【課題】再現性良く高歩留まりで製造することが可能な耐破壊性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、サブコレクタ層１０２と、コレクタ層１１０と、ベース層１０６と、ベース層１０６を構成する半導体よりも大きなバンドギャップを有するエミッタ層１０７とを備え、コレクタ層１１０は、サブコレクタ層１０２上に形成された第１のコレクタ層１０３と、第１のコレクタ層１０３上に形成された第２のコレクタ層１０４と、第２のコレクタ層１０４とベース層１０６との間に形成された第３のコレクタ層１０５とを有し、第１のコレクタ層１０３を構成する半導体は、第３のコレクタ層１０５及び第２のコレクタ層１０４を構成する半導体と異なり、第２のコレクタ層１０４の不純物濃度は、サブコレクタ層１０２の不純物濃度よりも低く、かつ、第３のコレクタ層１０５の不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクトを有効に形成し、デバイスの操作特性を向上させる、ｐ型ひずみInGaNベース層を有するGaNへテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ひずみInGaNベース層を有する窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが提供され、窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが、基板、基板上に設置される高濃度ドープしたコレクタ接触層、前記コレクタ接触層上に設置される低濃度ドープしたコレクタ層、前記コレクタ層上のｐ型ベース層、前記ｐ型ベース層上に設置された高濃度ドープしたｐ型ひずみInGaNベース層、前記ｐ型ひずみInGaNベース層上に設置されるエミッタ層、前記エミッタ層上に設置される高濃度ドープしたエミッタ接触層および前記エミッタ接触層上、前記ｐ型ひずみInGaNベース層上、および前記コレクタ接触層上にそれぞれ設置される、エミッタ金属電極、ベース金属電極およびコレクタ金属電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 層厚の厚い電極部および信頼性の高い保護膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層２１の積層方向Ｚの一表面上に電極部３４を形成する。次に半導体層２１および電極部３４とを予め定める第１の温度Ｔ１のＮ_２雰囲気下でシンタ処理し、半導体層２１と電極部３４とのオーミック性を向上させる。次にＰＳＧ膜３５がアニーリングされかつ堆積される予め定める第２の温度Ｔ２において、酸化膜２２の表面と電極部３４の表面とにＰＳＧ膜３５を堆積して形成する。次にＰＳＧ膜３５の一部をエッチングすることによって、電極部３４の一部が露出するように第２貫通孔３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】ベース抵抗の低減とアーリー電圧の増加を併せて実現しうる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】外部ベース層５１の領域にカーボンを添加し、外部ベース用ボロン注入時に発生する点欠陥生成を防止するように設定したものである。 （もっと読む）

【課題】高速動作性・高電流駆動力を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタは、コレクタとして機能するＳｉ単結晶層３と、Ｓｉ単結晶層３の上に形成された単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａ及び多結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ｂと、エミッタ開口部を有する酸化膜３１と、エミッタ電極５０と、エミッタ層３５とを備えている。単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａに真性ベース層５２が形成され、単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａの一部と多結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ｂとＣｏシリサイド層３７ｂとにより、外部ベース層５１が構成されている。エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 サブコレクタ層のドーピング濃度および厚みを殆ど変えることなく、サブコレクタ層のシート抵抗を下げ、コレクタ抵抗を低減し、オン抵抗が小さく且つ雑音の少ないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】 サブコレクタ層をヘテロ接合を利用した量子井戸構造とすることにより、サブコレクタ層中に移動度の高い２次元電子ガスを発生させ、コレクタ電流としてこの２次元電子ガスを用いることにより、サブコレクタ層のシート抵抗を低減させオン抵抗を低減することができる。また、コレクタ電流として、２次元電子ガスを用いることで熱雑音の発生が抑えられ、雑音特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】設計値どおりに十分高い性能指数を発揮することが可能な、電子デバイスなどの半導体素子を提供する。
【解決手段】抵抗率が１×１０^５Ωｃｍ以下の導電性ＳｉＣからなる基材１上に、少なくともＡｌを含む窒化物半導体からなる下地層２を、好ましくは２μｍ以上の厚さに形成する。そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 （もっと読む）

【課題】 素子の抵抗が小さく、動作電圧の高い窒化物半導体を提供する。
【解決手段】 本発明による窒化物半導体は、導電性ＳｉＣ基板上に不純物濃度の高い窒化物半導体層と不純物濃度の低い窒化物半導体層を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成することを特徴としている。例えば、導電性ＳｉＣ基板の表面上に不純物濃度の高い導電性のｎ^＋型ＡｌＧａＮ層（Ａｌ組成＞０）と、不純物濃度の低いＡｌＢＧａＮ層（Ａｌ組成≧０、Ｂ組成≧０）を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成する。これによって、クラックを生じることなく、１００ｎｍ以上の厚いＡｌＢＧａＮ層を形成することができ、素子の抵抗を抑えつつ、降伏電圧の高い窒化物半導体を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性に優れたヘテロバイポーラトランジスタを含む半導体装置において、ニー電圧（Ｖk）の十分な低減を可能としながら、ベースコンタクト形成が容易であるデバイス構造を提供すること。
【解決手段】 少なくともエミッタ層とベース層とコレクタ層（更にはサブコレクタ層）とを有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタ等又はそれを主要な構成要素とする半導体装置において、前記エミッタ層及び前記コレクタ層の双方が、高濃度に不純物が添加された高濃度薄層５、９をそれぞれ有し、これらの高濃度薄層の不純物濃度は隣接する半導体層４、６、８、１０の不純物濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｐ側オーミック電極６に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｐ型コンタクト層５の主表面に接触して形成されるＳｉ層６ａと、Ｓｉ層６ａ上に形成される約２０ｎｍの厚みを有するＰｄ層６ｂとを含むとともに、ｎ側オーミック電極９に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｎ型ＧａＮ基板１の下面に接触して形成されるＳｉ層９ａと、Ｓｉ層９ａの下面上に形成される約６ｎｍの厚みを有するＡｌ層９ｂと、Ａｌ層９ｂの下面上に形成される約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層９ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】 互いに並列に接続されたベースバラスト抵抗及び容量を付加したＨＢＴ等のヘテロ接合型半導体素子を有する半導体装置において、その素子面積を縮小し、かつ作製工程の簡略化も可能にすること。
【解決手段】
少なくともコレクタ層３とベース層５と第１のエミッタ層７Ａとからなる積層体によって構成されたＨＢＴ１５ａ及び１５ｂを有し、これらのＨＢＴと同一構成材料からなる積層体１６において、各ＨＢＴのベースに接続されたベース構成材料層５と、ベース信号入力端子電極に相当するエミッタ構成材料層上のエミッタ電極９との間に、ベース構成材料によるベースバラスト抵抗１３と、エミッタ及びベース構成材料からなる逆方向ダイオードによる容量１４とが並列に接続されることによって、並列の複数のＨＢＴの熱暴走を防止する構造を素子面積の縮小の下で容易に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴセル内での発熱均一性を保ち、かつ、高周波帯域の利得特性を向上させたバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 ベースメサフィンガー（エミッタレッジ層１５、ベース層１６及びコレクタ層１７）を２本のコレクタフィンガー（コレクタ電極１３）で挟み、ベースメサフィンガー上に１本のベースフィンガー（ベース電極１２）及びその両側の２本のエミッタフィンガー（エミッタ層１４及びエミッタ電極１１）を形成した構造である。２本のエミッタフィンガーは、ベースフィンガーを基準に対称の位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓＳｂ系ベース層で、ベース層内の少数キャリアを内部電界により加速し、電流利得の改善が可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を提供する。
【解決手段】基板１としてＩｎＰを用い、ベース層４の少なくとも１層はＡｌ（ｘ）Ｇａ（１−ｘ）Ａｓ（ｙ）Ｓｂ（１−ｙ）とし（ｘ，ｙはそれぞれ組成比）、エミッタ側からコレクタ側の方向に徐々に小さくする傾斜組成とし、ベース層のホール濃度を４×１０^１９ｃｍ^−３以上とする。また、エミッタ層５の少なくとも１層はベース層４との伝導帯端差ΔＥｃが０．１８ｅＶ以下となる材料を用いる。ここで、ベース層４のＡｌの組成比ｘを０＜ｘ≦０．２の範囲内とし、Ａｓの組成比ｙを０．２≦ｙ≦０．８の範囲内とする。また、エミッタ層４の１層をＩｎＧａＰ，ＩｎＡｌＰ，ＩｎＡｌＧａＰ，ＩｎＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｌＡｓ，ＩｎＡｌＡｓＰのいずれかとする。 （もっと読む）

【課題】 逆電圧に対する保護回路を備えた発光素子の小型化、高出力・高効率化を可能とする発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子に、その逆方向電圧に対する保護回路として、バイポーラトランジスタを備えている半導体発光装置であり、その保護回路は、バイポーラトランジスタのベースコレクタ間を短絡し、半導体発光素子の極性に対して、エミッタ−ベース間の極性が逆向きになるように半導体素子回路と並列接続されている構成からなる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴセル内での発熱均一性を保ち、かつ、高周波帯域の利得特性を向上させたバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 ベースメサフィンガー（エミッタレッジ層１５、ベース層１６及びコレクタ層１７）を２本のコレクタフィンガー（コレクタ電極１３）で挟み、ベースメサフィンガー上に１本のベースフィンガー（ベース電極１２）及びその両側の２本のエミッタフィンガー（エミッタ層１４及びエミッタ電極１１）を形成した構造である。２本のエミッタフィンガーは、ベースフィンガーを基準に対称の位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】 高周波数帯で動作する半導体装置における特性及び信頼性をコストアップなしに向上させる。
【解決手段】 半絶縁性のＧａＡｓ基板１の上に、下から順にサブコレクタ層３、コレクタ層４、ベース層５及びエミッタ層６が積層されている。エミッタ層６の上にはエミッタ電極７が形成されており、ベース層５におけるエミッタ層６が設けられていない部分の上にはベース電極８が形成されており、サブコレクタ層３におけるコレクタ層４が設けられていない部分の上にはコレクタ電極９が形成されている。ベース電極８の直上には抵抗層２が設けられており、当該抵抗層２の直上から、トランジスタ外部領域に設けられたベース端子（図示省略）と電気的に接続する金属配線層１１Ｂが引き出されている。 （もっと読む）

【課題】 ベース／コレクタ接合容量およびベース層の引き出し抵抗を減少させることのできる電極構造を有する半導体素子を含む半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、エミッタキャップ層６の構成材料層を形成し、これらをメサ構造に加工してヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）素子２０を形成する。ＨＢＴ素子２０では、ベース電極８をセンターに配置し、この幅方向両側にエミッタメサおよびエミッタ電極９を各２本形成する。ベース電極８の上には厚さが厚く、低抵抗なベース引き出し配線１８を直接形成する。この際、ベース層４およびコレクタ層３の一部をその積層方向に同一パターンに除去し、この除去領域２１を含む領域上にベース電極８およびベース引き出し配線１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 加工性に優れ、かつオン抵抗（Ｒｏｎ）を増大させず、高性能なヘテロ接合バイポーラトランジスタ、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ｎ型のＧａＡｓから成るサブコレクタ層２と、サブコレクタ層２より低不純物濃度のｎ型のＧａＡｓから成る第２のコレクタ層４との間に、第２のコレクタ層４のエッチング工程において用いられるエッチング液に対して耐性をもち、且つ第２のコレクタ層４との接合において電子の伝導を妨げない第１のコレクタ層３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合半導体素子と別の半導体素子とが同一基板上に集積され、かつ、この別の半導体素子の電極取り出し構造が改良された半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 前記別の半導体素子の一例である抵抗素子２０を構成する抵抗層１１を、イオン注入法または不純物拡散法によって半絶縁性基板１内に形成する。次に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、そしてエミッタキャップ層６の構成材料層を、基板１の全面にエピタキシャル成長法によって形成する。次に、これらの一部をメサ構造に加工して、ＨＢＴ１０を形成する。一方、抵抗素子２０の素子電極１４、１５を高い位置で取り出すための導電層１２、１３を、サブコレクタ層２の構成材料層４２のパターニングによって形成し、素子電極１４、１５をこの上に形成する。次に、ＢＣＢなどの平坦化膜３０を形成し、これを介して配線３１、３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ベース・コレクタ間容量及びベースコンタクト抵抗を共に減少させて、高周波特性等の特性の向上を図ることができる、ヘテロ接合型半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともコレクタ層３とベース層４とエミッタ層５とからなる積層体を有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタ２４ａであって、エミッタキャップ層６、エミッタ層５及びコレクタ層３がアンダーカット形状をなし、各アンダーカット部に有機絶縁膜９Ａ、９Ｂが充填されていると共に、エミッタ電極７に対して自己整合的に形成されたベース層４の側面から上面の一部にかけてベース電極１２が全方向蒸着後のリフトオフによって形成されている、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ２４ａ。 （もっと読む）