【課題】近接する２つの素子間に高濃度不純物領域を配置し、フローティング電位またはＧＮＤ電位を印加することにより２つの素子間のアイソレーションを向上させる手法は、漏れた高周波信号のパワーが大きい場合に高濃度不純物領域の電位が変動してしまう。このため、結果として２つの素子間のアイソレーションが十分確保できなくなる問題があった。
【解決手段】近接する２つの素子間に伝導領域または金属層による分離素子を配置する。分離素子は高抵抗素子を接続し、直流端子パッドに接続する。また直流端子パッドから分離素子に至る接続経路は電位が高周波振動しない経路とする。これにより、少なくとも一方に高周波信号が伝搬する２つの素子の間に高周波ＧＮＤ電位を配置したこととなり、２つの素子間の高周波信号の漏れを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性が改善された、メタモルフィックバッファ層を有するヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、メタモルフィックバッファ層２を形成し、その上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６を順次積層し、コレクタ電極７をメタモルフィックバッファ層２の上部層２ｃに接して設ける。メタモルフィックバッファ層２には、結晶成長中における不純物ドープ法によって、従来のサブコレクタ層と同等またはそれ以上の不純物を導入し、メタモルフィックバッファ層２がコレクタ電流をコレクタ電極７へ導く役割を果たすことができるようにする。熱抵抗の大きい三元混晶などで形成されることの多いサブコレクタ層を省略できるので、半導体装置内で発生した熱を速やかに基板１へ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積の増加や高周波特性の劣化を抑制しながら、熱安定性を向上させ、耐破壊性を向上することを目的とする。
【解決手段】 外部ベース領域下のコレクタ領域にイオン注入を行い、その上部の外部ベース領域上に容量膜１１０を設けることにより、入力された高周波の入力信号は、容量膜１１０を通って真性ベース領域に到達し、ベース電極に入力された直流電流は外部ベース領域を通って真性ベース領域に到達するため、チップ面積の増加や高周波特性の劣化を抑制しながら、熱安定性を向上させ、耐破壊性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤにより窒素よも水素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第一窒化ガリウム系半導体膜を成長し、その後３族原料ガスの供給を一旦停止し、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第二窒化ガリウム系半導体を成長することにより、前記第一窒化ガリウム系半導体膜においては、マグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布は実質的に平坦であり、かつマグネシウム濃度が水素原子濃度より高く、前記第二窒化ガリウム系半導体膜においては、表面に向かってマグネシウム濃度及び水素原子濃度が増大する第１の領域が設けられ、前記第１の領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高い構造とする。 （もっと読む）

【課題】 エミッタサイズを縮小でき、且つ製造コストを低減することができるＨＢＴを実現する。
【解決手段】 高濃度ｎ型の第１サブコレクタ層１０２上に、バンドギャップの小さい材料からなる高濃度ｎ型の第２サブコレクタ層１０８と、ｉ型又は低濃度ｎ型のコレクタ層１０３と、高濃度ｐ型のベース層１０４と、バンドギャップの大きい材料からなるｎ型のエミッタ層１０５と、高濃度ｎ型のエミッタキャップ層１０６と、バンドギャップの小さい材料からなる高濃度ｎ型のエミッタコンタクト層１０７とが順次形成されている。エミッタコンタクト層１０７からは、エミッタ電極を兼ねる配線１１５Ａが引き出され、エミッタ層１０５からは、ベース電極を兼ねる配線１１５Ｂが引き出され、第２サブコレクタ層１０８からは、コレクタ電極を兼ねる配線１１５Ｃが引き出されている。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、信頼性が高く、低コストのトランジスタを提供する。
【解決手段】 基板と、前記基板上に形成された第１導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域上に形成された第２導電型のベース領域と、前記ベース領域上に形成された第１導電型のエミッタ領域と、を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、前記エミッタ領域が、Ｉｎ_ｘ（Ｇａ_ｙＡｌ_１−ｙ）_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるアンドープ層と、前記アンドープ層の表面の一部にメサ状に形成され前記アンドープ層と格子整合する材料からなり前記アンドープ層よりも第１導電型不純物濃度が高い第１導電型のメサ構造部と、を有し、前記メサ構造部の側面と、前記アンドープ層の前記表面のうちの前記メサ構造部を囲む領域と、が金属保護層により覆われ、前記金属保護層が、前記アンドープ層とショットキー接合を形成し、真空蒸着により形成可能な材料からなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 （もっと読む）

本発明は、フォトリソグラフィ技術を適用することなく、ベース領域（７）に自己整合で形成されるベース接続領域（２３）を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法を提供する。更に、コレクタ接続領域（３１）及びエミッタ領域（２９）が、フォトリソグラフィ技術を適用することなく、同時に形成され、ベース接続領域に自己整合される。
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【課題】 ＨＢＴでスイッチング素子を構成したスイッチ回路装置では、大きなベース電流を必要とするため、各ＲＦ端子を高周波信号の分離素子３０を介してＤＣバイアスポイントに接続すると、ＨＢＴに十分なバイアスを印加できず、ＨＢＴを十分動作させることができない。
【解決手段】 複数の単位ＨＢＴを並列接続して集合素子を構成し、１つの集合素子の共通エミッタおよび共通コレクタ毎に１つの分離素子を介して１つのバイアスポイントに接続し、バイアス電位を印加する。単位ＨＢＴをグループ分けすることによりベース電流を分散できるため、分離素子に流れるベース電流が小さくなり電圧ドロップが小さくなる。従って、単位ＨＢＴに十分なバイアスが印加でき、動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴは、ベース−エミッタ間電流が正の温度係数を持つため、コレクタ電流も正の温度係数を持つ。従って、ベース電流を増加させて電流密度の向上を図ると、複数並列接続されたＨＢＴの単位素子のうち、１つの単位素子に電流が集中して二次降伏を起し、破壊に至りやすくなる。
【解決手段】 ＨＢＴとＦＥＴを分離領域を介して隣接して配置し、ＨＢＴのベース電極にＭＥＳＦＥＴのソース電極を接続した単位素子を複数接続して能動素子を構成する。単位素子を並列に複数接続した能動素子において、単位素子毎に動作電流が不均一となっても、コレクタ電流が負の温度係数を持つため１つの単位素子に電流が集中することはなく二次降伏による破壊は発生しない （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴは、ＨＥＭＴより低オン抵抗を得ることができる。しかし各単位素子において動作上の微小なアンバランスから二次降伏による破壊を起こすため、信頼性が低い問題があった。
【解決手段】 単位ＨＢＴのベース電極に、ベース層に連続した抵抗層により形成されたバラスト抵抗を接続する。そしてＨＢＴとバラスト抵抗が接続された単位素子を複数並列接続し、スイッチング素子を構成する。これにより各単位素子において単位ＨＢＴの発熱が直接バラスト抵抗に伝わる。抵抗は負の温度係数を持つため、単位ＨＢＴが発熱するとそれに接続するバラスト抵抗の抵抗値が大きくなりバラストとしての機能が増す。従って、ＨＢＴによるスイッチ回路装置において二次降伏による破壊を回避し、信頼性を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴのベースが直接制御端子に接続するスイッチ回路装置では、制御端子から、ＨＢＴの駆動に必要なベース電流を供給する必要がある。しかし、この回路構造ではＨＢＴの電流増幅率ｈ_ＦＥが限られているため、必要なベース電流を制御端子から十分に得られない問題があった。
【解決手段】スイッチング素子を構成するＨＢＴのベースにソースが接続する駆動ＦＥＴを設け、駆動ＦＥＴのドレインを電源端子に接続し、ゲートを制御端子に接続する。制御信号により駆動ＦＥＴが導通し、電源端子から供給される電流によってＨＢＴが動作する。従って一般的な制御用ＬＳＩからの制御信号を利用できる。またＨＢＴの各単位ＨＢＴに駆動ＦＥＴの各単位ＦＥＴを対応させることによりＨＢＴの２次降伏による破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズパッケージの半導体装置においては、半導体基板６０がスリット孔８０で分離される構造のために樹脂層７８で同一平面に支持固定される必要があるが、絶縁膜７４と接着しかつ均一の厚みであるので、まだ十分な強度を得られていない実用上の大きな問題点があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を有する半導体基板と、第１の領域１２と第２の領域１３、１４を分離するダイシング溝３０と、ダイシング溝３０に隣接する半導体基板１０の第１の領域１２および第２の領域１３、１４表面に設け半導体基板１０を露出する段差部分３１と、段差部分３１を含み半導体基板の第１の領域１２および第２の領域１３、１４の表面に半導体基板１０を一体に支持する樹脂層３４とを備え、段差部分３１と樹脂層３４の密着度を向上させている。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴは、ベース−エミッタ間電流が正の温度係数を持つため、コレクタ電流も正の温度係数を持つ。従って、ベース電流を増加させて電流密度の向上を図ると、複数並列接続されたＨＢＴの単位素子のうち、１つの単位素子に電流が集中して二次降伏を起し、破壊に至りやすくなる。
【解決手段】 ＨＢＴとＦＥＴを分離領域を介して隣接して配置し、ＨＢＴのベース電極にＭＥＳＦＥＴのソース電極を接続した単位素子を複数接続してスイッチ回路装置を構成する。単位素子を並列に複数接続したスイッチ回路装置において、単位素子毎に動作電流が不均一となっても、１つの単位素子に電流が集中することはなく二次降伏による破壊は発生しない （もっと読む）

【課題】 雑音特性を劣化を抑制して高周波特性の向上を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体層２３、基体層２３上の基体層２３より幅の狭い中間層２２、及び中間層２２上の中間層２２より幅の狭い頭部２１を備える第１導電型（ｎ型）のコレクタ領域２と、頭部２１の上面に配置された第２導電型（ｐ型）のベース領域３と、ベース領域３の上部の一部に配置された第１導電型（ｎ型）のエミッタ領域４と、基体層２３の上面から頭部２１の側面まで達する絶縁領域５と、絶縁領域５の上面にベース領域３の側面と接して配置されたベース電極６とを備える。 （もっと読む）

【課題】様々な選択された光出力を得るための好ましい信号処理が可能で、光波混合変調レーザトランジスタ及びその技術を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその技術を作り出すことである。
【解決手段】光出力を作り出す方法は、以下の工程、つまり第１及び第２の電気信号を提供する；コレクタ領域、ベース領域、及びエミッタ領域を含むバイポーラ発光トランジスタ素子を提供する；コレクタ領域に結合されるコレクタ電極及びエミッタ領域に結合されるエミッタ電極を提供し、及び電位をコレクタ電極及びエミッタ電極に対して結合する；ベース領域との光通信における光結合器を提供する；ベース領域に結合される第１及び第２のベース電極を提供する；及び第１及び第２の電気信号をそれぞれ第１及び第２の電極に結合して、ベース領域から放出され及び光結合器に結合される光出力を作り出すという工程を含み、その光出力は、第１及び第２の電気信号の関数である。また、改良されたｐｎｐトランジスタレーザと出力レーザパルスを作り出す誘導放出モードと自然放出モード間を交互に切り替える技術も開示されている。 （もっと読む）

【課題】エミッタ端子及びベース端子が同一な高さを有する高速バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】高速バイポーラトランジスタは、ベースのためのシリコン−ゲルマニウム膜（２５ａ）をコレクタのための半導体膜（１９）上に形成し、エミッタ端子及びコレクタ端子のための接触窓を有する層間絶縁膜（２７）（２９）を形成し開口する。ポリシリコンを蒸着した後ベース、エミッタ接触窓（３５ｂ）（３５ａ）内にポリシリコンを充填し、イオン注入熱処理工程により、エミッタ拡散部（３６）を形成する。その後、平坦化処理により、同一高さをもつポリシリコンエミッタ端子及びポリシリコンベース端子を形成する。更に、エミッタ及びベース接触窓と、金属配線との間に安定的なシリサイド膜を形成でき、低抵抗なエミッタ、ベース接触窓を持つバイポーラトランジスタを形成できる。 （もっと読む）

【課題】縦構造のバイポーラトランジスタを用い、コレクタの電極取り出しを基板の裏面側で行うことで、バイポーラトランジスタのデバイス面積を縮小化するとともに高速動作化を可能とする。
【解決手段】バイポーラトランジスタ１００とＭＯＳ型トランジスタ２００とを同一基板１０に搭載した半導体集積回路装置１であって、バイポーラトランジスタ１００は、エミッタ層１２０、ベース層１１０、コレクタ層１３０が基板１０主面に対して垂直方向に配列されたものからなり、ベース層１１０に接続されるベース取り出し電極１１１が基板１０の主面側に設けられ、エミッタ層１２０に接続されるエミッタ取り出し電極１２１が基板１０の主面側に設けられ、コレクタ層１３０に接続されるコレクタ取り出し電極１３１が基板１０の主面とは反対の裏面側に設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】IV族元素半導体、III−Ｖ族化合物半導体、II−Ｖ族化合物半導体、IV族化合物半導体、有機半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子又は正孔が走行する領域に、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に必要に応じて酸化モリブデンから成るバッファ層を介して形成された高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、高耐圧特性及び高耐環境特性を有する安価な電子デバイスが実現できる。 （もっと読む）

【課題】エミッタ、ベース、コレクタ電極を同一にすることで大幅な工程削減と微細化を実現するとともに、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ特性の安定化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】エミッタ構造、ベース構造、コレクタ構造の１Ｅ１９／ｃｍ^３以上のｎ++ＩnＧaＡs層１０４，４０８、ｐ+ＧaＡs層３０２のノンアロイ層を配することで各電極構造を同一構造化することが可能となり、また各電極構造の各半導体層のキャリアの高濃度と低濃度もしくは混晶比の連続性を持たせることによりヘテロ接合型バイポーラトランジスタ特性の安定化が図れる。 （もっと読む）

【課題】 積層方向における電極位置の高低差を緩和或いは解消し易く、製造工程の増加や生産性の低下を抑え易く、電気的特性の悪化を招かない構造を有するヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が、この順に基板上に積層されてなるＨＢＴにおいて、
ベース層１４と同レベル位置のベース層構成材料層１４ａ上、コレクタ層１３と同レ ベル位置のコレクタ層構成材料層１３ａ上、コレクタ層１３の途中レベル位置のコレク タ層構成材料層１３ａ上、又は、エミッタ層１５又はエミッタキャップ層１６と同レベ ル位置のエミッタ層構成材料層１５ａ上又はエミッタキャップ層構成材料層１６ａ上に コレクタ電極７が形成され、
このコレクタ電極７とサブコレクタ層１２とが、オーミックアロイ法によって形成さ れた導電領域２１を介して電気的に接続されていること
を特徴とする、ＨＢＴ１０ａ。 （もっと読む）