【課題】マスクの新規な作製技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上方に、第１マスク膜を形成する工程と、第１マスク膜をパターニングする工程と、パターニングされた第１マスク膜の側部にプラズマ処理を行って、側部を変質層に変換する工程と、プラズマ処理の後、第１マスク膜の上部及び側部を覆う第２マスク膜を形成する工程と、第２マスク膜をエッチングして、側部に形成された第２マスク膜を残存させつつ、第１マスク膜上部に形成された第２マスク膜を除去する工程と、第２マスク膜のエッチングの後、変質層を除去する工程と、変質層を除去した後、残った部分の第１マスク膜、及び第２マスク膜をマスクとして、第１の膜をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 （もっと読む）

【課題】処理ブロックの設置面積を抑えると共に装置の稼働効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】
前段処理用の単位ブロックを第１の前段処理用の単位ブロック及び第２の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層し、後段処理用の単位ブロックを第１の後段処理用の単位ブロック及び第２の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層し、さらに現像処理用の単位ブロックを第１の現像処理用の単位ブロック及び第２の現像処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層して処理ブロックを構成し、前段処理用の単位ブロックから後段処理用の各単位ブロックに基板を振り分けて受け渡す第１の受け渡し機構と、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡す第２の受け渡し機構と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】光学条件及びレジスト種に依存することなくスリミング量を精度よく制御することができるとともに、スリミングに伴うレジスト高さの減少を生じさせることの無い半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に対して露光、現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを細めるスリミング工程と、細めたレジストパターンの側壁部にマスク材層を形成する工程と、細めたレジストパターンを除去する工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、スリミング工程は、基板に膨張剤を塗布する塗布工程と、膨張剤を膨張させる工程と、膨張させた膨張剤を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法により良好なパターンを得ることができるレジストパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】以下の（１）〜（１１）の工程；（１）第１のレジスト組成物を、基体上に塗布し、乾燥して第１のレジスト膜を得る工程（２）第１のレジスト膜をプリベークする工程（３）第１のレジスト膜を露光処理する工程（４）第１のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程（５）現像して第１のレジストパターンを得る工程（６）第１のレジストパターンの上にコート層を形成する工程（７）コート層の上に第２のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第２のレジスト膜を得る工程（８）第２のレジスト膜をプリベークする工程（９）第２のレジスト膜を露光処理する工程（１０）第２のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程（１１）現像して第２のレジストパターンを得る工程、を含むレジストパターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の面内位置によるパターン寸法の均一性向上及びパターン描画密度によるパターン寸法のバラツキを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ノズルガイド２は、複数のノズル１を二次元的な配列を保持し、ノズル１のそれぞれは、被処理基板３に対し同一の距離を保っている。ノズル１には流量制御装置４がそれぞれ設置されている。流量制御装置４は、演算処理ユニット５に対し並列に接続されている。演算処理ユニット５は、データサーバー６から任意のパターン描画設計データが演算処理ユニット５に転送される。演算処理ユニット５から出力された処理液流量の演算結果は、それぞれのノズル１に設けられている流量制御装置４に反映される。流量制御装置４によってパターン描画密度に応じて流量を制御された現像液は、それぞれのノズル１から吐出される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成する際のパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法。
【解決手段】フォトレジストパターン４の側壁にスペーサー７を形成して基板１上にパターンを形成するパターン形成方法において、フォトレジスト膜を成膜する工程は、塩基発生剤を含有するフォトレジスト膜材料を用いてフォトレジスト膜を形成し、フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成する工程は、フォトレジストパターン上にシロキサン結合を有する珪素化合物を含む溶液を塗布した後、ベークによってフォトレジストパターン内に塩基発生剤よりアミン化合物を発生させ、該アミン化合物を触媒としてフォトレジストパターンの外側に珪素化合物の架橋部６を形成し、その後、未架橋の珪素化合物を除去することによりスペーサーを形成する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下層膜２が積層された支持体上に、レジストパターン３を形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターン３が形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜４を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターン３をエッチングにより除去し、反転パターン４ａを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料が、テトラアルコキシチタンの加水分解物が脱水縮合して形成されるチタン含有ポリマー（Ｔ）を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】露光処理、現像処理を行って形成したレジストパターンをスリミング処理する際に、スリミング処理後のレジストパターンの線幅のばらつきを低減させることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成したレジストパターンをスリミング処理するレジストパターンのスリミング処理方法において、レジストパターン上にレジストパターンを可溶化する反応物質を塗布し、次に予め決定された熱処理条件で熱処理し、次に現像処理することによって、レジストパターンにスリミング処理を行うスリミング処理工程と、スリミング処理工程前にレジストパターンの線幅を測定する第１の線幅測定工程とを含む。第１の線幅測定工程で測定した線幅の測定値に基づいて熱処理条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の種類によらず、一定のスリム量を得ることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板上に酸を含む溶液を塗布し、次に熱処理し、次に現像処理することによって、レジストパターンにスリミング処理を行うスリミング処理工程Ｓ１６〜Ｓ１８を含む。レジストパターンのレジスト材料の種類と、レジストパターンが形成された基板上に塗布する溶液に含まれる酸の濃度と、レジスト材料の種類及び酸の濃度に対応するレジストパターンの線幅とを格納したデータベースを予め準備しておき、スリミング処理工程Ｓ１６〜Ｓ１８で用いる溶液は、溶液に含まれる酸の濃度が、レジスト材料の種類と、レジストパターンの線幅の目標値とを検索キーとしてデータベースにより求められた酸の濃度に基づく。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性を向上することが可能なレジスト膜処理装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜処理装置６０は、現像によりパターン化された前記レジスト膜に紫外域光を照射する光源ＵＶと、前記光源ＵＶにより紫外域光が照射された前記レジスト膜を加熱するよう構成された加熱部６２Ｈと、前記加熱部６２Ｈにより加熱された又は加熱されている前記レジスト膜を、ベンゼン環を含有する溶剤を含む溶剤気体に晒すよう構成された溶剤処理部８３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】現像処理工程以外のプロセスの不安定要因や、現像処理装置の構成や、被処理基板の材質及び厚みの影響等々を受けることなく、処理装置間及び被処理基板の面内において、実際に被処理基板が受けた現像処理効果を定量的かつ十分な情報量で計測把握できる現像処理評価方法を提供する。
【解決手段】必要最低レジスト膜厚に所定のネガ型レジストを塗布形成後、熱処理して作製した現像処理効果の測定のための被処理基板を、評価対象である現像処理装置により現像処理し、その現像処理後のレジスト膜厚を被処理基板内で複数点測定して求め、得られた被処理基板内の各測定点での現像処理後のレジスト膜厚の統計量を求める工程を有し、現像処理効果の評価対象である現像処理装置における設定現像処理時間における現像処理効果及びそのバラツキを、ネガ型レジストの未露光部のレジスト膜厚とそのバラツキで表す。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置及び基板搬送方法を提供する。
【解決手段】インターフェイス装置３０は、開閉可能な第１搬送口１Ｖ３を通して露光装置との間で基板を受け渡す減圧可能な第１搬送室１ｂ；第２搬送口４Ｖ１を通して第１搬送室１ｂとの間で基板を受け渡し、第３搬送口４Ｖ１３を通して塗布現像装置２０との間で基板を受け渡す複数のロードロック室４ａ〜４ｄ；第４搬送口１Ｖ１を通して第１搬送室１との間で基板を受け渡す、第２搬送室１ａ；第２搬送室１ａと連通する第５搬送口を通して基板を受け渡す、基板を加熱する複数の加熱モジュール２ａ〜２ｃ；第２搬送室１ａと連通する第６搬送口を通して基板を受け渡す、基板を冷却する複数の冷却モジュール３ａ〜３ｃを含む。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置の温度変更処理に関する各種の処理動作を、当該装置が使用される際の設備環境に応じて適切に実行できる技術を提供する。
【解決手段】熱処理プレート１１の設定温度を降温する場合、制御部４０は、冷却水バルブ６７を開放して冷却プレート２１に冷却水を供給して熱処理プレート１１を冷却する。制御部４０は、冷却プレート２１への冷却水の供給を停止するタイミングを、冷却水温度センサ７１から取得した冷却水の供給温度に基づいて決定する。冷却水の供給の停止タイミングを冷却水の温度を加味して特定することによって、最適な停止タイミングを正確に特定して、降温処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】２回目の露光工程を必要とせずに、露光限界よりも細い微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】マスクとなるパターンを形成する方法であって、第１パターン１０５を形成する工程と、第１パターン１０５の幅をトリミングする工程と、境界層１０６を第１パターン１０５の表面に成膜する工程と、境界層１０６の表面に第２マスク材層１０７を形成する工程と、境界層１０６の頂部が露出するように第２マスク材層１０７の一部を除去する工程と、境界層１０６をエッチングして第１パターン１０５を露出させるとともに、第２マスク材層１０７を上部に有する第２パターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクをトリミングし、被加工層をパターニングして得られる孤立加工パターンと密集加工パターンのパターン幅を一致させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、被処理基板上の被加工層上に形成された孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクに対し、基板シース電圧が２０Ｖ以下の条件下でＡｒプラズマを照射し、前記孤立レジストパターンと密集レジストパターンとで、それぞれのパターン幅をトリミングする工程と、前記レジストマスクを使って、前記被加工層をエッチングし、前記孤立レジストパターンに対応して孤立加工パターンを、前記密集レジストパターンに対応して密集加工パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの寸法ばらつきを補正することができ、設計値通りのパターンを形成する。
【解決手段】被処理基板１０上にレジスト膜を塗布した後に該レジスト膜に所望パターンを露光し、レジスト膜に対してＰＥＢ装置２５でＰＥＢ処理を施した後に現像装置２７で現像処理するレジストパターン形成方法において、レジスト膜に実際に形成される寸法を設計寸法に合わせるための寸法制御方法であって、基板１０上に形成された各種パターンの内、複数の寸法管理パターンの寸法を測定した後、測定された寸法と設計寸法とのずれ量を算出し、算出されたずれ量を補正するためのＰＥＢ温度補正量を算出し、算出されたＰＥＢ温度補正量を測定パターンの位置情報と共にＰＥＢ装置２５にフィードバックし、フィードバックされた補正量を基に基板表面内での温度分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工材上に芯材を形成する工程と、前記芯材の上面および側面を覆うようにアモルファス材料からなる被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を前記芯材の側面に位置する部分を残して除去し、前記心材の側壁に側壁マスクを形成する工程と、前記被覆膜から前記側壁マスクを形成する前または後に、熱処理を施すことにより前記側壁マスクに加工する前または後の前記被覆膜を結晶化させる工程と、前記側壁マスクを形成し、かつ前記側壁マスクに加工する前または後の前記被覆膜を結晶化させた後、前記芯材を除去する工程と、前記芯材を除去した後、前記側壁マスクをマスクとして用いて、前記被加工材をエッチング加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細ピッチのパターンを実現可能であってパターニング精度の安定性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上の一部の領域に第１のホトレジストパターンを形成する第１の工程と、少なくとも第１のホトレジストパターンの表面に薄膜を形成する第２の工程と、第１のホトレジストパターンが形成されていない部位に第２のホトレジストパターンを形成する第３の工程と、を有する。 （もっと読む）