【課題】 層同士が異なる結晶構造であり、かつ、結晶性に優れた多層構造体を実現することである。
【解決手段】 結晶構造の異なる２以上の層を含む多層構造体であって、結晶構造を構成する結合軌道が各層で同じである異種結晶多層構造体による。ＮａＣｌ構造である化合物とＣａＢ_６構造である化合物を含む多層構造体、体心立方構造である金属とＣｓＣｌ構造である化合物を含む多層構造体、ＣａＦ_２構造である化合物と面心立方構造である金属を含む多層構造体、ＣａＦ_２構造である化合物と体心立方構造である金属を含む多層構造体などが好ましい。これらの多層構造体によれば、金属ベーストランジスタ１、面発光レーザ、磁気抵抗膜および共鳴トンネルダイオードなどのデバイスが得られる。 （もっと読む）

【課題】さらなる微細化の可能なセルフアラインＨＢＴとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法では、まず、基板１の上に、コレクタコンタクト層２、コレクタ層３、ベース層４、ベース保護層５、エミッタ層６およびエミッタコンタクト層７、ＷＳｉ層８を順次形成する。その後、ＷＳｉ層８の上にレジストパターン９を形成し、レジストパターン９をマスクとしてＷＳｉ層８のパターニングを行う。その後、レジストパターン９をマスクとして、ＩＣＰ方式ドライエッチングにより、エミッタコンタクト層７とエミッタ層６とを順次除去する。ドライエッチングによってエミッタコンタクト層７およびエミッタ層６を除去することにより、エミッタ層６の側面を上面に対してほぼ垂直にすることができる。 （もっと読む）

成長したベース層（１８）を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタを提供する。バイポーラ接合トランジスタは、非常に薄い（例えば、０．３μm以下）ベース層で作成されるが、それでも十分に周辺ベース抵抗値を有している。炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタの作成に対するセルフアライメント製造技術も提供する。これらの技術を利用することにより、デバイス上のエミッタとベースコンタクトとの間の間隔を減少させことが可能である。炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタを、ガードリングのようなエッジ終端構造を用いて提供することができ、デバイスの阻止能力を増加することが可能である。
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照明システムは、複数個の発光素子（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を含む光源（１）を有する。これらの発光素子は、少なくとも第１の原色の第１の発光ダイオードと、少なくとも第２の原色の第２の発光ダイオードとを備え、第１と第２の原色がお互いに異なっている。この照明システムは、発光素子によって発せられた光を平行にするためのファセット光コリメータ（２）を有する。このファセット光コリメータは、照明システムの長手方向軸（２５）に沿って構成される。ファセット光コリメータ内の光伝搬は、全内部反射に、又はファセット光コリメータのファセット上に施された反射コーティングでの反射に基づいている。ファセット光コリメータは、光源から離れて面する側で、ファセット光反射板に組み合わせる。この照明システムは、光整形拡散体（１７）を更に備える。この照明システムは、均一な空間の及び空間角度色分散で光を発する。
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【課題】 従来では、埋込拡散層が、他の熱処理工程で必要以上に這い上がり、所望の耐圧特性が得られないという問題があった。
【解決手段】 本発明では、Ｎ型の埋込拡散層２を形成した後、素子間分離等に用いる溝部８のコーナー部９を丸めるため、ドライエッチングを行う。更に、溝部８を、例えば、ＣＶＤ法によるＮＳＧ膜１０で埋設し、分離領域を構成するトレンチ１２は、例えば、ＣＶＤ法によるＨＴＯ膜１３及び多結晶シリコン膜１４で埋設する。この製造方法により、Ｎ型の埋込拡散層２の必要以上の這い上がりを抑制し、所望の耐圧特性が得られる半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

１つの例示の実施例に従うと、バイポーラトランジスタは上面を有するベースを含む。バイポーラトランジスタは、一実施例において第１のおよび第２のリンクスペーサの間に位置する犠牲ポストをさらに含む。バイポーラトランジスタはまた、犠牲ポストにわたって位置するコンフォーマルな層を含む。コンフォーマルな層は、たとえばシリコン酸化膜を含み得る。この例示の実施例に従うと、バイポーラトランジスタは、コンフォーマルな層、犠牲ポストおよびベースにわたって位置する犠牲平坦化層をさらに含む。この犠牲平坦化層は、第１のおよび第２のリンクスペーサの間の第１の領域における第１の厚さと、第１のおよび第２のリンクスペーサの外側の第２の領域における第２の厚さとを有し、第２の厚さは概ね第１の厚さよりも大きい。別の実施例は、上述の記載のバイポーラトランジスタを達成する方法である。
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【課題】厚み方向の特定領域に重金属を拡散させた半導体素子及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｎ型半導体基板５１の一方の主面に、Ｐ型半導体領域１２を形成する。Ｎ型半導体基板５１の一方の主面にＡｕ膜を形成し、熱処理によってＮ型半導体基板５１内にＡｕを拡散させる。Ｎ^＋半導体基板５２の一方の主面に、第２Ｎ型半導体領域２２を形成する。次に、Ｎ型半導体基板５１の他方の主面と、第２Ｎ型半導体領域２２とを重ね、熱処理によって固着させる。 （もっと読む）

【課題】 非格子整合半導体素子を有する半導体装置において、半導体素子におけるメタモルフィックバッファ層による大きな段差の発生による段切れ等の改善を図る。
【解決手段】 基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＳｉＣに対して良好なオーミック接触を得ることができるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ^＋型ＳｉＣ基板１１と、第２の主面上に形成されたエピタキシャル層１３と、エピタキシャル層１３上に形成されると共に、エピタキシャル層１３とオーミック接触した電極１４とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ベース電極がエアブリッジ構造を有するバイポーラトランジスタにおいて、構造の簡潔化、ベース電極に対する外部配線としてのベース配線のコンタクト位置の自由度を高めることができるようにする。
【解決手段】 ベース層１３の少なくとも一部が上面に臨んで形成された半導体メサ部ＢＭを有し、そのベース層１３にコンタクトされたベース電極１５が、半導体メサ部ＢＭより外側の空間に浮上延長する浮上延長部１５Ｆを有し、この延長浮上部１５Ｆをベース電極１３に対するベース配線４２のコンタクト部１５Ｃとする。このようにして、コンタクト部を固定部に設ける場合におけるこの固定部を形成するための構造、製造の煩雑さを回避でき、かつベース電極に対するベース配線のコンタクト部の選定の自由度をたかめ、レイアウト等の設計の自由度を高めるものである。 （もっと読む）

【課題】 作製が容易で広い温度範囲で高速動作するホットエレクトロントランジスタを提供すること
【解決手段】 窒化物系半導体から構成されたコレクタ層１０７、コレクタ障壁層１０６、ベース層１０５、アンドープ第１エミッタ障壁層１１５およびエミッタ層１０２を順に備えた半導体素子であって、コレクタ層１０７、ベース層１０５およびエミッタ層１０２は、それぞれ、ｎ型半導体から構成されており、第１エミッタ障壁層１１５は、エミッタ層１０２とベース層１０５との間に配置されており、第１エミッタ障壁層１１５のバンドギャップは、エミッタ層１０２のバンドギャップよりも大きく、第１エミッタ障壁層１１５に接してベース電極１１１が形成されている半導体素子。 （もっと読む）

この発明は、仮基板（２）を有する半導体基体（１）内において、少なくとも一つの半導体素子（３）が形成され、半導体素子（３）が、半導体基体（１）の基板（２）とは反対側に少なくとも一つの接続領域（４）を備え、そして、前記側に誘電体（５）が形成され、そして、接続領域（４）を露出させるようにパターンニングされ、その後、接続領域（４）と接続するように誘電体（５）上部に金属層（６）が堆積され、金属層（６）が接続領域（４）の電気的接続導電体として機能し、その後、仮基板（２）が除去され、そして、金属層（６）が半導体装置（１０）の基板として機能する半導体装置（１０）の製造方法に関する。この発明によれば、金属層（６）が堆積される前に、誘電体（５）のパターンニングされた部分の周囲と半導体素子（３）の周囲とに誘電体（５）よりも厚い樹脂のリング状領域（７）が形成され、そして、長方形のリング状領域（７）内部に金属層（６）が堆積される。このようにして、金属層（６）が堆積された後に、好ましくは、装置（１０）を領域（７）外部に押圧することにより各装置（１０）が容易に形成できる。好ましくは、誘電体（５）と領域（７）とのために（異なる）フォトレジストが選ばれる。この発明は、さらに、このようにして得られる半導体装置（１０）を備える。
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【課題】 バイポーラトランジスタにおける高利得化および低雑音化を同時に実現できる技術を提供する。
【解決手段】 ベースパッド３１およびコレクタパッド３２の下部にエミッタ（基準（接地）電位）と電気的に接続された配線２４が設けられた基板シールド構造とすることにより、ベースパッド３１およびコレクタパッド３２と配線２４との間では容量が設けられた構造として電力消費をなくし、基板１からの熱雑音は、配線２４を介して基準（接地）電位へと逃がし、ベースパッド３１およびコレクタパッド３２へは届かないようにする。 （もっと読む）

半導体部品は、半導体基板（１１０）と、半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層（１２０）と、エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタ（７７０、８７０）と、エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタ（７８０、８８０）とを含む。エピタキシャル半導体層の一部によって、バイポーラトランジスタのベースと電界効果トランジスタのゲートとが形成され、エピタキシャル半導体層のその一部は実質的に均一なドーピング濃度を有する。同じまたは他の実施形態においては、エピタキシャル半導体層の異なる部分によって、バイポーラトランジスタのエミッタと電界効果トランジスタのチャネルとが形成され、エピタキシャル半導体層のその異なる部分はエピタキシャル半導体層の一部の実質的に均一なドーピング濃度と同じかまたは異なる実質的に均一なドーピング濃度を有する。
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【課題】既に達した速度を潜在的に越えることさえできる極めて高速で動作できるバイポーラトランジスタとその方法を提供することである。
【解決手段】バイポーラトランジスタから制御可能な光放射を生成する方法及び素子が開示されている。また、以下の工程、つまりエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを提供し、電気信号とエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を結合する電極を提供し、及び自然放射の不利益に対して誘導放射を強化するためにベース領域を適合させ、それによりベース領域のキャリア再結合寿命を削減する工程を含むバイポーラトランジスタの速度を増大させる方法も開示されている。 （もっと読む）