【課題】 信号線路のインピーダンスを所定の値に調整することが可能で、且つ薄型化が容易な配線基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１の内部に信号線路２を配置させるとともに、信号線路２の上下両側に一対の接地導体層３を配置させてなる配線基板９であって、信号線路２と各接地導体層３との間に、信号線路２の少なくとも一部を挟むようにして一対の補助接地導体層４を対向配置する。 （もっと読む）

【課題】積層誘電体基板に設置されたＳＡＷフィルタ素子の入力信号経路と出力信号経路間のアイソレーションを十分に確保する。
【解決手段】積層誘電体基板１７の内部に入力配線導体パターン３０５ａ、出力配線導体パターン３０５ｂ及び接地導体パターン３０５ｃ〜３０５ｅが形成されている。前記接地導体パターン３０５ｃ〜３０５ｅは、前記入力配線導体パターン３０５ａと前記出力配線導体パターン３０５ｂとの間に複数層にわたって形成され、前記複数層にわたって形成された各接地導体パターン３０５ｃ〜３０５ｅどうしを、第４の誘電体層間ビア３０６ｅ，３０６ｆで接続している。 （もっと読む）

【課題】 超音波接合により、電子部品を高い信頼性で実装することができるセラミック配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のセラミック配線基板１０１は、メタライズ層１１（Ｗ、Ｍｏ等からなる。）と、ニッケルめっき層１２（純Ｎｉ等からなる。）と、金めっき層１３（純金からなる。）と、を有する電極パッド１を備え、金めっき層は平均粒径０．４５〜１．００μｍ（特に０．５０〜１．００μｍ）の金粒子からなる。また、本発明のセラミック配線基板の製造方法は、メタライズ層の表面にニッケルめっき層を形成し、その後、ニッケルめっき層の表面に０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ^２（特に０．３０〜１．００Ａ／ｄｍ^２）の電流密度で金めっき層を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを０ｖｏｌ％を超えて１６ｖｏｌ％以下、チタニアを１０〜２６ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを２〜１５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内に制御する。 （もっと読む）

内蔵キャパシタ及びその製造方法が提供される。内蔵キャパシタの製造方法は、誘電体基板（100）に少なくとも１つの孔部（115）を形成する工程を含む。孔部を形成するため、誘電体基板は機械的に打ち抜かれ、或いはレーザ切断され得る。第１電極（470）を形成するために孔部は導電体（250）で充填される。第１電極と電気的に接触しないように誘電体基板に導体（360）が形成される。孔部の深さ及び／又は断面積は、電極と導体との間に所望量の容量結合が設けられるように選定される。さらに、第２導体が、第１電極と電気的に接触するように誘電体基板に堆積される。少なくとも第２の孔部が誘電体基板に形成され、第２電極を形成するために導電体で充填される。第２電極は第１電極に電気的に接続される。
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【課題】差動伝送線路において線路間隔が一定の部分から線路間隔が広がる部分において生じる反射損失を非常に小さなものに抑制することができ、それにより半導体素子の作動性を良好なものとできる配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２上に差動伝送線路８が形成されており、差動伝送線路８の線路間隔が広がる部分８ｄにおいて差動伝送線路８と接地配線層４ａとの間に形成される絶縁層２ａの厚みが小さくなっている配線基板１である。また、その絶縁層２ａの厚みは、差動伝送線路８の線路間隔が一定の部分８ｃにおける差動インピーダンスと、線路間隔が広がる部分８ｄにおける差動インピーダンスとが略同じとなるように小さくされていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ディジタル動作する電子部品と接続される電源層やグラウンド層で発生する電源電圧変動を防止し不要放射ノイズを広い周波数範囲で抑制する。
【解決手段】絶縁基板２の表面および／または内部に基板のほぼ全面にわたり、絶縁層２ｂを介して電源層５とグランド層６とを形成し、電源層５および／またはグラウンド層６を低抵抗導体層５ａ、６ａと高抵抗導体層５ｂ、６ｂを積層した２層以上の積層体からなり、電源層５とグラウンド層６の少なくとも一方の対向面側に高抵抗導体層５ｂ、６ｂを形成したセラミック配線基板において、低抵抗導体層５ａ、６ａを３０乃至１００質量％のＭｏと、０乃至７０質量％のＷとからなる導体材料にて、高抵抗導体層５ｂ、６ｂを１０乃至７０質量％のＷと、３０乃至９０質量％のＲｅとからなる金属１００質量部に対して、１０乃至４０質量部の絶縁物を含有した導体材料によってそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】 いわゆる無収縮プロセスに基づいて多層セラミック基板を製造する際に作製される未焼結セラミック積層体が、複数の基体用グリーン層を挟むように拘束用グリーン層を備えているとき、拘束用グリーン層に含まれる有機バインダの存在のために、脱バインダ工程で除去すべき有機バインダの量が多くなるとともに、基体用グリーン層に含まれる有機バインダの除去が拘束用グリーン層によって順調に進まないことがある。
【解決手段】 拘束用グリーン層１５に含まれる有機バインダとして、基体用グリーン層１４に含まれる有機バインダよりも熱分解開始温度または燃焼開始温度が低いものを用い、脱バインダ工程において、拘束用グリーン層１５中の有機バインダを先に熱分解または燃焼させ、その結果残された通路を通して、基体用グリーン層１４に含まれる有機バインダが順調に排出されるようにする。 （もっと読む）

【課題】上下伝送線路間の結合容量の変動を抑制するとともに、自己共振周波数の劣化を押さえる高周波伝送線路を提供することにある。
【解決手段】伝送線路導体６と、伝送線路導体６と接続され、かつ少なくとも一部が伝送線路導体６に対向した伝送線路導体７とが誘電体層２を介して積層されるとともに、伝送線路導体６と伝送線路導体７とが対向する領域の線路幅が互いに異なっている高周波伝送線路において、線路幅が広い伝送線路導体７の伝送線路導体６と対向する領域に切り欠き部１０ｅ〜１０ｇを形成した。 （もっと読む）

【課題】誘電損失が低く、高強度、高熱伝導率で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易にできるガラスセラミックスを提供する。
【解決手段】ガラスおよび／またはそれが結晶化したマトリックス中に特定の結晶面方向に配向したセラミックフィラーを分散し、該フィラーの配向方向と垂直な面と平行な面で測定されるＸ線回折ピークを比較して、前記フィラーに基づく（ｈｋ０）面および（００ｌ）面（ただし、ｈ≧０、ｋ≧０で、ｈ、ｋの一方が１以上の整数、ｌは１以上の整数）のピークのうち、２つの測定面でのピーク強度の変化が最も大きい特定結晶面のピーク強度Ｉ_(hk0)、Ｉ_(00l)から、ｐ＝Ｉ_(00l)／（Ｉ_(hk0)＋Ｉ_(00l)）で求められる２つの測定面でのｐ₁、ｐ₂の比（ｐ₁／ｐ₂、但しｐ₁＞ｐ₂）が２以上、かつ一方の測定面から０．１ｍｍ研磨した研磨面でのｐ’値との比（ｐ’／ｐ）が０．８以上のガラスセラミックスを配線基板１の絶縁基板２とする。 （もっと読む）

【課題】 直交させた平行配線群を有する多層配線基板において、クロストークノイズとともにＥＭＩノイズの影響を低減させる。
【解決手段】 第１の絶縁層（Ｉ３）に形成され、所定の各区分領域においてそれぞれ交点側に向かう第１の平行配線群Ｌ１と、第１の絶縁層（Ｉ３）に積層された第２の絶縁層（Ｉ４）に形成され、各区分領域においてそれぞれ第１の平行配線群Ｌ１と直交する第２の平行配線群Ｌ２と、それらを電気的に接続する貫通導体群Ｔとから成る積層配線体を具備して成り、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２はそれぞれ第１および第２の絶縁層（Ｉ３・４）の外周部に形成した環状磁性体層ＲＭにより取り囲まれている多層配線基板である。環状磁性体層ＲＭにより電磁波ノイズを吸収しシールドすることができ、ＥＭＩノイズの影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 直交させた平行配線群を有する多層配線基板において、クロストークノイズとともにＥＭＩノイズを低減させる。
【解決手段】 第１の平行配線群Ｌ１を有する第１の絶縁層上に、第１の平行配線群Ｌ１と直交する第２の平行配線群Ｌ２を有する第２の絶縁層を積層し、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２を貫通導体群Ｔで電気的に接続して成る積層配線体を具備して成り、各平行配線群Ｌ１・Ｌ２中の各電源配線Ｐ１は、各絶縁層周辺側の端部を、隣接する接地配線Ｇ１の各絶縁層周辺側の端部よりも内側に位置させている多層配線基板である。電源配線Ｐ１および接地配線Ｇ１の端部における高周波電流のいわゆる縁飾りの発生を抑制して、多層配線基板の周辺部で発生し放射されるＥＭＩノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 平行配線群を有する多層配線基板において、配線接続の自由度を高めつつ配線間のクロストークノイズを低減させることが困難であった。
【解決手段】 第１の平行配線群L1を有する第１の絶縁層I1上に直交する第２の平行配線群L2を有する第２の絶縁層I2を積層して成る第１積層体D1の上に、第１の平行配線群L1に30〜60度で交差する第３の平行配線群L3を有する第３の絶縁層I3上に直交する第４の平行配線群L4を有する第４の絶縁層I4を積層して成る第２積層体D2を積層し、第２・第２の平行配線群L2・L3間の比誘電率ε_r 2 を第１・第２の平行配線群L1・L2間の比誘電率ε_r 1 、第３・第４の平行配線群L3・L4間の比誘電率ε_r 1'よりも小さくした多層配線基板である。配線接続の自由度を高めつつ配線間のクロストークノイズを低減できる。 （もっと読む）