【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】実施の容易な、側壁イメージ転写により部分的に定義されるパターンを生成する方法を提供する。
【解決手段】基板１には、第１の材料２の層と、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３と、第２のエッチングマスクとが設けられている。カバリング層３は、覆われた主領域と、覆われていない副領域とを有する。カバリング層３の副領域は、第２のエッチングマスクを介して部分的にエッチングされ、突出パターンが形成される。第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサが形成される。第２のエッチングマスクは除去される。カバリング層３は、第３のエッチングマスクを用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンが形成され、第１のエッチングマスク４および第１の材料２が露出される。第１の材料２の層は、エッチングされ、第１の材料２から作られるパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体層１８０１の表面上に形成し、開口部幅が同じ開口部毎に、前記マスク端での酸素プラズマ濃度が所定の濃度となるようにプラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定してエッチング（メタン／酸素プラズマ照射）を行い、同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工する。 （もっと読む）

【課題】エッチング面積を変えずにマスク面積を小さくする、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングされる領域のマスク端からの距離は、マスク幅が１μｍ以上でほぼ一定の値を示す。このことは、マスク上のマスク端から１μｍまでの領域に存在する水素プラズマが開口部に拡散してエッチングに寄与することを示す。このとき、マスク上のマスク端から１μｍ以上の領域に存在する水素プラズマはエッチングに寄与することなくマスク上から脱離するものと考えられる。そのため、本発明の選択エッチングにおいてはマスクの幅は１μｍ以上あればエッチング領域のマスク端からの距離を十分に得られる。また、半導体素子の高密度集積における素子間隔が１０μｍ程度であることを考慮すると、マスク幅は１μｍ以上１０μｍ以下で有効である。 （もっと読む）

【課題】エッチングレイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】エッチングレイヤ上に第１マスクが形成され、第１マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。第１マスク上に側壁レイヤが形成され、側壁レイヤは、第１マスクによって規定されるスペースの幅を低減する。側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、第１マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。マスクおよび側壁レイヤが除去される。エッチングレイヤ上に追加マスクが形成され、追加マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。追加マスク上に側壁レイヤが形成され、側壁レイヤは、追加マスクによって規定されるスペースの幅を低減する。側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、追加マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。マスクおよび側壁レイヤが除去される。 （もっと読む）

【課題】 接続孔のホールサイズについて制御性良い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に上層絶縁膜が形成され、前記上層絶縁膜上にSiを含む非晶質膜が形成される。前記非晶質膜上に第１のレジスト膜が形成され、前記第１のレジスト膜に第１のレジストパターンが形成される。前記第１のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。前記非晶質膜および前記遷移金属膜の熱反応により、前記非晶質膜よりも体積が大きいシリサイド膜が形成される。前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第１の溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。
【解決手段】本発明は厚さが２００ｎｍから５００ｎｍの磁性膜をドライエッチングするプラズマ処理方法において、レジスト膜と、前記レジスト膜の下層膜である非有機系の膜と、前記非有機系の膜の下層膜であるＣｒ膜と、前記Ｃｒ膜の下層膜であるＡｌ₂Ｏ₃膜とを含む積層膜を前記磁性膜の上に成膜した試料をドライエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】より正確に所望の形状にエッチングすることができるプラズマエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理装置１１は、その内部において被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、処理容器１２内にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給部１３と、処理容器１２内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台１４と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器１５と、マイクロ波発生器１５により発生させたマイクロ波を用いて、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理容器１２内の圧力を調整する圧力調整手段と、支持台１４に交流のバイアス電力を供給するバイアス電力供給手段と、バイアス電力供給手段における交流のバイアス電力を、停止および供給を交互に繰り返しながら行うよう制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】可能な限り従来の設備及び加工プロセスを継承してコストの上昇を抑制するも、Ｔａ含有の導電材料を難除去性の残留付着物を発生せしめることなく所望に加工し、容易且つ確実に信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体基板上に、Ｔａ含有層、ＴｉＮ層、及び多結晶シリコン膜等のドライエッチング可能な層を順次積層し、ＴｉＮ層をエッチングストッパーとして多結晶シリコン膜をドライエッチングして所定形状に残し、ＴｉＮ層及びＴａ含有層をＳＰＭ、ＡＰＭ等を用いてウェットエッチングして多結晶シリコン膜下で所定形状に残す。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に形成された１又は２以上の層で構成された膜であり、該膜の最表層がクロム系材料からなる膜を塩素系ドライエッチングによってエッチングする方法であって、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜をエッチングマスクとして上記最表層を塩素系ドライエッチングする方法。
【効果】本発明のエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に設けられた穴の内部に導電体と誘電体を配置することにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体において、穴をより深くしたり、穴の平面形状を複雑な形状とすることなく、導電体間の対向面積を増加させて容量値の増大が実現できるようにする。
【解決手段】穴２０は、シリコン基板１０の一方の主面に開口する有底穴であり、穴２０の内部にはシリコン基板１０よりなる突起２１が設けられ、穴２０の底面は、突起２１による凹凸面とされており、穴２０の内部では、穴２０の底面および側面に、これらの面側から第１の導電体３１、誘電体４０、第２の導電体３２が順次積層されているとともに、第１の導電体３１および誘電体４０は、突起２１による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のみをエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】カソード２２上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを発生させてエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の大きさを変更可能なシャッター３０を設け、シャッター３０は、被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能支持する支持体２９と、プレート３０を移動させる第１移動手段３０１を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】製造欠陥の少ない、様々な大きさの要素を有する装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、基板上の下側誘電体層(530)、下側誘電体層上の金属層(520)、金属層上の上側誘電体層(510)、上側誘電体層上の平坦化層(140)、平坦化層上のフォトレジスト材料(130)の層を有する構造が形成される。マスク・パターンに従ってフォトレジスト材料が現像される。マスク・パターンに従って平坦化層および上側誘電体層がエッチングされる。平坦化層および上側誘電体層のエッチングの後にフォトレジスト材料および平坦化層が除去される。上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。反転されたマスク・パターンに従って少なくとも金属層および下側誘電体層がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層への太陽光の入射効率の良好であり、光電変換効率の高い光電変換素子を製造可能な光電変換素子用シリコン基板を歩留まり良く製造する。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板１０の一主面１０ｓに、ドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第１粒子と、第１粒子よりも耐性が低く、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第２粒子と、第１粒子よりも耐性が低い結着剤とを含む液状組成物を塗布成膜してマスク材を配する工程と、マスク材が配された主面１０ｓにドライエッチングにより太陽光の反射を抑制する凹凸構造１０ｔを形成する工程と、凹凸構造１０ｔに、水素ガスによるドライエッチング処理と、希フッ酸中に浸漬させる処理を順次実施する洗浄工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】反転ＮＩＬ技術を使用した無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法において、エッチングマスクのラインエッジラフネスを向上させる。
【解決手段】この方法は、基板生産物３０上に形成された絶縁膜２５上に樹脂層２７を形成したのち、所定パターンを有するモールドを樹脂層２７に押し付ける工程と、Ｓｉを含む樹脂層２８によって樹脂層２７を覆ったのち、ＣＦ_４ガス及び酸素ガスを用いたＲＩＥによって樹脂層２８をエッチングして樹脂層２７を露出させるエッチバック工程と、樹脂層２７を選択的にエッチングして絶縁膜２５を露出させる工程と、樹脂層２８をマスクとして絶縁膜２５をエッチングすることにより、所定パターンを絶縁膜２５に形成する工程とを含む。ＲＩＥは、自己バイアスを印加しながら行うことにより、エッチングにより生じるＳｉ生成物を除去しながら行われる。 （もっと読む）

【課題】マスクの新規な作製技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上方に、第１マスク膜を形成する工程と、第１マスク膜をパターニングする工程と、パターニングされた第１マスク膜の側部にプラズマ処理を行って、側部を変質層に変換する工程と、プラズマ処理の後、第１マスク膜の上部及び側部を覆う第２マスク膜を形成する工程と、第２マスク膜をエッチングして、側部に形成された第２マスク膜を残存させつつ、第１マスク膜上部に形成された第２マスク膜を除去する工程と、第２マスク膜のエッチングの後、変質層を除去する工程と、変質層を除去した後、残った部分の第１マスク膜、及び第２マスク膜をマスクとして、第１の膜をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第１のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層１，７，８の上に非加工膜１４を形成する工程と、非加工膜１４および下地層１，７，８に溝４を形成する工程と、溝内を埋め込むように加工膜５を形成する工程と、非加工膜１４を露出させるように加工膜５を平坦化する工程とを備える。更に、加工膜５および非加工膜１４の上に保護膜１６を形成する工程と、ＲＩＥ法を用いて、保護膜１６をエッチングすると共に、加工膜５を選択的にエッチングして溝内の加工膜５を落とし込む工程とを備える。 （もっと読む）