【課題】面取り基板のルーティング方法を提供する。
【解決手段】基板４の環状周囲ゾーン上にプラズマを用いて保護材料層６を堆積するステップと、前記基板の正面４１上に前記基板の縁部４３から所定の距離に延在する保護材料リング６０を残してアクセス可能な環状周囲ゾーン４００’の境界を定めるようにプラズマを用いて前記保護材料を部分的にエッチングするステップと、基板４の前記アクセス可能な環状周囲ゾーンを有するレベルのプラズマを用いてルーティングされる前記基板を構成する材料の厚さをエッチングするステップと、プラズマを用いて保護材料リング６０を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 （もっと読む）

【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れたパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工膜上の第１の領域に第１のパターン被覆率である第１のパターンを形成する工程と、第１の領域とは異なる被加工膜上の第２の領域に第２のパターン被覆率である第２のパターンを形成する工程と、を含む。第２のパターンを形成する工程は、ブロックコポリマー含有膜またはポリマー混合膜からなる第２の膜を被加工膜上に形成する工程と、第２の膜を自己組織化する工程と、自己組織化された第２の膜に含有される複数種のポリマーを、少なくとも１種類のポリマーを残すように選択的に除去することにより、第２のパターン被覆率を第１のパターン被覆率に近づけるように第２のパターンを第２の領域に形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】より安価に超微細な加工が可能な微細加工方法を提供する。
【解決手段】
基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、Ｖ字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。薄膜形成過程は、基板１よりも軟性を有し、基板１に対して選択エッチングが可能であり、且つ可塑性を有する薄膜２を基板１上に形成する。Ｖ字溝形成過程は、薄膜２よりも硬性を有する少なくとも断面がＶ字形状のＶ字工具４を薄膜に押圧させ、基板１まで達さない少なくとも断面がＶ字形状のＶ字溝３を薄膜２に形成する。薄膜エッチング過程は、Ｖ字溝３の先端が開孔して基板１が露出するように薄膜２をエッチングする。基板エッチング過程は、薄膜２をマスクとして基板１をエッチングする。薄膜除去過程は、基板１上から薄膜２を除去する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の露出エリアを絶縁膜の開口に対して良好な位置制御性で形成できる、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板上に第１層目のハードマスク層を形成し、基板上の第１層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第２層目から第Ｎ層目までのハードマスク層を形成し、第Ｎ層目のハードマスク層のパターニング処理し、順に、第（Ｎ−１）層目から第１層目までのハードマスク層のパターニング処理し、パターニングされた第１層目から第Ｎ層目までのハードマスク層をエッチングマスクとして基板に第１段目の異方性エッチングしてパターニング処理することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】異なる領域のパターン間に重ね合わせズレを発生させずに、一の領域に微細な狭ピッチパターンを形成すると同時に他の領域に微細パターンを形成する。
【解決手段】第１領域１０１及び第２領域１０２を含む基板１００上に被加工膜１２１を形成した後、各領域間で膜厚が異なる下層レジスト膜１２２及び１２３を形成し、その後、中間層レジスト膜１２４及び上層レジスト膜１２５を形成する。ホールパターン形成用の露光マスクを用いて上層レジスト膜１２５をパターニングした後、それをマスクとして中間層レジスト膜１２４をパターニングし、その後、それをマスクとして下層レジスト膜１２２及び１２３をパターニングした後、それをマスクとして被加工膜１２１をエッチングすることにより、各領域で開口寸法が異なる複数のホール１５１ａ及び１５１ｂを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工体１上にＣを含む材料からなる芯材２を選択的に形成する工程と、芯材２の上面および側面を覆うように、酸素を含まない材料からなる保護膜３を形成する工程と、保護膜３を介して芯材２と被加工体１を覆うように酸化膜４を形成する工程と、芯材２の側方に少なくとも酸化膜４からなる側壁５を加工形成する工程と、少なくとも芯材２を除去した後、側壁５をマスクとして用いて被加工体１をエッチングし、側壁５のパターンを転写する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高密度レジストパターンの形成を可能にする。
【解決手段】この方法は、（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体を提供し；（ｂ）パターン形成される１以上の層上に、第１の感光性組成物の第１の層を適用し；（ｃ）第１のフォトマスクを通した活性化放射線に第１の層を露光し；（ｄ）露光された第１の層を現像してレジストパターンを形成し；（ｅ）ハードベークプロセスにおいてレジストパターンを熱処理し；（ｆ）ハードベークされたレジストパターンを、当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理し；（ｇ）樹脂成分と光酸発生剤とを含む第２の感光性組成物の第２の層を、処理されたレジストパターンおよびパターン形成される１以上の層の上に適用し；（ｈ）第２の層を活性化放射線に露光し；並びに、（ｉ）露光された第２の層を現像し、現像後に第２の層の一部分を残す；ことを含む。 （もっと読む）

【課題】光の波長以下の微細加工における深さ制御を高い精度で行うことが可能なエッチング方法と、これを利用したナノインプリント用モールドの製造方法と検査方法およびエッチング装置を提供する。
【解決手段】 開口部（３）を有するエッチングマスク（２）を介して基材（１）をエッチングする際に、予めエッチングによるエッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）と基材１のエッチング深さｄとの関係式を設定し、エッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）を測定することにより上記関係式から対応するエッチング深さｄを算出して、エッチングの制御を行うこととする。 （もっと読む）

【課題】 転写パターンの形状によらず遮光膜の面内におけるエッチングレートを均一化させ、多階調フォトマスクの品質を向上させ、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、導電性を有するエッチングバランサ膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、エッチングバランサ膜及び半透光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなる。 （もっと読む）

【課題】
エッチングフェンスを発生させずに集積回路装置を製造すること。
【解決手段】 第１のマスクと、前記第１のマスクより異方性エッチングに対する耐性が高く且つ所定の形状を有する第２のマスクとを積層したエッチングマスクを、被エッチング層の上に形成する第１の工程と、前記エッチングマスク及び前記被エッチング層に前記異方性エッチングを施して、前記被エッチング層を、前記第２のマスクに対応した形状にエッチングする第２の工程とを有し、前記第２の工程において、前記異方性エッチングにより前記第２のマスクを、垂直方向及び水平方向にエッチングしながら、前記被エッチング層をエッチングすること。 （もっと読む）

【課題】成膜性及びエッチング耐性に優れる膜を形成し、微細加工技術に適する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１８上にＳｉＮ膜２を形成する工程と、前記ＳｉＮ膜２上にハードマスク膜を形成する工程と、前記ハードマスク膜をエッチングマスクとして前記ＳｉＮ膜２をエッチングする工程と、を有し、前記ハードマスク膜は、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜７）または窒化アルミニウムシリコン膜のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。
【解決手段】エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ₂マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 （もっと読む）

【課題】エッチング損傷を減少させるべくドライエッチングを用いて磁気素子を製造する。
【解決手段】磁気素子の製造方法と装置を提供する。素子の磁性及び／又は非磁性層はＴａのような非有機材マスクを用いＮ_２のような不活性ガスと水素ガスの混合ガスによりエッチングされる。結果として、研究例ではＭＴＪテーパ角はほぼ垂直である。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下層膜２が積層された支持体上に、レジストパターン３を形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターン３が形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜４を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターン３をエッチングにより除去し、反転パターン４ａを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料が、テトラアルコキシチタンの加水分解物が脱水縮合して形成されるチタン含有ポリマー（Ｔ）を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】側壁転写加工技術を用いる場合に、転写用のマスクが非対称な形状となることに起因した不具合を極力防止する
【解決手段】半導体基板１上に、ゲート電極を形成するための膜を積層形成する。第１膜としてシリコン窒化膜８ａ、第２膜としてシリコン酸化膜９ａを積層形成する。シリコン酸化膜９ａを加工して芯材パターン９を形成する。ウェット処理によりシリコン窒化膜８ａを選択的エッチングして、所定深さまで除去すると共に、芯材パターン９の直下に括れ部８ｂを形成する。非晶質シリコン膜１１ａを形成し、エッチバックによりスペーサパターン１１を形成する。芯材パターン９をエッチングにより除去すると独立したスペーサパターン１１を得ることができ、これをマスクとしてシリコン窒化膜８ａをＲＩＥエッチング加工しマスクパターン８を形成する。イオンが斜入しても芯材パターン９の直下部分が偏ったエッチング状態とならない。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

【課題】シリコン基体の破損、損傷を生ずることなく安定に生産でき、かつアスペクト比が高い細孔が得られ、面積の大きいものであっても容易に生産できる高規則性ポーラスシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】ポーラスアルミナ膜２をシリコン基体１の表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体１の表面に前記ポーラスアルミナ膜２の細孔と同じ配列の窪み３を形成し、次いで前記シリコン基体１を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪み３を選択的に溶解して細孔を形成し、ポーラスシリコン４を製造する。 （もっと読む）