転写体、およびこれを用いたエッチング方法
【課題】フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、スパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜し、レジストの塗布、硬化処理、露光、さらに現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液や膜を除去するための溶液などを必要とし工程が複雑である。簡略なエッチング方法を実現する。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写体、これを用いたエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧電素子または半導体素子など電子デバイスのウェハをエッチングなどにより加工する方法として、フォトリソグラフィを用いて、ウェハの表面に、レジストからなるエッチングマスクを形成し、その後ウェットエッチングまたはドライエッチングする方法が一般的に用いられている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−８２９３０号公報（３頁、図１〜図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、まずスパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜する。その後、レジストの塗布、レジストの硬化処理、露光、さらにレジストの現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液やレジスト膜を除去するための溶液などを必要とするため、複雑化しているという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる転写体は、基材と、前記基材上にパターン形成された剥離層と、前記剥離層上に形成された接合膜と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、接合膜の表面に接着性を発現させることが可能な転写体を得ることができる。これにより、接合膜を、被接合体と接合させることができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる転写体において、前記接合膜は前記剥離層から露出した前記基材上にも形成されていることを要旨とする。
【０００９】
これによれば、上述と同様の効果を奏することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる転写体において、前記接合膜は、プラズマ重合膜で構成され、シロキサン結合を含む原子構造と、前記シロキサン結合に結合し有機基からなる脱離基と、を含むことが好ましい。
【００１１】
これによれば、接合膜に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基がＳｉ骨格から脱離し、代わりに活性手が出現するので、接合膜の表面に接着性を発現させることが可能な転写体を得ることができる。これにより、接合膜を、被接合体と接合させることができる。そして、この接合膜は、薄くても十分な接合強度が得られるので、接合膜に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる転写体において、前記基材は、可撓性を有するシートであることが好ましい。
【００１３】
これによれば、転写体として可撓性を有するシート状の転写シートを用いるので、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式により、連続的に接合膜、または接合膜とこの接合膜に接する剥離層とを、被接合体に転写させることができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかるエッチング方法は、基材上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層をパターン形成するパターン形成工程と、前記剥離層上に接合膜を形成する接合膜形成工程と、前記接合膜を活性化させる接合膜活性化工程と、活性化させた前記接合膜の表面を、被転写体の表面に合わせて、前記被転写体と前記剥離層上に形成された前記接合膜とを接合させる接合工程と、接合された前記被転写体と前記接合膜および前記剥離層とから、前記基材を引き剥がす剥離工程と、前記被転写体および前記被転写体に接合された前記接合膜と、前記接合膜に接する前記剥離層とをエッチングマスクとして用いて、前記被転写体をエッチングするエッチング工程と、前記接合膜に接する前記剥離層と、前記被転写体に接合された前記接合膜とを、除去する除去工程とを備えることを要旨とする。
【００１５】
これによれば、基材と、基材の表面に形成された剥離層との接合力に比べて、被転写体の表面と、活性化された接合膜の表面とが、結合された被転写体と接合膜との接合力は強固である。このため、基材を引き剥がすことにより、被転写体に接合された接合膜と、この接合膜に接する剥離層とは、被転写体に接合されたまま残ることにより転写され、これらをエッチングマスクとして用いる。そして、基材の表面に形成された接合膜は、基材とともに、被転写体から引き剥がされる。このようにして、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体の表面に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体の表面に、凹部を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態にかかる転写シートを示す概略断面図。
【図２】第１実施形態にかかる転写シートの表面を示す概略断面図。
【図３】第１実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示すフローチャート。
【図４】第１実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示す図。
【図５】第２実施形態にかかる被転写体を示す概略断面図。
【図６】第２実施形態にかかる被転写体のエッチング方法の一例を示すフローチャート。
【図７】第２実施形態にかかる被転写体のエッチング方法の一例を示す概略断面図。
【図８】第３実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示すフローチャート。
【図９】第３実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態の転写体について、図１から図４を参照して説明する。
【００１８】
図１に示すように、転写体１０は、基材１と、剥離層２と、プラズマ重合膜で構成された接合膜３とを備える。基材１上、つまり基材１の表面１５に、剥離層２がパターン形成されている。剥離層２上、および剥離層２から露出した基材１の表面１５に、接合膜３が形成されている。
【００１９】
基材１は、たとえばポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂などである。基材１は、可撓性を有するシート状のものが好ましい。
【００２０】
剥離層２は、たとえばフォトレジストなどである。また、剥離層２は、基材１との接着力（接合力）を調整するために、剥離層２の基材１側に中間層を設けた複層構造であっても良い。
【００２１】
図２（ａ）に示すように、接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合３０２を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むプラズマ重合膜である。また、接合膜３は、シロキサン結合３０２を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１からなるので、変形し難く、強固である。
そして、図２（ｂ）に示すように、接合膜３に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が出現する。これにより、接合膜３の表面３５に接着性を発現させる。
このようにして接着性が発現した接合膜３により、接合膜３を、被接合体と接合させることができる。そして、この接合膜３は、薄くても十分な接合強度が得られ、接合膜３に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００２２】
この接合膜３は、接合膜３を構成する全原子から水素（Ｈ）原子を除いた原子のうち、シリコン（Ｓｉ）原子の含有率と酸素（Ｏ）原子の含有率の合計が、１０原子％〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０原子％〜８０原子％程度であるのがより好ましい。シリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子との含有率の合計が、この範囲内であれば、接合膜３は、シリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子とが強固に結合し、接合膜３自体がより強固なものとなり、結合箇所の結合強度をより高める。
【００２３】
また、接合膜３中のシリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。シリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子の存在比を、この範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、各部をより強固に結合する。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、化学的な安定性、耐熱性などのＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の安定性がより優れたものとなる。
【００２４】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、エネルギーを付与されることによって、Ｓｉ骨格３０１から脱離し、接合膜３に活性手３０４を生じさせる。一方で、エネルギーが付与されないときには、脱離せずに、Ｓｉ骨格３０１に確実に結合している。
【００２５】
脱離基３０３は、図示の例ではＣＨ3であるが、水素（Ｈ）原子、ホウ素（Ｂ）原子、炭素（Ｃ）原子、窒素（Ｎ）原子、酸素（Ｏ）原子、リン（Ｐ）原子、硫黄（Ｓ）原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合および脱離の選択性に比較的優れている。
【００２６】
これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）の一例としては、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基などが挙げられる。
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００２７】
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、たとえば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物などが挙げられる。
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す。
そして、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーが付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現させ、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましく、接着性に優れている。
【００２８】
以下、第１実施形態の転写体の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
図３に示すように、転写体の製造方法は、基材洗浄工程（Ｓ１０１）と、剥離層形成工程（Ｓ１０２）と、パターン形成工程（Ｓ１３４）と、接合膜形成工程（Ｓ１０５）とを備える。パターン形成工程（Ｓ１３４）は、露光工程（Ｓ１０３）と、現像工程（Ｓ１０４）とを備える。図４には、図３に示したそれぞれの工程における転写シートの製造工程の一例を示している。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、基材洗浄工程（Ｓ１０１）を実施する。具体的には、基材１の表面１５に、紫外線照射、またはヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスを用いて大気圧プラズマなどの処理を施すことにより、基材１の表面１５から有機物などの異物を除去し、基材１の表面１５を洗浄する。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、剥離層形成工程（Ｓ１０２）を実施し、スピンコーターを用いて、基材１上、つまり基材１の表面１５に剥離層２の材料であるフォトレジストを塗布し、加熱などの硬化処理を施す。このようにして、基材１の表面１５に、剥離層２をパターン形成する。ここでは、スピンコーターの代わりに、ダイコーターまたはスリットコーターなどを用いてもよい。
【００３１】
次に、図４（ｃ）に示すように、パターン形成工程（Ｓ１３４）の露光工程（Ｓ１０３）を実施する。具体的には、剥離層２上にフォトマスク９を配置して露光することにより、フォトマスク９の貫通部９１を透過した光に反応し、剥離層２の溶解性を変化させる。そして、フォトマスク９で光が遮られた剥離層２の溶解性は変化させない。このようにして、剥離層２をパターン形成する。ここでは、ポジ型のフォトレジストを用いて、露光により溶解性を増大させる。
【００３２】
次に、図４（ｄ）に示すように、パターン形成工程（Ｓ１３４）の現像工程（Ｓ１０４）を実施する。具体的には、露光により溶解性を増大させた剥離層２を、アルカリ溶液で溶解させた後、超純水などによりリンス処理を施す。これにより、剥離層２が一部除去され、基材１の表面１５を、剥離層２から露出させる。
【００３３】
図４（ｅ）に示すように、接合膜形成工程（Ｓ１０５）を実施する。たとえば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、プラズマＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、またはプラズマ重合法などにより、プラズマ重合膜で構成された接合膜３を形成する。
【００３４】
具体的には、基材１、および基材１の表面１５に形成された剥離層２を、気密に収納し、減圧雰囲気状態に置き、原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。
【００３５】
原料ガスは、接合膜３の材料（原料液）を気化させたものであり、たとえば、オクタメチルトリシロキサン、メチルシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなポリオルガノシロキサンなどが一例として挙げられる。
【００３６】
キャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、たとえば希ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスまたはヘリウム（Ｈｅ）ガスなどが挙げられる。
【００３７】
そして、高周波の電圧を印加することにより、キャリアガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基材１の表面１５に形成された剥離層２上、および剥離層２から露出した基材１の表面１５に付着および堆積する。ここで、高周波の周波数および出力密度は、適宜決定することができる。
【００３８】
これにより、図４（ｅ）に示すように、基材１の表面１５に形成された剥離層２上、および剥離層２から露出した基材１の表面１５に、プラズマ重合膜で構成された接合膜３を形成する。このようにして、図１に示す転写体１０を得る。
【００３９】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスおよびキャリアガスの種類や目的とする成膜速度などによって適宜決定することができ、重合膜の形成の条件の最適化を図ることができる。そして、減圧雰囲気状態の圧力は、適宜決定することができる。また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚などによって適宜決定することができる。処理時間は、適宜決定することができ、形成される接合膜３の厚さは、主に、この処理時間に比例し、この処理時間を調整することで、接合膜３の厚さを容易に調整することができる。
【００４０】
本実施形態によれば、接合膜３に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が出現するので、接合膜３の表面３５に接着性を発現させることが可能な転写体を得ることができる。これにより、接合膜３を、被接合体と接合させることができる。この接合膜３は、薄くても十分な接合強度が得られるので、接合膜３に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００４１】
なお、基材１に可撓性を有するシート状のものを用いれば、転写体１０をロールで巻くことができ、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式により、連続的に接合膜３、または接合膜３とこの接合膜３に接する剥離層２とを、被接合体に転写させることができる。
【００４２】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態の被転写体のエッチング方法について、図５から図７、および図２を参照して説明する。ここで、第２実施形態の被転写体のエッチング方法は、図１に示した第１実施形態の転写体１０を用いるため、同様の構成については、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。
【００４３】
図５に示すように、被転写体２０は、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を備える。ここで、被転写体２０は、第１実施形態において、接合膜３に接合される被接合体と記載したものに該当する。被転写体２０は、たとえば水晶、ガラス、シリコンなどのシリコン系材料である。そして、被転写体２０は、薄い基板、つまりウェハとする。
【００４４】
図６に示すように、被転写体のエッチング方法は、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）と、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）と、接合工程（Ｓ２０３）と、剥離工程（Ｓ２０４）と、エッチング工程（Ｓ２０５）と、除去工程（Ｓ２０６）とを備えている。図７には、図６に示したそれぞれの工程における被転写体のエッチング方法の一例を示している。
【００４５】
図７（ａ）に示すように、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）を実施し、接合膜３の表面３５を活性化させる。具体的には、図２（ａ）に示す転写体１０の接合膜３の表面３５に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、図２（ｂ）に示すように、一部の脱離基３０３をＳｉ骨格３０１から脱離させ、代わりに活性手３０４が出現する。これにより、接合膜３の表面３５に接着性を発現させる。また、基材１の表面１５から有機物などの異物を除去する。
【００４６】
ここで、接合膜３の表面３５を活性化させるとは、接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、活性手３０４が出現することで、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない未結合手（ダングリングボンド）が生じた状態や、この未結合手がヒドロキシ基（−ＯＨ）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。この活性手３０４によって、被接合体である被転写体２０に対して、強固な接合が可能となる。
【００４７】
次に、図７（ｂ）に示すように、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）を実施する。具体的には、被転写体２０の表面２５に、紫外線照射、またはヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスを用いた大気圧プラズマ処理などを施すことにより、被転写体２０の表面２５を洗浄する。
【００４８】
ここでは、図７（ａ）の次に、図７（ｂ）を実施するとして、図６に、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）および被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）の順で示したが、これに限るものではなく、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）の後に、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）を実施してもよく、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）および接合膜活性化工程（Ｓ２０１）を、同時並行で実施してもよい。
【００４９】
次に、図７（ｃ）に示すように、接合工程（Ｓ２０３）を実施する。具体的には、接着性を発現させた接合膜３の表面３５を、洗浄された被転写体２０の表面２５に合わせて、被転写体２０と転写体１０とをプレス機などにより押し付ける。そして、押し付ける圧力および時間などは、適宜決定される。このようにして、洗浄された被転写体２０の表面２５のヒドロキシ基（−ＯＨ）と、接合膜３の表面３５に出現されている活性手３０４とが結合され、更に加圧することによって接合膜３の内部の活性手３０４をも使って３次元的に結合されることにより、被転写体２０と転写体１０とを接合させる。詳しくは、被転写体２０と、剥離層２上に形成された接合膜３とを接合させる。
【００５０】
そして、図７（ｄ）に示すように、剥離工程（Ｓ２０４）を実施する。具体的には、接合された被転写体２０と転写体１０とから、基材１を引き剥がす。基材１と剥離層２との接合力に比べて、被転写体２０と接合膜３との接合力が強固なため、基材１を引き剥がすことにより、被転写体２０に接合された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とは、被転写体２０に接合されたまま残ることにより転写され、エッチングマスクとして用いる。そして、基材１の表面１５に形成された接合膜３は、基材１とともに、被転写体２０から引き剥がされる。
【００５１】
次に、図７（ｅ）に示すように、エッチング工程（Ｓ２０５）を実施する。具体的には、被転写体２０および被転写体２０に接合または転写された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とをエッチングマスクとして用いて、フッ酸またはバッファードフッ酸などを用いて被転写体２０をウェットエッチングする。
【００５２】
これにより、図７（ｅ）に示すように、被転写体２０上に転写された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とから露出した被転写体２０の表面２５に、凹部２１が形成される。
【００５３】
最後に、図７（ｆ）に示すように、除去工程（Ｓ２０６）を実施する。具体的には、表面がエッチングされた被転写体２０、および被転写体２０に接合または転写された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とを、有機系溶剤やアルカリ溶液を用いて除去する。
これにより、図７（ｆ）に示すように、接合膜３に接する剥離層２と、被転写体２０に接合または転写された接合膜３とを、それぞれ除去する。このようにして、図５に示したように、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成する。
【００５４】
本実施形態によれば、接合膜３に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が出現するので、接合膜３の表面３５に接着性を発現させることができる。これにより、接合膜３を、被接合体と接合させることができる。この接合膜３は、薄くても十分な接合強度が得られるので、接合膜３に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００５５】
そして、基材１に可撓性を有するシート状のものを用いれば、転写体１０をロールで巻くことができ、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式により、連続的に接合膜３、または接合膜３とこの接合膜３に接する剥離層２とを、被転写体２０に転写することができる。
【００５６】
さらに、基材１と、基材１の表面１５に塗布および硬化処理された剥離層２との接合力に比べて、被転写体２０の表面２５のヒドロキシ基（−ＯＨ）と、接合膜３の表面３５に出現されている活性手３０４とが、結合された被転写体２０と接合膜３との接合力は強固である。このため、基材１を引き剥がすことにより、被転写体２０に接合された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とは、被転写体２０に接合されたまま残ることにより転写され、これらをエッチングマスクとして用いる。そして、基材１の表面１５に形成された接合膜３は、基材１とともに、被転写体２０から引き剥がされる。このようにして、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。
【００５７】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について、図８、図９、図１、および図５を参照して説明する。
第３実施形態の転写シートは、図１に示した第１実施形態の転写シートと同様の構成であるが、製造方法が相違する。このため、同様の構成および工程については、同一の符号および工程名称を付与し、構成の説明を省略する。そして、第３実施形態の被転写体のエッチング方法は、第１実施形態の転写シートを用いた第２実施形態と同様の製造方法となるため、説明を省略する。
【００５８】
第３実施形態の転写体の製造方法が、第１実施形態の転写体の製造方法と相違する点は、マスクを用いて接合膜形成工程（Ｓ１０５）を実施する点である。そのため、マスク配置工程（Ｓ３０１）およびマスク取外し工程（Ｓ３０２）を備え、第１実施形態のパターン形成工程（Ｓ１３４）、つまり露光工程（Ｓ１０３）および現像工程（Ｓ１０４）を備えないことが相違する点である。このため、図８に示すように、第３実施形態の転写体の製造方法は、基材洗浄工程（Ｓ１０１）と、マスク配置工程（Ｓ３０１）と、剥離層形成工程（Ｓ１０２）と、接合膜形成工程（Ｓ１０５）と、マスク取外し工程（Ｓ３０２）とを備える。図９には、図８に示したそれぞれの工程における転写シートの製造工程の一例を示している。
【００５９】
図９（ａ）に示すように、第１実施形態の転写体の製造方法と同様に、基材洗浄工程（Ｓ１０１）を実施する。
【００６０】
その後、図９（ｂ）に示すように、マスク配置工程（Ｓ３０１）を実施する。具体的には、２点鎖線で示したマスク５０を、基材１の表面１５に配置する。マスク５０は、２点鎖線で示した開口部５１を備えている。マスク５０は、ステンレスまたは硬質な樹脂フィルムなどからなる。
【００６１】
次に、図９（ｃ）および（ｄ）に示すように、第１実施形態の転写体の製造方法と同様に、剥離層形成工程（Ｓ１０２）および接合膜形成工程（Ｓ１０５）を順次実施する。これにより、マスク５０上、およびマスク５０の開口部５１から露出した基材１の表面１５に、剥離層２および接合膜３を形成する。
【００６２】
最後に、図９（ｅ）に示すように、マスク取外し工程（Ｓ３０２）を実施する。具体的には、２点鎖線で示したマスク５０を、基材１の表面１５から取り外すことで、マスク５０上に形成された剥離層２および接合膜３を取り除く。これにより、図９（ｅ）に示すように、基材１の表面１５に剥離層２を形成し、剥離層２上に接合膜３を形成する。このようにして、図１に示す転写体１０を得る。ただし、剥離層２から露出した基材１の表面１５上には接合膜３が形成されない点が図１とは異なっている。
【００６３】
そして、第２実施形態を実施することにより、図５に示したように、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成する。
【００６４】
本実施形態によれば、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００６５】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
【００６６】
たとえば、転写体１０は、可撓性を有する基材１を備える例を説明したが、これに限るものではなく、硬質な基材１を備えたリジッド（Rigid）タイプであってもよい。この場合、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式に代えて、転写体１０を順次供給して、接合膜３、または接合膜３とこの接合膜３に接する剥離層２とを、被転写体２０に転写することができる。
【００６７】
上述の実施形態は、ポジ型のフォトレジストを用いて説明したが、これに限るものではなく、ネガ型のフォトレジストを用いてもよい。また、ウェットエッチングを用いて説明したが、これに限るものではなく、ドライエッチングを用いてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１…基材、２…剥離層、３…接合膜、９…フォトマスク、１０…転写体、１５…基材の表面、２０…被転写体、２１…凹部、２５…被転写体の表面、３５…接合膜の表面、５０…マスク、５１…開口部、３０１…Ｓｉ骨格、３０２…シロキサン結合、３０３…脱離基、３０４…活性手。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写体、これを用いたエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧電素子または半導体素子など電子デバイスのウェハをエッチングなどにより加工する方法として、フォトリソグラフィを用いて、ウェハの表面に、レジストからなるエッチングマスクを形成し、その後ウェットエッチングまたはドライエッチングする方法が一般的に用いられている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−８２９３０号公報（３頁、図１〜図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、まずスパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜する。その後、レジストの塗布、レジストの硬化処理、露光、さらにレジストの現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液やレジスト膜を除去するための溶液などを必要とするため、複雑化しているという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる転写体は、基材と、前記基材上にパターン形成された剥離層と、前記剥離層上に形成された接合膜と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、接合膜の表面に接着性を発現させることが可能な転写体を得ることができる。これにより、接合膜を、被接合体と接合させることができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる転写体において、前記接合膜は前記剥離層から露出した前記基材上にも形成されていることを要旨とする。
【０００９】
これによれば、上述と同様の効果を奏することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる転写体において、前記接合膜は、プラズマ重合膜で構成され、シロキサン結合を含む原子構造と、前記シロキサン結合に結合し有機基からなる脱離基と、を含むことが好ましい。
【００１１】
これによれば、接合膜に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基がＳｉ骨格から脱離し、代わりに活性手が出現するので、接合膜の表面に接着性を発現させることが可能な転写体を得ることができる。これにより、接合膜を、被接合体と接合させることができる。そして、この接合膜は、薄くても十分な接合強度が得られるので、接合膜に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる転写体において、前記基材は、可撓性を有するシートであることが好ましい。
【００１３】
これによれば、転写体として可撓性を有するシート状の転写シートを用いるので、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式により、連続的に接合膜、または接合膜とこの接合膜に接する剥離層とを、被接合体に転写させることができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかるエッチング方法は、基材上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層をパターン形成するパターン形成工程と、前記剥離層上に接合膜を形成する接合膜形成工程と、前記接合膜を活性化させる接合膜活性化工程と、活性化させた前記接合膜の表面を、被転写体の表面に合わせて、前記被転写体と前記剥離層上に形成された前記接合膜とを接合させる接合工程と、接合された前記被転写体と前記接合膜および前記剥離層とから、前記基材を引き剥がす剥離工程と、前記被転写体および前記被転写体に接合された前記接合膜と、前記接合膜に接する前記剥離層とをエッチングマスクとして用いて、前記被転写体をエッチングするエッチング工程と、前記接合膜に接する前記剥離層と、前記被転写体に接合された前記接合膜とを、除去する除去工程とを備えることを要旨とする。
【００１５】
これによれば、基材と、基材の表面に形成された剥離層との接合力に比べて、被転写体の表面と、活性化された接合膜の表面とが、結合された被転写体と接合膜との接合力は強固である。このため、基材を引き剥がすことにより、被転写体に接合された接合膜と、この接合膜に接する剥離層とは、被転写体に接合されたまま残ることにより転写され、これらをエッチングマスクとして用いる。そして、基材の表面に形成された接合膜は、基材とともに、被転写体から引き剥がされる。このようにして、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体の表面に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体の表面に、凹部を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態にかかる転写シートを示す概略断面図。
【図２】第１実施形態にかかる転写シートの表面を示す概略断面図。
【図３】第１実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示すフローチャート。
【図４】第１実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示す図。
【図５】第２実施形態にかかる被転写体を示す概略断面図。
【図６】第２実施形態にかかる被転写体のエッチング方法の一例を示すフローチャート。
【図７】第２実施形態にかかる被転写体のエッチング方法の一例を示す概略断面図。
【図８】第３実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示すフローチャート。
【図９】第３実施形態にかかる転写シートの製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態の転写体について、図１から図４を参照して説明する。
【００１８】
図１に示すように、転写体１０は、基材１と、剥離層２と、プラズマ重合膜で構成された接合膜３とを備える。基材１上、つまり基材１の表面１５に、剥離層２がパターン形成されている。剥離層２上、および剥離層２から露出した基材１の表面１５に、接合膜３が形成されている。
【００１９】
基材１は、たとえばポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂などである。基材１は、可撓性を有するシート状のものが好ましい。
【００２０】
剥離層２は、たとえばフォトレジストなどである。また、剥離層２は、基材１との接着力（接合力）を調整するために、剥離層２の基材１側に中間層を設けた複層構造であっても良い。
【００２１】
図２（ａ）に示すように、接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合３０２を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むプラズマ重合膜である。また、接合膜３は、シロキサン結合３０２を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１からなるので、変形し難く、強固である。
そして、図２（ｂ）に示すように、接合膜３に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が出現する。これにより、接合膜３の表面３５に接着性を発現させる。
このようにして接着性が発現した接合膜３により、接合膜３を、被接合体と接合させることができる。そして、この接合膜３は、薄くても十分な接合強度が得られ、接合膜３に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００２２】
この接合膜３は、接合膜３を構成する全原子から水素（Ｈ）原子を除いた原子のうち、シリコン（Ｓｉ）原子の含有率と酸素（Ｏ）原子の含有率の合計が、１０原子％〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０原子％〜８０原子％程度であるのがより好ましい。シリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子との含有率の合計が、この範囲内であれば、接合膜３は、シリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子とが強固に結合し、接合膜３自体がより強固なものとなり、結合箇所の結合強度をより高める。
【００２３】
また、接合膜３中のシリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。シリコン（Ｓｉ）原子と酸素（Ｏ）原子の存在比を、この範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、各部をより強固に結合する。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、化学的な安定性、耐熱性などのＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の安定性がより優れたものとなる。
【００２４】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、エネルギーを付与されることによって、Ｓｉ骨格３０１から脱離し、接合膜３に活性手３０４を生じさせる。一方で、エネルギーが付与されないときには、脱離せずに、Ｓｉ骨格３０１に確実に結合している。
【００２５】
脱離基３０３は、図示の例ではＣＨ3であるが、水素（Ｈ）原子、ホウ素（Ｂ）原子、炭素（Ｃ）原子、窒素（Ｎ）原子、酸素（Ｏ）原子、リン（Ｐ）原子、硫黄（Ｓ）原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合および脱離の選択性に比較的優れている。
【００２６】
これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）の一例としては、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基などが挙げられる。
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００２７】
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、たとえば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物などが挙げられる。
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す。
そして、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーが付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現させ、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましく、接着性に優れている。
【００２８】
以下、第１実施形態の転写体の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
図３に示すように、転写体の製造方法は、基材洗浄工程（Ｓ１０１）と、剥離層形成工程（Ｓ１０２）と、パターン形成工程（Ｓ１３４）と、接合膜形成工程（Ｓ１０５）とを備える。パターン形成工程（Ｓ１３４）は、露光工程（Ｓ１０３）と、現像工程（Ｓ１０４）とを備える。図４には、図３に示したそれぞれの工程における転写シートの製造工程の一例を示している。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、基材洗浄工程（Ｓ１０１）を実施する。具体的には、基材１の表面１５に、紫外線照射、またはヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスを用いて大気圧プラズマなどの処理を施すことにより、基材１の表面１５から有機物などの異物を除去し、基材１の表面１５を洗浄する。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、剥離層形成工程（Ｓ１０２）を実施し、スピンコーターを用いて、基材１上、つまり基材１の表面１５に剥離層２の材料であるフォトレジストを塗布し、加熱などの硬化処理を施す。このようにして、基材１の表面１５に、剥離層２をパターン形成する。ここでは、スピンコーターの代わりに、ダイコーターまたはスリットコーターなどを用いてもよい。
【００３１】
次に、図４（ｃ）に示すように、パターン形成工程（Ｓ１３４）の露光工程（Ｓ１０３）を実施する。具体的には、剥離層２上にフォトマスク９を配置して露光することにより、フォトマスク９の貫通部９１を透過した光に反応し、剥離層２の溶解性を変化させる。そして、フォトマスク９で光が遮られた剥離層２の溶解性は変化させない。このようにして、剥離層２をパターン形成する。ここでは、ポジ型のフォトレジストを用いて、露光により溶解性を増大させる。
【００３２】
次に、図４（ｄ）に示すように、パターン形成工程（Ｓ１３４）の現像工程（Ｓ１０４）を実施する。具体的には、露光により溶解性を増大させた剥離層２を、アルカリ溶液で溶解させた後、超純水などによりリンス処理を施す。これにより、剥離層２が一部除去され、基材１の表面１５を、剥離層２から露出させる。
【００３３】
図４（ｅ）に示すように、接合膜形成工程（Ｓ１０５）を実施する。たとえば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、プラズマＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、またはプラズマ重合法などにより、プラズマ重合膜で構成された接合膜３を形成する。
【００３４】
具体的には、基材１、および基材１の表面１５に形成された剥離層２を、気密に収納し、減圧雰囲気状態に置き、原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。
【００３５】
原料ガスは、接合膜３の材料（原料液）を気化させたものであり、たとえば、オクタメチルトリシロキサン、メチルシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなポリオルガノシロキサンなどが一例として挙げられる。
【００３６】
キャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、たとえば希ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスまたはヘリウム（Ｈｅ）ガスなどが挙げられる。
【００３７】
そして、高周波の電圧を印加することにより、キャリアガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基材１の表面１５に形成された剥離層２上、および剥離層２から露出した基材１の表面１５に付着および堆積する。ここで、高周波の周波数および出力密度は、適宜決定することができる。
【００３８】
これにより、図４（ｅ）に示すように、基材１の表面１５に形成された剥離層２上、および剥離層２から露出した基材１の表面１５に、プラズマ重合膜で構成された接合膜３を形成する。このようにして、図１に示す転写体１０を得る。
【００３９】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスおよびキャリアガスの種類や目的とする成膜速度などによって適宜決定することができ、重合膜の形成の条件の最適化を図ることができる。そして、減圧雰囲気状態の圧力は、適宜決定することができる。また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚などによって適宜決定することができる。処理時間は、適宜決定することができ、形成される接合膜３の厚さは、主に、この処理時間に比例し、この処理時間を調整することで、接合膜３の厚さを容易に調整することができる。
【００４０】
本実施形態によれば、接合膜３に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が出現するので、接合膜３の表面３５に接着性を発現させることが可能な転写体を得ることができる。これにより、接合膜３を、被接合体と接合させることができる。この接合膜３は、薄くても十分な接合強度が得られるので、接合膜３に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００４１】
なお、基材１に可撓性を有するシート状のものを用いれば、転写体１０をロールで巻くことができ、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式により、連続的に接合膜３、または接合膜３とこの接合膜３に接する剥離層２とを、被接合体に転写させることができる。
【００４２】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態の被転写体のエッチング方法について、図５から図７、および図２を参照して説明する。ここで、第２実施形態の被転写体のエッチング方法は、図１に示した第１実施形態の転写体１０を用いるため、同様の構成については、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。
【００４３】
図５に示すように、被転写体２０は、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を備える。ここで、被転写体２０は、第１実施形態において、接合膜３に接合される被接合体と記載したものに該当する。被転写体２０は、たとえば水晶、ガラス、シリコンなどのシリコン系材料である。そして、被転写体２０は、薄い基板、つまりウェハとする。
【００４４】
図６に示すように、被転写体のエッチング方法は、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）と、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）と、接合工程（Ｓ２０３）と、剥離工程（Ｓ２０４）と、エッチング工程（Ｓ２０５）と、除去工程（Ｓ２０６）とを備えている。図７には、図６に示したそれぞれの工程における被転写体のエッチング方法の一例を示している。
【００４５】
図７（ａ）に示すように、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）を実施し、接合膜３の表面３５を活性化させる。具体的には、図２（ａ）に示す転写体１０の接合膜３の表面３５に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、図２（ｂ）に示すように、一部の脱離基３０３をＳｉ骨格３０１から脱離させ、代わりに活性手３０４が出現する。これにより、接合膜３の表面３５に接着性を発現させる。また、基材１の表面１５から有機物などの異物を除去する。
【００４６】
ここで、接合膜３の表面３５を活性化させるとは、接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、活性手３０４が出現することで、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない未結合手（ダングリングボンド）が生じた状態や、この未結合手がヒドロキシ基（−ＯＨ）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。この活性手３０４によって、被接合体である被転写体２０に対して、強固な接合が可能となる。
【００４７】
次に、図７（ｂ）に示すように、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）を実施する。具体的には、被転写体２０の表面２５に、紫外線照射、またはヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスを用いた大気圧プラズマ処理などを施すことにより、被転写体２０の表面２５を洗浄する。
【００４８】
ここでは、図７（ａ）の次に、図７（ｂ）を実施するとして、図６に、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）および被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）の順で示したが、これに限るものではなく、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）の後に、接合膜活性化工程（Ｓ２０１）を実施してもよく、被転写体洗浄工程（Ｓ２０２）および接合膜活性化工程（Ｓ２０１）を、同時並行で実施してもよい。
【００４９】
次に、図７（ｃ）に示すように、接合工程（Ｓ２０３）を実施する。具体的には、接着性を発現させた接合膜３の表面３５を、洗浄された被転写体２０の表面２５に合わせて、被転写体２０と転写体１０とをプレス機などにより押し付ける。そして、押し付ける圧力および時間などは、適宜決定される。このようにして、洗浄された被転写体２０の表面２５のヒドロキシ基（−ＯＨ）と、接合膜３の表面３５に出現されている活性手３０４とが結合され、更に加圧することによって接合膜３の内部の活性手３０４をも使って３次元的に結合されることにより、被転写体２０と転写体１０とを接合させる。詳しくは、被転写体２０と、剥離層２上に形成された接合膜３とを接合させる。
【００５０】
そして、図７（ｄ）に示すように、剥離工程（Ｓ２０４）を実施する。具体的には、接合された被転写体２０と転写体１０とから、基材１を引き剥がす。基材１と剥離層２との接合力に比べて、被転写体２０と接合膜３との接合力が強固なため、基材１を引き剥がすことにより、被転写体２０に接合された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とは、被転写体２０に接合されたまま残ることにより転写され、エッチングマスクとして用いる。そして、基材１の表面１５に形成された接合膜３は、基材１とともに、被転写体２０から引き剥がされる。
【００５１】
次に、図７（ｅ）に示すように、エッチング工程（Ｓ２０５）を実施する。具体的には、被転写体２０および被転写体２０に接合または転写された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とをエッチングマスクとして用いて、フッ酸またはバッファードフッ酸などを用いて被転写体２０をウェットエッチングする。
【００５２】
これにより、図７（ｅ）に示すように、被転写体２０上に転写された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とから露出した被転写体２０の表面２５に、凹部２１が形成される。
【００５３】
最後に、図７（ｆ）に示すように、除去工程（Ｓ２０６）を実施する。具体的には、表面がエッチングされた被転写体２０、および被転写体２０に接合または転写された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とを、有機系溶剤やアルカリ溶液を用いて除去する。
これにより、図７（ｆ）に示すように、接合膜３に接する剥離層２と、被転写体２０に接合または転写された接合膜３とを、それぞれ除去する。このようにして、図５に示したように、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成する。
【００５４】
本実施形態によれば、接合膜３に、大気圧下で酸素プラズマに曝す、または減圧雰囲気下で紫外線照射することなどで、エネルギーを付与することにより、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が出現するので、接合膜３の表面３５に接着性を発現させることができる。これにより、接合膜３を、被接合体と接合させることができる。この接合膜３は、薄くても十分な接合強度が得られるので、接合膜３に接合される被接合体から剥離するなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００５５】
そして、基材１に可撓性を有するシート状のものを用いれば、転写体１０をロールで巻くことができ、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式により、連続的に接合膜３、または接合膜３とこの接合膜３に接する剥離層２とを、被転写体２０に転写することができる。
【００５６】
さらに、基材１と、基材１の表面１５に塗布および硬化処理された剥離層２との接合力に比べて、被転写体２０の表面２５のヒドロキシ基（−ＯＨ）と、接合膜３の表面３５に出現されている活性手３０４とが、結合された被転写体２０と接合膜３との接合力は強固である。このため、基材１を引き剥がすことにより、被転写体２０に接合された接合膜３と、この接合膜３に接する剥離層２とは、被転写体２０に接合されたまま残ることにより転写され、これらをエッチングマスクとして用いる。そして、基材１の表面１５に形成された接合膜３は、基材１とともに、被転写体２０から引き剥がされる。このようにして、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。
【００５７】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について、図８、図９、図１、および図５を参照して説明する。
第３実施形態の転写シートは、図１に示した第１実施形態の転写シートと同様の構成であるが、製造方法が相違する。このため、同様の構成および工程については、同一の符号および工程名称を付与し、構成の説明を省略する。そして、第３実施形態の被転写体のエッチング方法は、第１実施形態の転写シートを用いた第２実施形態と同様の製造方法となるため、説明を省略する。
【００５８】
第３実施形態の転写体の製造方法が、第１実施形態の転写体の製造方法と相違する点は、マスクを用いて接合膜形成工程（Ｓ１０５）を実施する点である。そのため、マスク配置工程（Ｓ３０１）およびマスク取外し工程（Ｓ３０２）を備え、第１実施形態のパターン形成工程（Ｓ１３４）、つまり露光工程（Ｓ１０３）および現像工程（Ｓ１０４）を備えないことが相違する点である。このため、図８に示すように、第３実施形態の転写体の製造方法は、基材洗浄工程（Ｓ１０１）と、マスク配置工程（Ｓ３０１）と、剥離層形成工程（Ｓ１０２）と、接合膜形成工程（Ｓ１０５）と、マスク取外し工程（Ｓ３０２）とを備える。図９には、図８に示したそれぞれの工程における転写シートの製造工程の一例を示している。
【００５９】
図９（ａ）に示すように、第１実施形態の転写体の製造方法と同様に、基材洗浄工程（Ｓ１０１）を実施する。
【００６０】
その後、図９（ｂ）に示すように、マスク配置工程（Ｓ３０１）を実施する。具体的には、２点鎖線で示したマスク５０を、基材１の表面１５に配置する。マスク５０は、２点鎖線で示した開口部５１を備えている。マスク５０は、ステンレスまたは硬質な樹脂フィルムなどからなる。
【００６１】
次に、図９（ｃ）および（ｄ）に示すように、第１実施形態の転写体の製造方法と同様に、剥離層形成工程（Ｓ１０２）および接合膜形成工程（Ｓ１０５）を順次実施する。これにより、マスク５０上、およびマスク５０の開口部５１から露出した基材１の表面１５に、剥離層２および接合膜３を形成する。
【００６２】
最後に、図９（ｅ）に示すように、マスク取外し工程（Ｓ３０２）を実施する。具体的には、２点鎖線で示したマスク５０を、基材１の表面１５から取り外すことで、マスク５０上に形成された剥離層２および接合膜３を取り除く。これにより、図９（ｅ）に示すように、基材１の表面１５に剥離層２を形成し、剥離層２上に接合膜３を形成する。このようにして、図１に示す転写体１０を得る。ただし、剥離層２から露出した基材１の表面１５上には接合膜３が形成されない点が図１とは異なっている。
【００６３】
そして、第２実施形態を実施することにより、図５に示したように、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成する。
【００６４】
本実施形態によれば、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００６５】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
【００６６】
たとえば、転写体１０は、可撓性を有する基材１を備える例を説明したが、これに限るものではなく、硬質な基材１を備えたリジッド（Rigid）タイプであってもよい。この場合、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式に代えて、転写体１０を順次供給して、接合膜３、または接合膜３とこの接合膜３に接する剥離層２とを、被転写体２０に転写することができる。
【００６７】
上述の実施形態は、ポジ型のフォトレジストを用いて説明したが、これに限るものではなく、ネガ型のフォトレジストを用いてもよい。また、ウェットエッチングを用いて説明したが、これに限るものではなく、ドライエッチングを用いてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１…基材、２…剥離層、３…接合膜、９…フォトマスク、１０…転写体、１５…基材の表面、２０…被転写体、２１…凹部、２５…被転写体の表面、３５…接合膜の表面、５０…マスク、５１…開口部、３０１…Ｓｉ骨格、３０２…シロキサン結合、３０３…脱離基、３０４…活性手。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上にパターン形成された剥離層と、
前記剥離層上に形成された接合膜と、を備えることを特徴とする転写体。
【請求項２】
請求項１に記載の転写体において、
前記接合膜は前記剥離層から露出した前記基材上にも形成されていることを特徴とする転写体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の転写体において、
前記接合膜は、プラズマ重合膜で構成され、シロキサン結合を含む原子構造と、前記シロキサン結合に結合し有機基からなる脱離基と、を含むことを特徴とする転写体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の転写体において、
前記基材は、可撓性を有するシートであることを特徴とする転写体。
【請求項５】
基材上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層をパターン形成するパターン形成工程と、
前記剥離層上に接合膜を形成する接合膜形成工程と、
前記接合膜を活性化させる接合膜活性化工程と、
活性化させた前記接合膜の表面を、被転写体の表面に合わせて、前記被転写体と前記剥離層上に形成された前記接合膜とを接合させる接合工程と、
接合された前記被転写体と前記接合膜および前記剥離層とから、前記基材を引き剥がす剥離工程と、
前記被転写体および前記被転写体に接合された前記接合膜と、前記接合膜に接する前記剥離層とをエッチングマスクとして用いて、前記被転写体をエッチングするエッチング工程と、
前記接合膜に接する前記剥離層と、前記被転写体に接合された前記接合膜とを、除去する除去工程とを備えることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１】
基材と、
前記基材上にパターン形成された剥離層と、
前記剥離層上に形成された接合膜と、を備えることを特徴とする転写体。
【請求項２】
請求項１に記載の転写体において、
前記接合膜は前記剥離層から露出した前記基材上にも形成されていることを特徴とする転写体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の転写体において、
前記接合膜は、プラズマ重合膜で構成され、シロキサン結合を含む原子構造と、前記シロキサン結合に結合し有機基からなる脱離基と、を含むことを特徴とする転写体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の転写体において、
前記基材は、可撓性を有するシートであることを特徴とする転写体。
【請求項５】
基材上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層をパターン形成するパターン形成工程と、
前記剥離層上に接合膜を形成する接合膜形成工程と、
前記接合膜を活性化させる接合膜活性化工程と、
活性化させた前記接合膜の表面を、被転写体の表面に合わせて、前記被転写体と前記剥離層上に形成された前記接合膜とを接合させる接合工程と、
接合された前記被転写体と前記接合膜および前記剥離層とから、前記基材を引き剥がす剥離工程と、
前記被転写体および前記被転写体に接合された前記接合膜と、前記接合膜に接する前記剥離層とをエッチングマスクとして用いて、前記被転写体をエッチングするエッチング工程と、
前記接合膜に接する前記剥離層と、前記被転写体に接合された前記接合膜とを、除去する除去工程とを備えることを特徴とするエッチング方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−１４２１５１（Ｐ２０１１−１４２１５１Ａ）
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１００１（Ｐ２０１０−１００１）
【出願日】平成２２年１月６日（２０１０．１．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月６日（２０１０．１．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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