【課題】エッチングにおけるプロセス変動を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板ＳＢ上に薄膜ＧＴが形成される。この薄膜ＧＴ上にレジスト層ＲＳが形成される。このレジスト層ＲＳ上に中間層ＩＬが形成される。この中間層ＩＬ上にフォトレジストパターンＰＲが形成される。このフォトレジストパターンＰＲがマスクとされて、中間層ＩＬがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬがマスクとされて、レジスト層ＲＳがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬおよびパターニングされたレジスト層ＲＳのいずれかがマスクに用いられて上記薄膜ＧＴがエッチングされる。この薄膜ＧＴのエッチングの開始から終了まで薄膜ＧＴのエッチングに用いられるマスクの材料が変わらない。 （もっと読む）

【課題】目標臨界寸法を有する微細パターンを形成方法を提供する。
【解決手段】微細パターンを形成方法は、半導体基板１００の上部にエッチング対象膜、第1のハードマスク膜及び菱状の絶縁パターンを形成する段階、絶縁パターンを含む前記第1のハードマスク膜上に第1の補助パターンを形成するが、四角形で隣接した4個の前記絶縁パターンの間の中央には絶縁パターンと同一の形態のコンタクトホールを有するように形成する段階、前記絶縁パターンの上部が露出されるように前記第1の補助パターンをエッチングして第2の補助パターンを形成する段階、前記露出された絶縁パターンを除去する段階、前記第2の補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程で前記第1のハードマスク膜をエッチングして第1のハードマスクパターン１０２ａを形成する段階、及び第1のハードマスクパターンを用いて前記エッチング対象膜をエッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】タングステン配線の断面形状を良好にすることにより、配線抵抗の増大及び配線信頼性の低下を防ぐ。
【解決手段】先ず、下地１００を用意して、下地上に、バリア膜１２０、配線膜１３０及びマスク膜１４０を順次に積層する。バリア膜及びマスク膜が窒化チタンであり、配線膜がタングステンである。次に、マスク膜上に、反射防止膜１５０を塗布する。次に、反射防止膜上に、レジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィによりパターニングして、レジストマスク１６０を形成する。レジストマスクは、配線形成領域１０５を覆い、かつ配線非形成領域１０７を露出する。次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより反射防止膜のパターニングを行う。次に、塩素系ガスを用いたエッチングによりマスク膜のパターニングを行う。次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより配線膜のパターニングを行う。 （もっと読む）

【課題】限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする方法が記載されている。
【解決手段】リソグラフィーによりパターン化されたフォトレジストとパターン化されていない有機反射コーティング（ＢＡＲＣ）を含む多層マスクが、エッチングされる基板層上に形成される。ＢＡＲＣ層は、大きな負のエッチングバイアスによりエッチングされて、フォトレジストに、リソグラフィーにより画定された寸法より小さく、多層マスクの開口部の限界寸法を減じる。ＢＡＲＣエッチングの大きな負のエッチングバイアスを利用して、限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする。大きな負のエッチングバイアスにより、ＢＡＲＣに開口部をプラズマエッチングするには、ＣＨＦ_３等の重合化学物質を利用する。更なる実施形態において、低圧で提供される重合化学物質は、高周波容量結合源により比較的低電力で電圧印加される。 （もっと読む）

【課題】メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン窒化膜５０上に第１ハードマスク６０、Ｘ軸方向に直線状に延びる第２ハードマスク７０を複数並列して形成する。次に、第２ハードマスク７０のヒンジ領域Ｈにイオン注入しエッチングレートを変化させる。次に、第２ハードマスク７０をマスクとして第１ハードマスク６０をエッチングし、イオン注入されていない第２ハードマスク７０のみエッチング除去する。次に、第１ハードマスク６０に側壁膜８０を形成し、第２ハードマスク７０に覆われていない第１ハードマスク６０をエッチング除去する。そして、側壁膜８０及び第１ハードマスク６０をマスクとしてシリコン窒化膜５０をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成工程を削減でき、量産時の製造コスト低減に有効な半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、図１Ｅまでの工程の第１補助パターン(108)、下部反射防止パターン(BARC; 106a)、第２補助パターン(112a)をエッチングマスクとしてハードマスク膜(104)をエッチングして所要のラインとスペーサを有するハードマスクパターン(104c)を形成する（図１Ｆ参照）。その後、第１補助パターン(108)などを除去し、ハードマスクパターン(104c)からなる微細パターンを形成する。続く図１Ｇの工程でハードマスクパターン(104c)をエッチングマスクとしてエッチング対象膜(102)をエッチングしてエッチング対象パターン(102a)を形成してからハードマスクパターン(104c)を除去する。第１，第２補助パターン(108，112a)の形成工程のみで微細パターンを形成することで、所要の臨界寸法(CD)を有する微細パターンを形成でき、工程を削減する。 （もっと読む）

【課題】 薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。
【解決手段】 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】発光面の表面に簡易に微細な凹凸形状を形成して発光素子の発光効率を向上させる。
【解決手段】発光体として例えばＬＥＤ素子１０を用意し、このＬＥＤ素子１０の発光面１８にヒートモードの形状変化が可能な記録材料層１２を形成する。そして、記録材料層１２に、集光した光を照射することで、ＬＥＤ素子１０が発する光の中心波長の０．０１〜１００倍のピッチで複数の凹部１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターンを形成する方法であって、現状露光設備における解像度能力を上回って、より微細なパターンの形成が可能となるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の上部にエッチング対象膜１０１、ハードマスク膜１０２及び第１補助パターン１０４ａを形成し、それらハードマスク膜と第１補助パターンの上部に絶縁膜１１０と第２補助膜１１２を形成する。第１のエッチング工程を実施し、第２補助膜１１２が第１補助パターン１０４ａ間に残留して第２補助パターン１１２ａとなる。続いて絶縁膜１１０を除去し、第２のエッチング工程で第１，第２補助パターンをエッチングマスクとしてハードマスクパターンを形成し、それをエッチングマスクとして第３のエッチング工程でエッチング対象膜１０１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。好適には、スパッタガスに占める反応ガスの割合は、１０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁膜にパターンの異なる配線溝またはビアホールを形成して多層配線構造を形成する際に、パターンの違いに関わらず、配線幅またはビア幅を均等にする。
【解決手段】層間絶縁膜上に反射防止膜と上層レジスト膜とをこの順で積層し、上層レジスト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングする際に、上層レジスト膜に形成される開口部の寸法幅Ｌ_１に対する層間絶縁膜に形成される凹部の寸法幅Ｌ_２の寸法シフト量Δ（Ｌ_２−Ｌ_１）と相関関係を有するエッチング条件の値を、上層レジスト膜に形成される開口部の開口率が大きいほど寸法シフト量Δ（Ｌ_２−Ｌ_１）が小さくなるように開口率に応じて変動させて反射防止膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストマスクパターンより下層の積層化された薄膜をプラズマ処理する方法において、形成されたパターン側面の凹凸を改善し、ＬＥＲ、ＬＷＲを低減する。
【解決手段】半導体基板２０６の上に積層化された薄膜（ゲート絶縁膜２０５、導電膜２０４、マスク層２０３、反射防止膜２０２）と、該反射防止膜上に形成されたフォトレジストマスクパターン２０１を有する被処理材をゲート電極を形成するためにエッチング処理するにあたって、前記マスクパターン２０１のエッチング処理する前に、窒素ガスまたは、窒素ガスと堆積性ガスとの混合雰囲気をプラズマ化することによって該マスクパターン２０１にプラズマキュア処理を行い、該マスクパターン２０１の表面と側面の凹凸を減少させた後、該マスクパターン２０１より下層の積層化された薄膜２０２、２０３、２０４をプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】既設露光装置における解像力以下のピッチを有するマスクを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。
【解決手段】第１，第２パターンを用いたエッチング工程を行い、後工程で形成されるコンタクトホール領域である層間絶縁膜(103)の一部領域を露出させてハードマスクパターン（図６参照：111）を形成する。このハードマスクパターンを用いたエッチング工程で半導体基板(100)が露出されるコンタクトホール(112)を形成する。SOG膜による第２パターン(110)を形成すれば、例えば、60nmの解像能力を有するASML1400 ArF DRY装備を用いて30nmのピッチを有するハードマスクパターン(111)を形成できる。すなわち、高価な露光装置を装備投資する必要がなく、既存露光装備で最大２倍のピッチ縮小効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールを形成するような場合であっても、Ｘｅガスを用いることなく、マスク倒れの発生を抑制することができ、製造コストの上昇を招くことなく歩留まりの向上を図ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングした下層レジスト膜１０４等をマスクとして、被エッチング対象であるシリコン酸化膜１０３、シリコン窒化膜１０２、を順次プラズマエッチングし、ホール１１２を形成する。最後に被エッチング対象のうち最下層に位置するＢＰＳＧ膜１０１をプラズマエッチングし、ホール１１３を形成する。このＢＰＳＧ膜１０１のプラズマエッチングに、Ｃ₄Ｆ₆ガスとＣ₃Ｆ₈ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【解決手段】エッチングチャンバ内で炭素系マスクを介して超高アスペクト比フィーチャの誘電体を選択的エッチングするための方法が提供されている。フルオロカーボン含有分子および酸素含有分子を含むエッチングガスの流れが、エッチングチャンバに供給される。パルスバイアスＲＦ信号が供給される。エッチングガスをプラズマに変換するために、励起ＲＦ信号が供給される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム処理用保護層を提供すること。
【解決手段】表面の方に流体を導くことによって、荷電粒子ビーム処理の間表面を保護する保護層が加工物に塗布される。アプリケータは表面に接触しないことが好ましい。インク・ジェット・プリント型プリント・ヘッドは適切なアプリケータである。インク・ジェット型プリント・ヘッドにより種々さまざまな流体を使用して保護層を形成することができる。保護層を形成する有用な流体は、小さい銀の粒子を有するコロイダル・シリカ、炭化水素ベースのインク、および染料を含む。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２導電膜４３の上にマスク材料膜４５を形成する工程と、マスク材料膜４５の上にレジストパターン４６を形成する工程と、ＩＰＣエッチングチャンバ内においてマスク材料膜４５をエッチングして補助マスク４５ａにする工程と、エッチングチャンバからシリコン基板２０を取り出さずに、エッチングチャンバ内において第２導電膜４３をエッチングすることによりパーティクル数の増加傾向を抑制して、第２導電膜４３を上部電極にする工程と、強誘電体膜４２をパターニングしてキャパシタ誘電体膜にする工程と、第１導電膜４１をパターニングして下部電極にし、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極でキャパシタQを構成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では困難だった１５ｃｍ角程度あるいはそれ以上の大面積基板を対象にしても、シリコン基板に均一な凹凸を再現性良く、低コストで形成すること。
【解決手段】有機金属溶液あるいは有機金属の分散液を基板にインクジェット法でドット状に塗布する工程と、上記基板を乾燥する工程と、上記基板の表面にプラズマを照射する工程と、上記基板をエッチング処理する工程とを備えたシリコン基板の粗面化方法である。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮを含む金属膜上におけるレジスト除去速度の低下を抑え、レジスト残りが発生することがない安定したレジスト除去を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０の上に窒化チタンを含む金属膜１２を形成する工程（ａ）と、金属膜１２の上に酸化膜１３を形成する工程（ｂ）と、酸化膜１３の上にレジストパターン１４を形成する工程（ｃ）と、レジストパターン１４をマスクとして金属膜１３を選択的にエッチングする工程（ｄ）と、工程（ｄ）よりも後に、レジストパターン１４を酸素プラズマにより除去する工程（ｅ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのコンタクトホールパターンを実現可能な、ダブルパターニング工程を利用する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】複数の第１ハードマスクパターン１３０を形成する工程と、第１ハードマスクパターン１３０の側壁にバッファ層１４０を形成し、第１ハードマスクパターン１３０により自己整列される第２ハードマスクパターン１５０ａを形成する工程と、第１ハードマスクパターン１３０と第２ハードマスクパターン１５０ａとの間にあるバッファ層１４０のうち、一部領域を覆うようにマスクパターン１６０を形成する工程と、マスクパターン１６０と第１及び第２ハードマスクパターン１３０、１５０ａとをエッチングマスクとして利用し、バッファ層１４０の露出された領域をエッチングし、露出される被エッチング膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）