半導体素子のエッチング装置及び方法
【課題】 薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。
【解決手段】 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。
【解決手段】 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のエッチング装置及び方法に関するもので、より詳細には、ウェハーなどの半導体素子のエッチング工程でフォトレジストの選択比を向上させることができる半導体素子のエッチング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体素子の素子寸法が漸次減少しており、これによって、微細構造をパターニングするためにフォトレジストが漸次薄くなりつつある。
【０００３】
これによって、薄いフォトレジストに対して高い選択比を持たせる工程が必要である。
【０００４】
特許文献１には、エッチング工程前にフォトレジスト上に保護膜を蒸着するステップを追加し、フルオロメチル（ＣＨ３Ｆ）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）などのＣｘＨｙ系エッチングガスを用いてフッ素化炭素保護膜を形成する技術が開示されている。
【０００５】
より詳細に説明すると、ウェハー上には、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの物質膜が形成されており、この物質膜上には、フォトレジスト膜がコーディング・現像されている。このとき、物質膜は、エッチング工程でエッチングされる。
【０００６】
エッチング工程では、フォトレジストの選択比が高いほど良い。このとき、フォトレジストの選択比は、エッチング対象物質のエッチング率を非エッチング対象物質のエッチング率で分けた値である。
【０００７】
従来技術においては、エッチングチャンバー内に導入されたウェハーを直ぐにエッチングせずに、フォトレジストを保護するためにフォトレジスト上にフッ素化炭素保護膜を追加するステップを先に進行し、フォトレジストのトップ及び側壁を追加的に保護した後、エッチング工程を進行する。
【０００８】
しかしながら、従来技術においては、フッ素が添加されることで、フッ素化炭素保護膜の多孔性が高くなり、保護強度が弱くなる。さらに、フッ素のエッチング効果によってフッ素化炭素保護膜のエッチング抵抗が減少し、フッ素化炭素保護膜とフォトレジストとの間の結合強度が相対的に弱くなる。
【０００９】
その結果、薄いフォトレジストに対して高いフォトレジスト選択比を持たせるのに限界があり、エッチング効率を向上させにくいという問題点がある。
【特許文献１】米国公開特許公報２００２／０１０２５００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述した問題点を解決するためのもので、その目的は、薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した目的を達成するための本発明の半導体素子のエッチング方法は、物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含むことを特徴とする。
【００１２】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、メタン（ＣＨ４）であることを特徴とする。
【００１３】
前記メタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００１４】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）であることを特徴とする。
【００１５】
前記ブタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００１６】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする。
【００１７】
前記リン酸トリブチルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００１８】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）であることを特徴とする。
【００１９】
前記クレゾールによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００２０】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする。
【００２１】
前記リン酸トリクレジルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００２２】
前記炭化水素膜を形成するために、前記チャンバー内に、３０〜２００ｍＴ範囲の圧力、５０〜１００ＳＣＣＭ範囲の前駆ガス、５０〜５００Ｗ範囲のソース電力、０〜５０Ｗ範囲のバイアス電力を提供することを特徴とする。
【００２３】
前記炭化水素膜は、前記フォトレジスト膜のトップに５０〜１００nmの厚さで形成し、 前記フォトレジスト膜の側壁に１０〜２０nmの厚さで形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、フッ素を含有しない前駆ガスを用いてフォトレジスト膜上に炭化水素膜やリンを含有した炭化水素膜などの保護膜を形成することで、漸次薄くなっているフォトレジストに対して高いフォトレジスト選択比を持つエッチング工程を進行することができ、エッチング効率を向上させることができる。
【００２５】
また、本発明によると、フォトレジスト膜のエッチング抵抗が低いので、他の設備でフォトレジスト膜の下部に非結晶性炭素膜やダイアモンド状炭素膜を追加的に形成する過程を省略することができ、全体的なエッチング工程速度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の好適な実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明が適用されるプラズマエッチング装置の概略的な構成図である。図１に示すように、本発明が適用されるプラズマエッチング装置は、所定の容積を有し、ガス流入口１１及びガス排出口１２が形成されたチャンバー１０を備えている。このチャンバー１０は接地されている。後述する前駆ガス及びエッチングガスは、ガス流入口１１を通してチャンバー１０の内部に流入し、チャンバー１０内のガスは、ガス排出口１２を通して外部に排出される。
【００２８】
このチャンバー１０内には、上部電極１３と下部電極１４が対向するように配置されている。上部電極１３及び下部電極１４は、それぞれ導電性材料からなり、平板形状を有している。下部電極１４は、ウェハーＷを固定する役割を兼ねている。このとき、ウェハーＷのエッチング対象膜質の構造は、多様な膜質が互いに異なるエッチング特性を有する多層構造であることが好ましく、エッチング対象膜質層のうち少なくとも２個の膜質層は、最適なエッチングのためのイオン密度及びイオンエネルギーのうち少なくとも一つが互いに異なることが好ましい。
【００２９】
上部電極１３及び下部電極１４は、それぞれマッチングネットワーク２０，２１を通して高周波電源３０，３１と接続されている。上部電極１３には、第１マッチングネットワーク２０を通して第１高周波電源３０が接続され、下部電極１４には、第２マッチングネットワーク２１を通して第２高周波電源３１が接続される。例えば、第１高周波電源３０は、上部電極１３に１００ＭＨｚの周波数を有する第１高周波電力（ソース電力）を印加し、第２高周波電源３１は、下部電極１４に第１高周波電力より低い２ＭＨｚの周波数を有する第２高周波電力（バイアス電力）を印加する。参考に、周波数は、プラズマのイオン密度と比例関係にあり、イオンエネルギーと反比例関係にあるので、周波数が高いほど、チャンバー１０内のプラズマのイオン密度が増加し、イオンエネルギーが減少する。その反対に、周波数が低いほど、チャンバー１０内のプラズマのイオン密度が減少し、イオンエネルギーが増加する。したがって、上部電極１３に相対的に高い周波数を印加することで、プラズマのイオン密度を高めることができ、下部電極１４に相対的に低い周波数を印加することで、チャンバー１０内のイオンエネルギーを高めることができる。
【００３０】
第１マッチングネットワーク２０は、第１高周波電源３０とチャンバー１０内のプラズマとの間のインピーダンスをマッチングさせる役割をする。また、第１マッチングネットワーク２０は、高周波ケーブルを通して第１高周波電源３０と接続されている。
【００３１】
第２マッチングネットワーク２１は、第１マッチングネットワーク２０と同様に、第２高周波電源３１とチャンバー１０内のプラズマとの間のインピーダンスをマッチングさせる役割をする。また、第２マッチングネットワーク２１は、高周波ケーブルを通して第２高周波電源３１と接続されている。
【００３２】
さらに、第１高周波電源３０及び第２高周波電源３１は、信号ケーブルを通してスイッチング部４０とそれぞれ接続されている。
【００３３】
スイッチング部４０は、第１高周波電源３０及び第２高周波電源３１を個別的にオンまたはオフにし、上部電極１３及び下部電極１４に高周波電力を印加する。その結果、チャンバー１０内のイオン密度及びイオンエネルギーが調節される。
【００３４】
制御部５０は、プラズマエッチング工程の各ステップ別に、スイッチング部４０を通して第１高周波電力ＲＦ１及び第２高周波電力ＲＦ２のうち少なくとも何れか一つが上部電極１３または下部電極１４に印加されるように制御する。
【００３５】
図２乃至図４は、本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。図２乃至図４に示すように、図２に示した半導体基板６０をチャンバー内に置く。酸化ケイ素などの物質膜７０は半導体基板６０上に形成され、フォトレジスト膜８０は物質膜７０上に形成される。
【００３６】
次いで、図３に示すように、チャンバー内に前駆ガスを注入し、フォトレジスト膜８０上にフォトレジスト選択比を高められる保護膜９０を形成する。この保護膜９０は、物質膜７０に対してエッチングするとき、フォトレジスト膜８０のエッチング耐性弱化を緩和するとともに、フォトレジスト膜８０と物質膜７０との間の結合強度を高めるために形成される。
【００３７】
保護膜９０としては、フッ素化炭素保護膜でない、フォトレジスト膜８０と同一の性質である炭化水素膜やリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が使用される。このために、前駆ガスとしては、フッ素を含有しない炭化水素ガスを使用する。上述したように、従来は、エッチング工程時にフォトレジスト選択比を高めるために、フルオロメチル（ＣＨ３Ｆ）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）などの高反応性のハロゲン元素であるフッ素を含有したエッチングガスを使用して保護膜９０を形成する。その結果、保護膜９０は、フッ素を含有するしかなく、これによって、保護膜９０の多孔性が高くなり、フッ素のエッチング効果によって保護膜９０のエッチング抵抗が減少する。したがって、本発明では、フッ素を含有しない炭化水素を用いることで、フォトレジスト膜８０の保護膜９０として炭化水素膜を形成する。また、リン（Ｐ）を含有した炭化水素膜を形成することもできるが、この場合、フォトレジスト膜８０と物質膜７０との間の結合強度を一層高めることができる。
【００３８】
図５に示すように、前駆ガスとしては、メタン（ＣＨ４）、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）、リン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）などが使用される。
【００３９】
前駆ガスとして使用されるメタン（ＣＨ４）は気体状態であり、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）及びリン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）は液体状態である。したがって、前駆ガスとしてブタン（Ｃ４Ｈ１０）、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）及びリン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）などの液体状態のガスが使用される場合、液体を気体化する装置を用いて液体状態のガスを気体化した後、これをチャンバー１０に注入する。
【００４０】
保護膜９０は、前駆ガスの種類によって、その膜質の元素構成及び元素間の結合性質が変わる。
【００４１】
前駆ガスとしてメタン（ＣＨ４）及びブタン（Ｃ４Ｈ１０）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成される。
【００４２】
また、前駆ガスとしてリン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素一重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成される。
【００４３】
また、前駆ガスとしてクレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成される。
【００４４】
また、前駆ガスとしてリン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成される。
【００４５】
本発明では、前駆ガスの種類を選択して炭素-炭素一重結合または炭素-炭素二重結合の炭化水素膜を形成することで、保護膜９０のエッチング抵抗を極大化することができる。さらに、リンを含有した前駆ガスを使用して、炭素と酸素に対するバインダーの役割をするリンを含有した炭化水素膜を形成することで、エッチング抵抗をさらに増加させ、全体的にフォトレジスト選択比を一層向上させることができる。
【００４６】
また、保護膜９０を形成することで、フォトレジスト膜８０のエッチング抵抗が減少するので、他の設備でフォトレジスト膜８０の下部に非結晶性炭素膜やダイアモンド状炭素膜を追加的に形成する過程を省略することができ、全体的なエッチング工程速度を高めることができる。
【００４７】
保護膜９０は、厚さが約２０〜１００nmで、フォトレジスト膜８０のトップに５０〜１００nmの厚さで形成し、フォトレジスト膜８０の側壁に１０〜２０nmの厚さで形成する。
【００４８】
保護膜９０を形成するために、チャンバー内の条件は、例えば、約３０〜２００ｍＴ範囲の圧力、５０〜１００ＳＣＣＭ範囲の前駆ガス、５０〜５００Ｗ範囲のソース電力、０〜５０Ｗ範囲のバイアス電力に設定される。このとき、フォトレジスト膜８０の損傷を最小化するために、バイアス電力なしにソース電力のみを印加することができる。
【００４９】
一方、図４に示したコンタクトホール１００を形成するために、チャンバー１０内にエッチングガスを注入し、保護膜９０、フォトレジスト膜８０及び物質膜７０をエッチングすることでエッチング工程を完了する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明が適用されるプラズマエッチング装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。
【図５】前駆ガス及びそれによって生成される保護膜の種類を示した表である。
【符号の説明】
【００５１】
１０ チャンバー
１１ ガス流入口
１２ ガス排出口
１３ 上部電極
１４ 下部電極
２０ 第１マッチングネットワーク
２１ 第２マッチングネットワーク
３０ 第１高周波電源
３１ 第２高周波電源
４０ スイッチング部
５０ 制御部
６０ 半導体基板
７０ 物質膜
８０ フォトレジスト膜
９０ 保護膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のエッチング装置及び方法に関するもので、より詳細には、ウェハーなどの半導体素子のエッチング工程でフォトレジストの選択比を向上させることができる半導体素子のエッチング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体素子の素子寸法が漸次減少しており、これによって、微細構造をパターニングするためにフォトレジストが漸次薄くなりつつある。
【０００３】
これによって、薄いフォトレジストに対して高い選択比を持たせる工程が必要である。
【０００４】
特許文献１には、エッチング工程前にフォトレジスト上に保護膜を蒸着するステップを追加し、フルオロメチル（ＣＨ３Ｆ）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）などのＣｘＨｙ系エッチングガスを用いてフッ素化炭素保護膜を形成する技術が開示されている。
【０００５】
より詳細に説明すると、ウェハー上には、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの物質膜が形成されており、この物質膜上には、フォトレジスト膜がコーディング・現像されている。このとき、物質膜は、エッチング工程でエッチングされる。
【０００６】
エッチング工程では、フォトレジストの選択比が高いほど良い。このとき、フォトレジストの選択比は、エッチング対象物質のエッチング率を非エッチング対象物質のエッチング率で分けた値である。
【０００７】
従来技術においては、エッチングチャンバー内に導入されたウェハーを直ぐにエッチングせずに、フォトレジストを保護するためにフォトレジスト上にフッ素化炭素保護膜を追加するステップを先に進行し、フォトレジストのトップ及び側壁を追加的に保護した後、エッチング工程を進行する。
【０００８】
しかしながら、従来技術においては、フッ素が添加されることで、フッ素化炭素保護膜の多孔性が高くなり、保護強度が弱くなる。さらに、フッ素のエッチング効果によってフッ素化炭素保護膜のエッチング抵抗が減少し、フッ素化炭素保護膜とフォトレジストとの間の結合強度が相対的に弱くなる。
【０００９】
その結果、薄いフォトレジストに対して高いフォトレジスト選択比を持たせるのに限界があり、エッチング効率を向上させにくいという問題点がある。
【特許文献１】米国公開特許公報２００２／０１０２５００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述した問題点を解決するためのもので、その目的は、薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した目的を達成するための本発明の半導体素子のエッチング方法は、物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含むことを特徴とする。
【００１２】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、メタン（ＣＨ４）であることを特徴とする。
【００１３】
前記メタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００１４】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）であることを特徴とする。
【００１５】
前記ブタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００１６】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする。
【００１７】
前記リン酸トリブチルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００１８】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）であることを特徴とする。
【００１９】
前記クレゾールによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００２０】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする。
【００２１】
前記リン酸トリクレジルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする。
【００２２】
前記炭化水素膜を形成するために、前記チャンバー内に、３０〜２００ｍＴ範囲の圧力、５０〜１００ＳＣＣＭ範囲の前駆ガス、５０〜５００Ｗ範囲のソース電力、０〜５０Ｗ範囲のバイアス電力を提供することを特徴とする。
【００２３】
前記炭化水素膜は、前記フォトレジスト膜のトップに５０〜１００nmの厚さで形成し、 前記フォトレジスト膜の側壁に１０〜２０nmの厚さで形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、フッ素を含有しない前駆ガスを用いてフォトレジスト膜上に炭化水素膜やリンを含有した炭化水素膜などの保護膜を形成することで、漸次薄くなっているフォトレジストに対して高いフォトレジスト選択比を持つエッチング工程を進行することができ、エッチング効率を向上させることができる。
【００２５】
また、本発明によると、フォトレジスト膜のエッチング抵抗が低いので、他の設備でフォトレジスト膜の下部に非結晶性炭素膜やダイアモンド状炭素膜を追加的に形成する過程を省略することができ、全体的なエッチング工程速度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の好適な実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明が適用されるプラズマエッチング装置の概略的な構成図である。図１に示すように、本発明が適用されるプラズマエッチング装置は、所定の容積を有し、ガス流入口１１及びガス排出口１２が形成されたチャンバー１０を備えている。このチャンバー１０は接地されている。後述する前駆ガス及びエッチングガスは、ガス流入口１１を通してチャンバー１０の内部に流入し、チャンバー１０内のガスは、ガス排出口１２を通して外部に排出される。
【００２８】
このチャンバー１０内には、上部電極１３と下部電極１４が対向するように配置されている。上部電極１３及び下部電極１４は、それぞれ導電性材料からなり、平板形状を有している。下部電極１４は、ウェハーＷを固定する役割を兼ねている。このとき、ウェハーＷのエッチング対象膜質の構造は、多様な膜質が互いに異なるエッチング特性を有する多層構造であることが好ましく、エッチング対象膜質層のうち少なくとも２個の膜質層は、最適なエッチングのためのイオン密度及びイオンエネルギーのうち少なくとも一つが互いに異なることが好ましい。
【００２９】
上部電極１３及び下部電極１４は、それぞれマッチングネットワーク２０，２１を通して高周波電源３０，３１と接続されている。上部電極１３には、第１マッチングネットワーク２０を通して第１高周波電源３０が接続され、下部電極１４には、第２マッチングネットワーク２１を通して第２高周波電源３１が接続される。例えば、第１高周波電源３０は、上部電極１３に１００ＭＨｚの周波数を有する第１高周波電力（ソース電力）を印加し、第２高周波電源３１は、下部電極１４に第１高周波電力より低い２ＭＨｚの周波数を有する第２高周波電力（バイアス電力）を印加する。参考に、周波数は、プラズマのイオン密度と比例関係にあり、イオンエネルギーと反比例関係にあるので、周波数が高いほど、チャンバー１０内のプラズマのイオン密度が増加し、イオンエネルギーが減少する。その反対に、周波数が低いほど、チャンバー１０内のプラズマのイオン密度が減少し、イオンエネルギーが増加する。したがって、上部電極１３に相対的に高い周波数を印加することで、プラズマのイオン密度を高めることができ、下部電極１４に相対的に低い周波数を印加することで、チャンバー１０内のイオンエネルギーを高めることができる。
【００３０】
第１マッチングネットワーク２０は、第１高周波電源３０とチャンバー１０内のプラズマとの間のインピーダンスをマッチングさせる役割をする。また、第１マッチングネットワーク２０は、高周波ケーブルを通して第１高周波電源３０と接続されている。
【００３１】
第２マッチングネットワーク２１は、第１マッチングネットワーク２０と同様に、第２高周波電源３１とチャンバー１０内のプラズマとの間のインピーダンスをマッチングさせる役割をする。また、第２マッチングネットワーク２１は、高周波ケーブルを通して第２高周波電源３１と接続されている。
【００３２】
さらに、第１高周波電源３０及び第２高周波電源３１は、信号ケーブルを通してスイッチング部４０とそれぞれ接続されている。
【００３３】
スイッチング部４０は、第１高周波電源３０及び第２高周波電源３１を個別的にオンまたはオフにし、上部電極１３及び下部電極１４に高周波電力を印加する。その結果、チャンバー１０内のイオン密度及びイオンエネルギーが調節される。
【００３４】
制御部５０は、プラズマエッチング工程の各ステップ別に、スイッチング部４０を通して第１高周波電力ＲＦ１及び第２高周波電力ＲＦ２のうち少なくとも何れか一つが上部電極１３または下部電極１４に印加されるように制御する。
【００３５】
図２乃至図４は、本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。図２乃至図４に示すように、図２に示した半導体基板６０をチャンバー内に置く。酸化ケイ素などの物質膜７０は半導体基板６０上に形成され、フォトレジスト膜８０は物質膜７０上に形成される。
【００３６】
次いで、図３に示すように、チャンバー内に前駆ガスを注入し、フォトレジスト膜８０上にフォトレジスト選択比を高められる保護膜９０を形成する。この保護膜９０は、物質膜７０に対してエッチングするとき、フォトレジスト膜８０のエッチング耐性弱化を緩和するとともに、フォトレジスト膜８０と物質膜７０との間の結合強度を高めるために形成される。
【００３７】
保護膜９０としては、フッ素化炭素保護膜でない、フォトレジスト膜８０と同一の性質である炭化水素膜やリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が使用される。このために、前駆ガスとしては、フッ素を含有しない炭化水素ガスを使用する。上述したように、従来は、エッチング工程時にフォトレジスト選択比を高めるために、フルオロメチル（ＣＨ３Ｆ）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）などの高反応性のハロゲン元素であるフッ素を含有したエッチングガスを使用して保護膜９０を形成する。その結果、保護膜９０は、フッ素を含有するしかなく、これによって、保護膜９０の多孔性が高くなり、フッ素のエッチング効果によって保護膜９０のエッチング抵抗が減少する。したがって、本発明では、フッ素を含有しない炭化水素を用いることで、フォトレジスト膜８０の保護膜９０として炭化水素膜を形成する。また、リン（Ｐ）を含有した炭化水素膜を形成することもできるが、この場合、フォトレジスト膜８０と物質膜７０との間の結合強度を一層高めることができる。
【００３８】
図５に示すように、前駆ガスとしては、メタン（ＣＨ４）、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）、リン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）などが使用される。
【００３９】
前駆ガスとして使用されるメタン（ＣＨ４）は気体状態であり、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）及びリン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）は液体状態である。したがって、前駆ガスとしてブタン（Ｃ４Ｈ１０）、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）及びリン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）などの液体状態のガスが使用される場合、液体を気体化する装置を用いて液体状態のガスを気体化した後、これをチャンバー１０に注入する。
【００４０】
保護膜９０は、前駆ガスの種類によって、その膜質の元素構成及び元素間の結合性質が変わる。
【００４１】
前駆ガスとしてメタン（ＣＨ４）及びブタン（Ｃ４Ｈ１０）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成される。
【００４２】
また、前駆ガスとしてリン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素一重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成される。
【００４３】
また、前駆ガスとしてクレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成される。
【００４４】
また、前駆ガスとしてリン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）が使用される場合、フォトレジスト膜８０に炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成される。
【００４５】
本発明では、前駆ガスの種類を選択して炭素-炭素一重結合または炭素-炭素二重結合の炭化水素膜を形成することで、保護膜９０のエッチング抵抗を極大化することができる。さらに、リンを含有した前駆ガスを使用して、炭素と酸素に対するバインダーの役割をするリンを含有した炭化水素膜を形成することで、エッチング抵抗をさらに増加させ、全体的にフォトレジスト選択比を一層向上させることができる。
【００４６】
また、保護膜９０を形成することで、フォトレジスト膜８０のエッチング抵抗が減少するので、他の設備でフォトレジスト膜８０の下部に非結晶性炭素膜やダイアモンド状炭素膜を追加的に形成する過程を省略することができ、全体的なエッチング工程速度を高めることができる。
【００４７】
保護膜９０は、厚さが約２０〜１００nmで、フォトレジスト膜８０のトップに５０〜１００nmの厚さで形成し、フォトレジスト膜８０の側壁に１０〜２０nmの厚さで形成する。
【００４８】
保護膜９０を形成するために、チャンバー内の条件は、例えば、約３０〜２００ｍＴ範囲の圧力、５０〜１００ＳＣＣＭ範囲の前駆ガス、５０〜５００Ｗ範囲のソース電力、０〜５０Ｗ範囲のバイアス電力に設定される。このとき、フォトレジスト膜８０の損傷を最小化するために、バイアス電力なしにソース電力のみを印加することができる。
【００４９】
一方、図４に示したコンタクトホール１００を形成するために、チャンバー１０内にエッチングガスを注入し、保護膜９０、フォトレジスト膜８０及び物質膜７０をエッチングすることでエッチング工程を完了する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明が適用されるプラズマエッチング装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体素子のエッチング方法を説明するための断面図である。
【図５】前駆ガス及びそれによって生成される保護膜の種類を示した表である。
【符号の説明】
【００５１】
１０ チャンバー
１１ ガス流入口
１２ ガス排出口
１３ 上部電極
１４ 下部電極
２０ 第１マッチングネットワーク
２１ 第２マッチングネットワーク
３０ 第１高周波電源
３１ 第２高周波電源
４０ スイッチング部
５０ 制御部
６０ 半導体基板
７０ 物質膜
８０ フォトレジスト膜
９０ 保護膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、
前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、
前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のエッチング方法。
【請求項２】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、メタン（ＣＨ４）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項３】
前記メタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項４】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項５】
前記ブタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項６】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項７】
前記リン酸トリブチルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項８】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項９】
前記クレゾールによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１０】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１１】
前記リン酸トリクレジルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１２】
前記炭化水素膜を形成するために、前記チャンバー内に、３０〜２００ｍＴ範囲の圧力、５０〜１００ＳＣＣＭ範囲の前駆ガス、５０〜５００Ｗ範囲のソース電力、０〜５０Ｗ範囲のバイアス電力を提供することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１３】
前記炭化水素膜は、前記フォトレジスト膜のトップに５０〜１００nmの厚さで形成し、 前記フォトレジスト膜の側壁に１０〜２０nmの厚さで形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１４】
ガス流入口及びガス排出口を有するチャンバーと、
前記チャンバーにエッチングガスを流入するためのガス流入口と、
前記ガス排出口を通してガスを外部に排出するためのガス排出口と、
前記チャンバー内に設けられた第１及び第２電極と、
前記第１電極に接続された前記チャンバー内のプラズマの間のインピーダンスをマッチングさせる第１マッチングネットワーク、及び前記第２電極に接続された前記チャンバー内のプラズマの間のインピーダンスをマッチングさせる第２マッチングネットワークと、
第１高周波電力を前記第１電極に印加するための第１高周波電源、及び第２高周波電力を前記第２電極に印加するための第２高周波電源と、を含むことを特徴とする半導体素子のエッチング装置。
【請求項１５】
前記第１高周波電力は、１００ＭＨｚの周波数を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【請求項１６】
前記第２高周波電力は、２ＭＨｚの周波数を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【請求項１７】
前記第２高周波電力より高く位置する前記第１高周波電力は、前記第２高周波電力の周波数より高い周波数を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【請求項１８】
前記第１高周波電源と前記第２高周波電源をオン／オフにするためのスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【請求項１】
物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、
前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、
前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のエッチング方法。
【請求項２】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、メタン（ＣＨ４）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項３】
前記メタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項４】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項５】
前記ブタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項６】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリブチル（（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項７】
前記リン酸トリブチルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項８】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、クレゾール（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＯＨ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項９】
前記クレゾールによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１０】
前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリクレジル（（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｐ＝Ｏ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１１】
前記リン酸トリクレジルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン（Ｐ）を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１２】
前記炭化水素膜を形成するために、前記チャンバー内に、３０〜２００ｍＴ範囲の圧力、５０〜１００ＳＣＣＭ範囲の前駆ガス、５０〜５００Ｗ範囲のソース電力、０〜５０Ｗ範囲のバイアス電力を提供することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１３】
前記炭化水素膜は、前記フォトレジスト膜のトップに５０〜１００nmの厚さで形成し、 前記フォトレジスト膜の側壁に１０〜２０nmの厚さで形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のエッチング方法。
【請求項１４】
ガス流入口及びガス排出口を有するチャンバーと、
前記チャンバーにエッチングガスを流入するためのガス流入口と、
前記ガス排出口を通してガスを外部に排出するためのガス排出口と、
前記チャンバー内に設けられた第１及び第２電極と、
前記第１電極に接続された前記チャンバー内のプラズマの間のインピーダンスをマッチングさせる第１マッチングネットワーク、及び前記第２電極に接続された前記チャンバー内のプラズマの間のインピーダンスをマッチングさせる第２マッチングネットワークと、
第１高周波電力を前記第１電極に印加するための第１高周波電源、及び第２高周波電力を前記第２電極に印加するための第２高周波電源と、を含むことを特徴とする半導体素子のエッチング装置。
【請求項１５】
前記第１高周波電力は、１００ＭＨｚの周波数を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【請求項１６】
前記第２高周波電力は、２ＭＨｚの周波数を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【請求項１７】
前記第２高周波電力より高く位置する前記第１高周波電力は、前記第２高周波電力の周波数より高い周波数を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【請求項１８】
前記第１高周波電源と前記第２高周波電源をオン／オフにするためのスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子のエッチング装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２５８６２４（Ｐ２００８−２５８６２４Ａ）
【公開日】平成２０年１０月２３日（２００８．１０．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９２２５５（Ｐ２００８−９２２５５）
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月２３日（２００８．１０．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
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