 （もっと読む）

【課題】 低融点金属との同時焼成が可能であり、クラックや破損が生じにくい回路基板を形成し得る高強度の低温焼成セラミックと、低温焼成セラミックからなる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミックとする。 （もっと読む）