【課題】フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜を含んだ全体構造上に複数（多数）の平行なフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを除去して前記絶縁膜を露出させる段階と、前記露出する絶縁膜をエッチングしてダマシンパターンを形成する段階と、前記スペーサを除去する段階と、前記ダマシンパターンを含んだ全体構造上に金属物質を形成した後、平坦化して金属配線を形成する段階とを含む、半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりや信頼性を損なうことなく微細なコンタクトホールを形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に第１の窒化膜２４、第１の酸化膜２６、第２の窒化膜２８を順次形成する工程と、第２の窒化膜上にフォトレジスト膜３４を形成する工程と、フォトレジスト膜に開口部３６を形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクとして、第２の窒化膜２８をエッチングし、開口部を第１の酸化膜まで到達させる第１のエッチング工程と、第２の窒化膜をマスクとして、第１の酸化膜をエッチングし、開口部を第１の窒化膜まで到達させる第２のエッチング工程と、開口部の底部の径ｄ_２を広げるとともに、第１の窒化膜を途中までエッチングする第３のエッチング工程と、第１の窒化膜を更にエッチングし、半導体基板に達するコンタクトホール３８を形成する第４のエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】幅広のパターンと露光技術の解像度の限界以上の超微細パターンとを同時に形成する。
【解決手段】基板Ｗ上に第１のシリコン含有膜３と有機材料膜４と第２のシリコン含有膜５と、細幅と太幅のパターンを有する第１のマスク６ａ、６ｂとを順次形成し、第１のマスク６ａ、６ｂを用いて第２のシリコン含有膜５を細幅と太幅にパターニングし、第１のマスク６ａ、６ｂを除去するとともに有機材料膜４を細幅と太幅にパターニングし、第２のシリコン含有膜５と有機材料膜４と被覆して第３のシリコン含有膜７を形成し、第３のシリコン含有膜７を加工して第２のシリコン含有膜５及び有機材料膜４の側面に側壁を形成し、第２のシリコン含有膜５と該側壁を選択的に被覆する有機材料の第２のマスク８を形成し、第２のマスク８を用いて細幅にパターニングされた第２のシリコン含有膜５を除去し、細幅にパターニングされた有機材料膜４と第２のマスク８を除去する。 （もっと読む）

【課題】歪み発生層に緩和が生じにくい半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５の両側面上に形成され、断面Ｌ字状の内側サイドウォール１７Ｂと、半導体基板１１におけるゲート電極１５の両側方の領域に埋め込まれた歪み発生層１９とを備えている。内側サイドウォール１７Ｂは、５×１０¹⁹／ｃｍ³以上の炭素を含む炭素含有シリコン酸化膜からなる。歪み発生層１９は、１％以上の炭素を含む炭素含有シリコンエピタキシャル層を有する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの深さを安定化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に前記半導体基板に比べエッチング選択比の高い第一膜を作成する工程と、前記第一膜上に前記第一膜に比べエッチング選択比の高い第二膜を作成する工程と、一部の領域の前記第二膜および第一膜をエッチングし前記領域の半導体基板表面を露出させる工程と、前記露出した半導体基板表面をエッチングしトレンチを作成する工程を有する安定したトレンチ深さを提供する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】マトリックス状に配列された露光装備の解像度限界以下の活性領域を定義するためのハードマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、ハードマスク膜１０３と第１のマスクパターン１０５を形成する。第１のマスクパターンと交差する第１のパターンと、第１のマスクパターン間に位置する第２のパターンを含む第２のマスクパターン１０７を形成する。第１のパターン間に第３のマスクパターンを形成する。第１のパターンと第１のマスクパターンが交差する領域に第１のマスクパターンが残留し、第１のパターンと第２のパターンが交差する領域に第２のパターンが残留するようにエッチングを行う。残留する第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンをエッチングマスクとして用い、ハードマスクパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をポリマー溶液処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をレジスト組成物等で処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】平面上で垂直方向と水平方向にライン状のパターニング工程のみを行って露光装備の解像度以下に稠密に配列されたハードマスクパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第２のハードマスクパターン１０７ａを形成する段階と、第２のハードマスクパターン１０７ａと交差する第１のパターン１１５ａと第２のハードマスクパターン１０７ａ間に位置する第２のパターン１１５ｂを含む第３のハードマスクパターンを形成する段階と、第１のパターン１１５ａ間に第４のハードマスクパターン１２３ａを形成する段階と、を含む半導体素子のハードマスクパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）

【課題】ＴａＣをＳｉＣのエッチングを行なうためのマスクの素材として採用可能とすることにより、製造工程を簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの製造方法は、ＳｉＣ部材であるｎ型ＳｉＣ層を準備する基板準備工程およびｎ型ＳｉＣ層形成工程と、ｎ型ＳｉＣ層上にＴａＣ膜を形成するＴａＣ膜形成工程と、ＴａＣ膜をマスク形状に成形するＴａＣマスク形成工程と、マスク形状に成形されたＴａＣ膜をマスクとして用いて、ｎ型ＳｉＣ層をエッチングするｎ型ＳｉＣ層エッチング工程とを備えている。そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】測定したフォトレジスト１０５ｂの線幅と、測定したＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅とから、フォトレジスト１０５ｂをマスクとして形成されるＳｉ₃Ｎ₄層１０２からなるマスクの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフィードフォワード制御を行う。例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】基板にパターンを設ける方法を開示する。
【解決手段】方法は、基板上のフォトレジストの第一層及び第一下部反射防止膜材料の第一層の第一パターンを基板に設け、第一パターンを前記基板にエッチングし、基板にフォトレジストの第二層及び第二下部反射防止膜材料の第二層を設け、フォトレジスト及び下部反射防止膜材料の第二層に第二パターンを設け、第二パターンを基板にエッチングすることを含み、基板上の第一及び第二パターンが一緒にパターンを規定する。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑えつつ、レジスト膜のエッチング耐性を向上させることの可能な半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】
レジスト膜９７からなるパターンマスク、反射防止膜９６及び被エッチング膜９０２が上からこの順に積層された積層体９０１を備えた被処理基板Ｗを気密な第１の処理容器２内に搬入し、レジスト膜９７のエッチング耐性を向上させるが反射防止膜９６にはエッチング耐性を与えない程度のエネルギーで被処理基板の表面に対して真空雰囲気下で電子線を照射し、その後、前記被処理基板を気密な第２の処理容器３内に搬送し、パターンマスクを介して反射防止膜９７及び被エッチング膜９０２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】リセスゲート工程中にリセス領域のエッチング工程で尖状のホーン（Ｈｏｒｎ）が発生することを抑制できる半導体装置のリセスゲート製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板２１をエッチングし、活性領域を画定するトレンチ２２を形成するステップと、該トレンチをギャップフィルする素子分離膜２３を形成するステップと、前記活性領域のチャネル予定領域を開口させ、酸化膜と非晶質カーボン膜とが積層されたハードマスク膜を前記シリコン基板上に形成するステップと、前記ハードマスク膜をエッチング障壁（エッチングマスク）として前記チャネル予定領域を１次エッチングおよび２次エッチング（前記２次エッチングは前記非晶質カーボン膜を取除いた後に行う）の順序でエッチングし、デュアルプロファイルを有するリセス領域１００を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】有機膜１０２のパターンの上にＳｉＯ₂膜１０５を成膜する成膜工程と、ＳｉＯ₂膜１０５を有機膜１０２のパターンの側壁部にのみ残るようにエッチングするエッチング工程と、有機膜１０２のパターンを除去してＳｉＯ₂膜１０５のパターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンの配線分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板に素子分離領域を形成し第１及び第２の拡散領域に分ける工程と、前記基板上に被加工対象膜を形成する工程と、前記被加工対象膜上にハードマスク層と第１レジスト層を形成する工程と、前記第１レジスト層に第１パターンを形成する工程と、前記第１パターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングする工程と、前記ハードマスク層上に第２レジスト層を形成する工程と、前記第２レジスト層に前記第１パターンを分離する第１スペース幅を有する第２パターンを形成する工程と、前記第２レジスト層に形成された前記第２パターンをマスクとして寸法変換エッチングを行うことにより前記ハードマスク層に第１スペース幅から縮小された第２スペース幅を有する第３パターンを形成する工程と、前記ハードマスク層に形成された第３パターンを用いて前記被加工対象膜をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドで使用されている厚いＡｌ_２Ｏ_３膜の上にルテニウム膜を形成したウエハの加工において、高い選択比が得られるドライエッチング方法提供する。
【解決手段】ＮｉＣｒ膜１５の上に、Ａｌ_２Ｏ_３膜１４、ルテニウム膜１３、ＳｉＯ_２膜、１２、レジストマスク１１を積層したウエハのエッチングにおいて、塩素と酸素を含む処理ガスを用いてルテニウム膜１３をプラズマエッチング処理し（図１（ｃ））、引き続きルテニウム膜１３をマスクとしＢＣｌ_３ガス主体の塩素ガスおよびアルゴンガスを含む混合ガスを用いてＡｌ_２Ｏ_３膜１４をプラズマエッチング処理する（図１（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜をハードマスク形状に加工する際、ボーイングやパターンの細りの起こらないアモルファスカーボンハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜１３を加工する際、途中まで加工した後（１６）、露出したアモルファスカーボン膜の側壁に酸化膜からなる保護膜１２ｂを形成する。特に、この保護膜を、アモルファスカーボン膜を加工する際の中間マスク層１２ａをスパッタリングすることで形成する。 （もっと読む）