【課題】露光装置の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含むパターンを、露光装置を用いて形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上に第１Ｌ＆Ｓパターン７１を形成し、第１Ｌ＆Ｓパターン７１を覆うように第１保護層４８、周期方向が直交する第２Ｌ＆Ｓパターン７８、及びフォトレジスト層６０を形成し、第２Ｌ＆Ｓパターン７８の一部と重なるように、フォトレジスト層６０に第１開口部６０Ａ，６０Ｂを有する第３パターンを形成し、第１開口部６０Ａ，６０Ｂを介して第１保護層４８に第２開口部４８Ａ，４８Ｂを形成し、第２開口部４８Ａ，４８Ｂを介して第１Ｌ＆Ｓパターン７１の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に微細形状のリセスを形成する。
【解決手段】表面上に、第１の寸法と形状を備えた第１のフューチャを有するパターン形成層を形成し、該パターン形成層をエッチングして、前記第１の寸法とは異なる第２の寸法を有する第２のフューチャを形成し、該第２のフューチャを順応層で覆うとともに、該順応層の上方を除去して前記第２のフューチャの頂部を露出させた後に、
該第２のフューチャを、前記順応層と相互作用してin-situ硬化マスクを生成する酸素ベースの化学作用を伴うプラズマエッチングにより除去して、前記第１の寸法とは異なる第２の寸法を有する、前記形状の反転形状を作成して、該反転形状を前記表面に転写する。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、スパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜し、レジストの塗布、硬化処理、露光、さらに現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液や膜を除去するための溶液などを必要とし工程が複雑である。簡略なエッチング方法を実現する。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。 （もっと読む）

シルセスキオキサン樹脂をパターン形成フォトレジストの上に塗布し、硬化して、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を生成する。次に未硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を残す。水平表面上の硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、下にあるフォトレジストを露光する。このフォトレジストを除去し、硬化シルセスキオキサンのパターンを残す。任意で、新規パターンを下層へ転写することができる。
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シルセスキオキサン樹脂をパターン形成フォトレジストの上に塗布し、硬化して、パターン表面の上に硬化シルセスキオキサン樹脂を生成する。その後、ＣＦ_４を含有する反応性イオンエッチングレシピを用い、シリコン樹脂をフォトレジスト材料の上面まで「エッチングバック」し、有機系フォトレジストの上面全体を露出する。その後、Ｏ_２を含有する第２反応性イオンエッチングレシピを用い、有機フォトレジストをエッチング除去する。結果、フォトレジスト中にパターン形成したポストのサイズ及び形状のビアホールを有するシリコン樹脂膜が得られる。任意で、新規パターンを下層へ転写することができる。
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【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下層膜２が積層された支持体上に、レジストパターン３を形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターン３が形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜４を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターン３をエッチングにより除去し、反転パターン４ａを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料が、テトラアルコキシチタンの加水分解物が脱水縮合して形成されるチタン含有ポリマー（Ｔ）を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を用いたエッチングのためのマスクを低コストで形成することができる基板の加工方法および半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１をプラズマ処理を用いたエッチングによって個片の半導体チップ１ｅに分割するプラズマダイシングに用いられるマスク形成において、裏面１ｂのエッチングの対象となる領域に撥液性の液体を印刷して撥液膜３より成る撥液パターンを形成し、この撥液パターンが形成された裏面１ｂに先に低粘度樹脂４ａ、次いで高粘度樹脂４ｂを供給して撥液膜３の存在しない領域にこの撥液膜３の厚みよりも厚い膜厚の樹脂膜４を形成し、さらにこの樹脂膜４を硬化させてエッチングにおいて除去される領域以外を覆うマスク４＊を形成する方法を採用する。これによりフォトリソグラフィ法などの高コストの方法を用いることなく、エッチングのためのマスクを低コストで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクト領域の欠損を抑制する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上方に導電膜を形成し、導電膜上に補助パターンを形成し、導電膜及び補助パターンを覆うように金属膜を形成し、金属膜をエッチバックし、補助パターンの側面にサイドウォール膜を形成し、補助パターンを除去し、導電膜及びサイドウォール膜の一部を覆い、一部を露出させるレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチングによりサイドウォール膜の露出している部分を除去し、サイドウォール膜をマスクとして導電膜をエッチングして、ゲート電極及びゲート電極と導通するコンタクト領域を形成し、露出している部分が除去されることにより導電膜上に残存するサイドウォール膜の形状は、ゲート電極及びコンタクト領域の形状に対応し、補助パターンの形状は、コンタクト領域の形状に対応するサイドウォール膜の少なくとも三辺と接する。 （もっと読む）

本発明の基板作製方法は、基板上に隔置された第１のフィーチャーを形成する工程を含む。隔置された第１のフィーチャーの側壁上に変性材料を形成するように、可変材料が隔置された第１のフィーチャーの上に堆積されるとともに、可変材料は、隔置された第１のフィーチャーからの材料により変性させられる。第１の材料は、変性材料の上に堆積され、変性材料の組成と異なる組成からなる。第１の材料は、変性材料を露出するようにエッチングされ、第１の材料から構成される隔置された第２のフィーチャーは、変性材料の側壁上に形成される。次に、変性材料は、隔置された第２のフィーチャー及び隔置された第１のフィーチャーの間からエッチングされる。基板は、隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーから構成されるマスクパターンを通して処理される。他の実施形態が開示されている。 （もっと読む）

【課題】形成された被加工材のパターンの形成履歴を判別することが可能なマスクパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地領域上の第１のラインアンドスペースパターンのライン部の長側壁に側壁パターンを形成し、第１のラインアンドスペースパターンのライン部の一部を覆って保護する保護パターンを第１のラインアンドスペースパターン上に形成し、保護パターンをマスクに用いて第１のラインアンドスペースパターンのライン部をウェットエッチング除去して、第１のラインアンドスペースパターンのライン部を残存させた残存パターン部と、第１のラインアンドスペースパターンのライン部が除去された領域である第１のスペース部と、第１のラインアンドスペースパターンのスペース部を介して隣接する側壁パターン間の領域である第２のスペース部と、により構成される第２のラインアンドスペースパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】側壁転写プロセスによりラインアンドスペースパターンを形成するときに、スペースの幅寸法を等しく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層２０上に第１の絶縁膜１０、第２の絶縁膜１２、第３の絶縁膜１３を積層形成する工程と、ラインアンドスペースパターンのレジストをマスクとして絶縁膜１２および１３を異方性エッチングし、レジストを除去する工程と、絶縁膜１２および１３をスリミングし、ラインの断面形状をＴ字型の形状とするように加工する工程と、加工された絶縁膜１２および１３上に、これら絶縁膜１２および１３と異なる膜１７を形成する工程と、異なる膜１７を第２の絶縁膜１３の上面および第１の絶縁膜１０の上面が露出するまで異方性エッチングする工程と、絶縁膜１２および１３を除去後、第１の絶縁膜１０をエッチングする工程とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を増加させることができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。第１マスクパターン３２０Ａの両側壁を覆う第１スペーサ３５０Ａと第２マスクパターン３２０Ｂの両側壁を覆う第２スペーサ３５０Ｂとを同時に形成する。第１マスクパターン３２０Ａを除去した後、第１領域Ａでは、第１スペーサ３５０Ａをエッチングマスクとして利用し、第２領域Ｂでは第２マスクパターン３２０Ｂ及び第２スペーサ３５０Ｂをエッチングマスクとして利用して第１領域Ａ及び第２領域Ｂで同時に基板３００をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を用いたエッチングのためのマスクを低コストで形成することができる基板の加工方法および半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１をプラズマ処理を用いたエッチングによって個片の半導体チップ１ｅに分割するプラズマダイシングに用いられるマスク形成において、裏面１ｂのエッチングの対象となる領域に撥液性の液体を印刷して撥液膜３より成る撥液パターンを形成し、この撥液パターンが形成された裏面１ｂに液状の樹脂を供給して撥液膜３の存在しない領域にこの撥液膜３の厚みよりも厚い膜厚の樹脂膜４を形成し、さらにこの樹脂膜４を硬化させてエッチングにおいて除去される領域以外を覆うマスク４＊を形成する方法を採用する。これによりフォトリソグラフィ法などの高コストの方法を用いることなく、エッチングのためのマスクを低コストで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２のエッチングマスクパターンを用いて微細パターンを形成する半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にエッチング対象層を形成する段階と、前記エッチング対象層上に第１のエッチングマスクパターン１０５を形成する段階と、前記第１のエッチングマスクパターン１０５の下部側壁よりも上部側壁でさらに厚い補助膜を前記エッチング対象層を含む前記第１のエッチングマスクパターン１０５の表面に形成する段階と、前記補助膜の凹部に第２のエッチングマスクパターン１０７を形成する段階と、前記第１及び第２のエッチングマスクパターン間の前記補助膜を除去する段階、及び前記第１及び第２のエッチングマスクパターン１０５，１０７をエッチングマスクとして用いて前記エッチング対象層１０１をパターニングする段階を含む構成。 （もっと読む）

【課題】露光装備の最大解像度より微細なパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第１のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンに対応する段差を維持し得る厚さで第１のエッチングマスクを含む上記半導体基板上に補助膜を形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンの側壁に形成された上記補助膜の間の空間に第２のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン上に形成された上記補助膜を除去して両端の下部が互いに連結されて上記両端が上部に突出した第１の補助膜パターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン及び上記第２のエッチングマスクパターンを除去する段階及び上記第１の補助膜パターンの上記両端が隔離されるように上記両端間をエッチングして第２の補助膜パターンを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】露光装備の解像度以下に稠密に配列されたマトリックス状の目標パターンを定義するためのハードマスクパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に目標パターンの第１のピッチより2倍大きい第２のピッチを有する第１のエッチングマスクパターンを列方向に形成する段階と、第１のエッチングマスクパターンの表面を含む半導体基板上に補助膜を形成する段階と、補助膜を含む半導体基板上にエッチングマスク膜を形成する段階と、エッチングマスク膜、補助膜及び第１のエッチングマスクパターンを行方向に隔離させ、エッチングマスク膜を第１のエッチングマスクパターン間に残留させて第２のピッチを有する第２のエッチングマスクパターンが形成されるようにエッチング工程を行う段階、及び第１及び第２のエッチングマスクパターン間の補助膜を除去する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】幅広のパターンと露光技術の解像度の限界以上の超微細パターンとを同時に形成する。
【解決手段】基板Ｗ上に第１のシリコン含有膜３と有機材料膜４と第２のシリコン含有膜５と、細幅と太幅のパターンを有する第１のマスク６ａ、６ｂとを順次形成し、第１のマスク６ａ、６ｂを用いて第２のシリコン含有膜５を細幅と太幅にパターニングし、第１のマスク６ａ、６ｂを除去するとともに有機材料膜４を細幅と太幅にパターニングし、第２のシリコン含有膜５と有機材料膜４と被覆して第３のシリコン含有膜７を形成し、第３のシリコン含有膜７を加工して第２のシリコン含有膜５及び有機材料膜４の側面に側壁を形成し、第２のシリコン含有膜５と該側壁を選択的に被覆する有機材料の第２のマスク８を形成し、第２のマスク８を用いて細幅にパターニングされた第２のシリコン含有膜５を除去し、細幅にパターニングされた有機材料膜４と第２のマスク８を除去する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。
【解決手段】半導体微小突起構造体５１の製造方法においては、微小突起２１を形成し、その後加熱によって微小突起２１を構成する材料を気化させて微小突起２１を除去することにより穿孔４１を形成している。そのため、穿孔４１内の微小突起２１などによる残留物が低減できる。そのため、穿孔４１が形成された位置、すなわち微小突起２１を形成した所望の位置に高品質な半導体微小突起構造体５１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストテンプレートマスクを用いて、リソグラフィープロセスの頻度を倍にする方法が記載されている。
【解決手段】フォトレジスト層が上に形成されたデバイス層がまず提供される。フォトレジスト層がパターン化されて、フォトレジストテンプレートマスクが形成される。スペーサ形成材料層が、フォトレジストテンプレートマスク上に堆積する。スペーサ形成材料層がエッチングされて、スペーサマスクが形成され、フォトレジストテンプレートマスクが露出する。フォトレジストテンプレートマスクを除去し、スペーサマスクの画像が、最終的にデバイス層に転写される。 （もっと読む）