【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下層膜２が積層された支持体上に、レジストパターン３を形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターン３が形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜４を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターン３をエッチングにより除去し、反転パターン４ａを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料が、テトラアルコキシチタンの加水分解物が脱水縮合して形成されるチタン含有ポリマー（Ｔ）を含有することを特徴とするパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、
前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、
前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、
前記反転パターン形成用材料が、テトラアルコキシチタンの加水分解物が脱水縮合して形成されるチタン含有ポリマー（Ｔ）を含有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記反転パターン形成用材料は、前記レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ１）を含有する請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記有機溶剤（Ｓ１）は、アルコール系有機溶剤、および水酸基を有さないエーテル系有機溶剤からなる群から選択される少なくとも１種である請求項２に記載のパターン形成方法。

【図１】

【図２】

【公開番号】特開２０１０−２８６６１８（Ｐ２０１０−２８６６１８Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３９５２３（Ｐ２００９−１３９５２３）
【出願日】平成２１年６月１０日（２００９．６．１０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】