【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、半導体構造を提供することを目的とする。
【解決手段】下部誘電層（１５１）へ接合された基板（１０３）、および、下部電極（１２１）を通じて前記下部誘電層（１５１）と接合される垂直方向半導体装置（１１１）を含む半導体構造であって、前記垂直方向半導体装置（１１１）は、ｎ^＋−ｐ−ｎ^＋層（１２４）を有する隔離構造（１３５）を含む。 （もっと読む）

【課題】異なる不純物濃度の埋め込み層を有する半導体装置を短時間かつ低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に第１の酸化膜１１を形成する第１の酸化膜形成ステップと、フォトダイオードが形成される第１の領域に形成された前記酸化膜の一部を除去して第１の間隔で第１の開口部を形成すると共に、トランジスタが形成される第２の領域に形成された前記酸化膜を除去して前記半導体基板の表面を露出させる第１の開口部１２を形成ステップと、前記第１の酸化膜をマスクとして利用して前記第１の開口部及び前記第２の領域に対して第１の不純物を注入する第１の不純物注入ステップと、前記第１の不純物を熱拡散させる第１の熱拡散ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの占有面積をほとんど増やすことなく、かつ、ＨＢＴとＨＦＥＴとを接続する配線による悪影響を受けないＢｉ−ＨＦＥＴ（半導体装置）を提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成されたＨＦＥＴ１６０と、ＨＦＥＴ１６０上に形成されたＨＢＴ１７０とを備え、ＨＦＥＴ１６０は、チャネル層１０２と、コンタクト層１０４とを有し、ＨＢＴ１７０は、ＨＦＥＴ１６０のコンタクト層１０４と接続、又は、一体化されたサブコレクタ層１０７と、コレクタ層１０８と、ベース層１０９と、エミッタ層１１０と、エミッタキャップ層１１１と、エミッタコンタクト層１１２とを有し、コレクタ層１０８、ベース層１０９及びエミッタ層１１０は、メサ形状の構造体であるベースメサ領域８３０を構成し、ゲート電極２０２は、第一のコレクタ電極２０３とベースメサ領域８３０との平面的な間に設けられたリセス領域８２０内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】少工数で製造可能で且つ高い耐圧性能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】素子形成領域と、素子形成領域を外部領域から絶縁分離するべく素子形成領域表面から基板表面までの深さで素子形成領域側面を包囲するよう形成された第１絶縁トレンチ領域１０ａとを備える半導体装置であって、素子形成領域は、埋め込みコレクタ領域と、コレクタ耐圧領域４と、ベース領域５と、表面コレクタ領域８ｂと、エミッタ領域８ａと、ベース領域と表面コレクタ領域との間におけるキャリアの直線的な移動を遮るよう、当該領域間において素子形成領域表面から基板表面にまでの深さで形成される第２絶縁トレンチ領域１０ｂとを備え、半導体装置を平面視した際、第２絶縁トレンチと第１絶縁トレンチ領域との間には、キャリアが第２絶縁トレンチを迂回してベース領域と表面コレクタ領域との間を移動するためのキャリア迂回領域１２ａ，１２ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】 放熱性を改善したバイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 複数のバイポーラトランジスタＱｕが配列される半導体装置であって、エミッタ配線Ｌ３は幅広部と細長部とを有し、細長部におけるバイポーラトランジスタ素子数が、幅広部が配置された配列の外縁に沿う方向に配列されたバイポーラトランジスタ素子数よりも少なくなるように配置する。
【効果】エミッタ配線の寄生抵抗によるエミッタ−ベース間電圧ばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】ホールド電圧を変化させずに、トリガー電圧のみを調節することができるようにする。
【解決手段】本実施形態における保護素子１０は、低濃度コレクタ層１０２、シンカー層１１０、高濃度コレクタ層１１２、エミッタ層１３０、高濃度ベース層１２２、ベース層１２０、第１導電型層１４０、及び第２導電型層１５０を有している。第２導電型層１５０は低濃度コレクタ層１０２に形成されており、ベース層１２０と第１導電型層１４０の間に位置している。第２導電型層１５０は低濃度コレクタ層１０２よりも不純物濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶からなるｎ型ドリフト層２４と、ｎ型ドリフト層２４上に設けられた窒化物系III−Ｖ族化合物からなるｐ型ベース層２５と、ｐ型ベース層２５上に設けられた窒化物系III−Ｖ族化合物からなるｎ型エミッタ層２６と、ｎ型基板１１とｎ型ドリフト層２４との間に設けられた、Ｓｉを５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層とを備える。 （もっと読む）

【課題】同一基板上にヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）と電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とが形成され、ＨＢＴのコレクタ抵抗が低減されてＨＢＴの特性が向上され、かつＦＥＴのゲートリセスのエッチング精度が良好で、ＦＥＴのオン抵抗が低い半導体装置を安定的に提供する。
【解決手段】ＨＢＴ１０１Ａにおいては、サブコレクタ層が複数の半導体層１３〜１５の積層構造からなり、かつ、サブコレクタ層においてコレクタ層１７より張り出した部分上にコレクタ電極２８が形成されている。ＦＥＴ１０１Ｂ、１０１Ｃにおいては、ＨＢＴ１０１Ａのサブコレクタ層をなす複数の半導体層のうち半導体基板１側の少なくとも１層の半導体層１３が、キャップ層の少なくとも一部の層を兼ねている。ＨＢＴサブコレクタ層の総膜厚が５００ｎｍ以上であり、ＦＥＴキャップ層の総膜厚が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高温や電流密度が高い条件下でも基板へ少数キャリアが到達するのを防いで、順方向電圧の増大を防ぐことができるバイポーラ半導体素子を提供する。
【解決手段】このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型のドリフト層２３との間に形成されている厚さを２０μｍとしたｎ型のバッファ層２２が、ｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働いて、正孔(少数キャリア)がｎ型ＳｉＣ基板２１へ到達することを防ぐ。これにより、正孔(少数キャリア)がｎ型ＳｉＣ基板２１へ到達することを防いで、ｎ型ＳｉＣ基板２１から積層欠陥が拡大するのを防いで、順方向電圧の増大を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板上にＨＥＭＴ、ＨＢＴを順次積層してなるトランジスタ素子において、ＨＥＭＴの移動度の低下を抑制することが可能なトランジスタ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２上に高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）３が形成され、ＨＥＭＴ３上にヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）４が形成されたトランジスタ素子において、ＨＥＭＴ３がアンドープＩｎＧａＡｓＰからなるバリア層１０を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいて耐圧を高めること。
【解決手段】n型のシリコン基板１と、シリコン基板１の表層に形成されたp型のベース領域２と、ベース領域２の上方に形成され、シリコンよりもバンドギャップが広い半導体材料を含むn型のコレクタ層７ａとを有する半導体デバイスによる。 （もっと読む）

【課題】表面上に素子をより高密度に実装する。
【解決手段】第１のトレンチと第２のトレンチとの間の位置において、エピタキシャル層の表面から基板へと下方に延在するドーパントのウェルは、エピタキシャル層の背景ドーピング濃度とは異なるドーピング濃度を有し、エピタキシャル層の残りの部分と第１および第２の接合を形成する。第１の接合は、第１のトレンチの底部から基板に延在し、第２の接合は、第２のトレンチの底部から前記基板に延在する。ウェルおよび第１および第２のトレンチは分離構造を構成し、分離構造は、分離構造の一方側のエピタキシャル層に形成された第１の素子と分離構造の他方側のエピタキシャル層に形成された第２の素子とを電気的に分離する。分離構造による電気的分離は第１および第２のトレンチとＰＮ接合とによってもたらされ、ウェルは第１の導電型の材料でドープされ、基板およびエピタキシャル層は、第１の導電型とは反対の第２の導電型の材料でドープされ、第１および第２の接合はＰＮ接合である。 （もっと読む）

関連するデバイスまたは回路２４を保護する静電気放電（ＥＳＤ）保護クランプ２１、２１’、７０、７００は、バイポーラ２１、２１’、７０、７００を備える。アバランシェ降伏が、上にある誘電体・半導体界面７９１から離れ、デバイス７０、７００のベース領域７４、７５の部分８４，８４以内に望ましく起こるように向かうベース７５およびコレクタ８６領域のドーパントを構成される。例えば、半導体ダイまたはウェハのトランジスタ２１、２１’、７０、７００の異なる方位配向のおかげで、ＥＳＤトリガ電圧の最大変化（△Ｖｔ１）ＭＡＸはベース・コレクタ間隔寸法Ｄの関数である。トリガ電圧一貫性および製造歩留まりが改良される。
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【課題】イオン注入後のアニール後に生じる残留欠陥を除去することができ、その後シリコンエピタキシャル層を形成しても積層欠陥を生じない、高品質な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板に選択的にイオン注入を行う工程と、該イオン注入後に、前記シリコン単結晶基板の結晶性を回復させる回復熱処理と前記注入イオンを拡散させる拡散熱処理を行う熱処理工程と、該熱処理後に、前記イオン注入工程によって前記シリコン単結晶基板の表面層に形成されたアモルファス層の全部を取り込む厚さの熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、該形成された熱酸化膜を除去する工程と、該熱酸化膜を除去した表面上にエピタキシャル層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで性能向上が可能なＢｉＣＭＯＳ型半導体集積回路装置を実現することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型の半導体基板１の表面から所定の深さに、コレクタ領域を構成するｎ型の不純物領域２６を備える。当該不純物領域２６の上方、かつ半導体基板１に形成されたシャロートレンチ分離１４で挟まれた領域１８にはｐ型のベース領域２０を備える。ベース領域２０には、ｎ型の半導体膜からなるエミッタ電極が接触して設けられている。当該半導体装置は、不純物領域２６がベース領域２０下からシャロートレンチ分離１４下まで延在し、当該シャロートレンチ分離１４を貫通して不純物領域２６に電気的に接続するコンタクトプラグ５２を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐量及びノイズ耐性を向上させたＥＳＤ保護素子を提供する。
【解決手段】本発明によるＥＳＤ保護素子は、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴｒ１と、一端がパッド１０に接続されたトリガ素子２０とを具備する。ＮＰＮバイポーラトランジスタＴｒ１は、第１ベース拡散層２０４と、パッド１０に接続されたコレクタ拡散層４と、第１ベース拡散層２０４上に形成され、第１配線Ｌ１を介してトリガ素子２０の他端に接続されたトリガタップ１と、第１ベース拡散層２０４上に形成され、第１配線Ｌ１と異なる第２配線Ｌ２を介してＧＮＤに共通接続されたエミッタ拡散層２及び第２ベース拡散層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域で動作する半導体装置の特性の低下を抑制しつつ、製造コストを低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、電界効果型トランジスタと、ヘテロ接合バイポーラトランジスタと、ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＧａＡｓベース層７を用いて形成されたベースエピ抵抗素子２８と、電界効果型トランジスタのＩｎＧａＡｓチャネル層４を用いて形成された配線部２６と、配線部２６とベースエピ抵抗素子２８とを絶縁する高抵抗化領域２７と、配線部２６の水平方向の周囲を囲う絶縁性の素子分離領域２４とを含む。また、ベースエピ抵抗素子２８は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面に垂直な方向から見て、配線部２６と交差しているベースエピ抵抗素子領域２９を有する。 （もっと読む）

【課題】モジュール化された、相互作用しないやり方で、単一の半導体ウェハにともに接近して実装され、十分に分離された、最適化されたトランジスタまたは他のデバイスの任意の集合の作製を可能にする。
【解決手段】
一群の半導体デバイスが、エピタキシャル層を含まない基板に形成される。一実施例では、この一群は、５ＶのＣＭＯＳペア、１２ＶのＣＭＯＳペア、５ＶのＮＰＮ、５ＶのＰＮＰ、いくつかの形状の横型トレンチＭＯＳＦＥＴ、および３０Ｖ横型Ｎ−チャネルＤＭＯＳを含む。これらのデバイスの各々は、横方向かつ縦方向の双方において極めて小型であり、基板の他のすべてのデバイスから十分に分離され得る。 （もっと読む）

【課題】線形性に優れた半導体抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ＧａＡｓ基板１０１上に形成され、３−５族化合物半導体から構成されるＨＢＴ１３０と、ＧａＡｓ基板１０１上に形成され、ＨＢＴ１３０を構成する半導体エピタキシャル層の少なくとも１層から構成される半導体抵抗素子１２０とを備え、半導体抵抗素子１２０は、ヘリウム不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】耐破壊性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】サブコレクタ層と、第１コレクタ層、第２コレクタ層、第３コレクタ層及び第４コレクタ層を有しサブコレクタ層上に形成されたコレクタ層と、コレクタ層上に形成されたベース層と、ベース層上に形成され、ベース層を構成する半導体よりも大きなバンドギャップを有する半導体から構成されるエミッタ層とを備え、第１コレクタ層は、第２コレクタ層、第３コレクタ層及び第４コレクタ層を構成する半導体と異なる半導体から構成されてサブコレクタ層上に形成され、第４コレクタ層は、第２コレクタ層の不純物濃度よりも低い不純物濃度で第１コレクタ層上に形成され、第２コレクタ層は、サブコレクタ層の不純物濃度よりも低く第３コレクタ層の不純物濃度よりも高い不純物濃度で第４コレクタ層上に形成され、第３コレクタ層は、第２コレクタ層とベース層との間に形成される。 （もっと読む）