【課題】耐クラック性に優れ、しかもＭＥＭＳ等の深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、保護膜の粘着性を抑えた基板表面保護膜用組成物及びそれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】環球法で測定した軟化点が１４０℃以上であるフェノール樹脂と、Ｔｇが７０℃以下である熱可塑性樹脂と、有機溶媒とを含有し、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有質量比が１００：４０〜１００：３００であって、２５℃における粘度が４〜１００００ｍＰａ・ｓである基板表面保護膜用組成物、及び、それを用いて微細加工された凹凸を有する基板表面を被覆保護し、次に、その裏面を加工する工程を含む基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バリア性の高い保護層を有する積層構造、有機半導体素子、配線および表示装置、並びに有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導体または半導体を含む有機層と、絶縁材料により構成され、前記有機層を覆う保護層と、外周が前記絶縁材料と親和性を有する親和層に覆われ、前記保護層に分散された複数の粒体とを備えた積層構造。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】 本発明に係る保護膜形成用フィルムは、エネルギー線重合性化合物（Ａ）およびゲッタリング剤（Ｂ）を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくい絶縁膜を形成し得る重合体を含む膜形成用組成物、前記絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置、さらには前記重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する化合物Ｃを含む重合性化合物を重合することにより得られる、分散比が１．０以上２．５以下の重合体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを含む半導体絶縁膜用組成物と、それを用いた薄膜の製造方法、及びそれによって有機溶媒に耐性を示す絶縁膜を提供する。
【解決手段】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンに、ビニルモノマーおよび重合開始剤を加えて半導体絶縁膜用組成物とし、スピンコート法などで塗布した後、加熱または紫外線照射によってビニル基のラジカル重合を行ない、続いてアルコキシ基の縮合重合により複合的に硬化させてシリコーン系絶縁膜（ＰＳＱ膜）を製造する。 （もっと読む）

【課題】樹脂部材がＰＥＣＶＤによってダメージを受けないよう、耐プラズマ性を向上させた部材を提供し、またそれを用いたガスバリア部材等を提供する。
【解決手段】一般式（１）の環状シロキサン化合物
【化１】


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、炭素数１〜２０の炭化水素基等、ｍは１〜３の整数、ｎは０〜２の整数、ｍ＋ｎは３以下の整数。ｘは１以上の整数、ｙ及びｚは０以上の整数、ｘ＋ｙ＋ｚは３以上の整数。）を重縮合または重付加してポリ環状シロキサンを製造し、それを封止材としたり、また樹脂部材に塗布して耐プラズマ性を付与し、ＰＥＣＶＤによりガスバリア層を成膜したガスバリア性樹脂部材とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

【課題】 結晶系半導体基板のエッチング工程における保護膜の形成と剥離を簡略化し、生産性を向上させることができる表面保護部材を提供する。
【解決手段】 結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 （もっと読む）

【課題】
硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。
【解決手段】
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ^１（ＯＣＨ_２ＣＨＣＨ_３）_ｎＯＣＯＣＨ_３（Ｒ^１は炭素数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸とを含む被膜形成用塗布液を用いる。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および薬液耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１、下記一般式（２）で表される化合物２、および加水分解性ポリカルボシランを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ・・・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜２のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示し、ａは１〜２の整数を示し、Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示す。）
Ｒ^２_ｂ（Ｒ^３Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^６）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｃＲ^５_ｃ・・・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６はフェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を示し、ｄは０または１を示す。） （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構４０は、原料貯留容器２０を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器２０を密閉状態とし、原料貯留容器２０内の真空圧により、原料貯留容器２０内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ２内に被処理基板Ｗを収容させた状態で、チャンバ２を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ２内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ２３を開成し、原料貯留容器２０から処理ガスをチャンバ２に流入させ、チャンバ２内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ２３を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの加工の際に、ウエーハ保持面を保護する保護膜特性が優れており、とくに使用後、不要になった保護膜を特定のウエーハ洗浄液を使用することなく、容易に剥離して除去できる保護膜が得られる保護膜形成用組成物および該保護膜を環境負荷が伴わず剥離除去できる剥離方法を提供すること。
【解決手段】少なくともポリビニルブチラール樹脂（ａ）と、ポリビニルアセトアセタール樹脂（ｂ）とを含有する被膜形成材料（Ａ）と、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）とを有機溶媒中に含有することを特徴とする保護膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 第一に、低温での焼成が可能であり、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜を形成するための絶縁性インキ組成物を提供する。第二に、該インキ組成物から形成される絶縁性膜を提供する。更に第三に、該インキ組成物を用いた柔軟性基材上に絶縁膜を設けた電子素子を提供する。
【解決手段】 第一に、有機溶剤、固形多官能型変性エポキシ樹脂、及び架橋剤を必須成分として含有することを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。特に、前記固形多官能型変性エポキシ樹脂をインキ組成物中の全固形成分に対し７０％以上含有する絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。第二に、前記絶縁膜形成用インキ組成物より形成される絶縁膜、第三に、前記した絶縁膜をゲート絶縁膜としての構成部材とする有機トランジスタ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。
【解決手段】 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】一つのマスク工程にパターンの違う二つの絶縁膜を形成する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重絶縁膜が備えられた半導体装置において、前記絶縁膜は第1パターンの第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と異なるパターンおよび他の材料で前記第1絶縁膜上に備えられ、感光物質を含む第2絶縁膜を含み、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜が重畳される第1領域、前記第1絶縁膜が形成される第2領域、および絶縁膜が存在しない第3領域を含む。 （もっと読む）

【課題】ボラジン化合物を製造する際の当該化合物への塩素イオンの混入を効果的に抑制しうる手段を提供する。
【解決手段】ボラジン化合物を準備するボラジン化合物準備段階と、準備された前記ボラジン化合物を、塩素イオン濃度１００ｎｇ／ｍ^３以下の雰囲気条件下にて濾過する濾過段階と、を有する精製ボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 新規なペルフルオロアルキレンオキシ基が置換されたフェニルエチルシラン化合物を提供する。
【解決手段】化学式１で表示される本発明のペルフルオロアルキレンオキシ基が置換されたフェニルエチルシラン化合物において、上記ペルフルオロアルキレンオキシ基は、熱架橋によって膜（film）を形成する時に必ず必要な作用基であるから、構造式内にペルフルオロアルキレンオキシ基が１つ以上置換されている。すなわち、上記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも１つ以上がフッ素原子である。
（化学式１）
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【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）