【課題】 調整可能な反射防止コーティングを含む構造およびその形成方法を提供することである。
【解決手段】 調整可能なエッチング耐性反射防止（ＴＥＲＡ）コーティングを含む配線工程（ＢＥＯＬ）アプリケーションにおける配線構造が記載される。ＴＥＲＡコーティングは、例えば、シングルダマシン構造またはデュアルダマシン構造の中で取り入れられることができる。ＴＥＲＡコーティングは、配線構造を形成するリソグラフィマスクの一部として役に立つことができ、または、それは、ハードマスクとして、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）のストップ層として、またはＣＭＰ中の犠牲層として役立つことになる。 （もっと読む）

構造部の断面をミル処理する際の、局部的な形状変化を制御する改良された方法であって、測定精度を向上させるため、記録ヘッドの断面での局部的な形状変化を抑制する際に使用される方法である。局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。

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低コストおよび低環境負荷で、かつ連続した薄膜回路パターンを精度よく実現できるパターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器を提供する。 基板１上にマスク層２を形成する工程と、上記マスク層２に開口パターンを形成する工程と、上記基板１上およびマスク層２上に薄膜３を形成する工程と、上記マスク層２および該マスク層２上に形成された薄膜３を基板１から剥離する工程とを含み、開口パターンを乾式条件下で形成する。 （もっと読む）

少なくとも１種の無機化合物、および少なくとも１種の緻密化剤を含有し、前記緻密化剤は、少なくとも１種の無機化合物の密度と比較して、被覆材料の密度を増大させる被覆材料が、ここに記載されている。少なくとも１種の無機化合物を準備するステップと、少なくとも１種の緻密化剤を準備するステップと、少なくとも１種の無機化合物を少なくとも１種の緻密化剤と一緒にして被覆材料を形成するステップとを含み、前記緻密化剤は、少なくとも１種の無機化合物の密度と比較して、被覆材料の密度を増大させる被覆材料を製造する方法が、ここに記載されている。 （もっと読む）

透明無定形炭素層が形成される。この透明無定形炭素層は吸収係数が小さく、そのためこの無定形炭素は、可視光範囲において透明である。透明無定形炭素層は、異なる目的のための半導体装置においても使用することができる。透明無定形炭素層は、半導体装置の最終構造に含まれてもよい。また、透明無定形炭素層は、半導体装置の製造中に、エッチング処理のマスクとして使用することもできる。
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本発明はドナー基板からレシーバ基板に材料のパターンを積層によって転写する方法である。転写された材料のパターンは、積層の際にドナーとレシーバとの間に挿入されたマスクの開口によって画定される。この技法は可撓性ポリマーレシーバ基板に適合しており、可撓性表示装置用の薄膜トランジスタを作製するのに有用である。

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本発明はマスキング方法を包含する。１つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約０．５原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。 （もっと読む）