【課題】反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】エッチング対象層１６１と、このエッチング対象層１６１を覆う有機反射防止層１６２と、有機反射防止層１６２を覆う開口パターン１６３ａが形成されたＡｒＦフォトレジスト層１６３とを有する被処理体Ｗを処理容器内に配置する工程と、この処理容器内にエッチングガスとしてＨ_２を導入する工程と、このエッチングガスをプラズマ化し、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の開口パターン１６３ａを通して有機反射防止層１６２をエッチングしつつ、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の表面にＳｉ−ＣやＳｉ−Ｏ等を含む耐プラズマ性の高い保護層１６３ｂを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】２０以上の高アスペクト比を有する貫通孔や穴形状を形成することができるとともに、ボーイング形状を抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】少なくともＣ₄Ｆ₆ガスとＣ₆Ｆ₆ガスとを含み、Ｃ₄Ｆ₆ガスのＣ₆Ｆ₆ガスに対する流量比（Ｃ₄Ｆ₆ガス流量／Ｃ₆Ｆ₆ガス流量）が２〜１１である処理ガスをプラズマ化し、アモルファスカーボン層１０５をマスクとして酸化シリコン層１０４をプラズマエッチングし、開口幅に対する深さの比が２０以上の穴形状１１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】幅広のパターンと露光技術の解像度の限界以上の超微細パターンとを同時に形成する。
【解決手段】基板Ｗ上に第１のシリコン含有膜３と有機材料膜４と第２のシリコン含有膜５と、細幅と太幅のパターンを有する第１のマスク６ａ、６ｂとを順次形成し、第１のマスク６ａ、６ｂを用いて第２のシリコン含有膜５を細幅と太幅にパターニングし、第１のマスク６ａ、６ｂを除去するとともに有機材料膜４を細幅と太幅にパターニングし、第２のシリコン含有膜５と有機材料膜４と被覆して第３のシリコン含有膜７を形成し、第３のシリコン含有膜７を加工して第２のシリコン含有膜５及び有機材料膜４の側面に側壁を形成し、第２のシリコン含有膜５と該側壁を選択的に被覆する有機材料の第２のマスク８を形成し、第２のマスク８を用いて細幅にパターニングされた第２のシリコン含有膜５を除去し、細幅にパターニングされた有機材料膜４と第２のマスク８を除去する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりや信頼性を損なうことなく微細なコンタクトホールを形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に第１の窒化膜２４、第１の酸化膜２６、第２の窒化膜２８を順次形成する工程と、第２の窒化膜上にフォトレジスト膜３４を形成する工程と、フォトレジスト膜に開口部３６を形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクとして、第２の窒化膜２８をエッチングし、開口部を第１の酸化膜まで到達させる第１のエッチング工程と、第２の窒化膜をマスクとして、第１の酸化膜をエッチングし、開口部を第１の窒化膜まで到達させる第２のエッチング工程と、開口部の底部の径ｄ_２を広げるとともに、第１の窒化膜を途中までエッチングする第３のエッチング工程と、第１の窒化膜を更にエッチングし、半導体基板に達するコンタクトホール３８を形成する第４のエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】有機反射防止膜のエッチングの際にエッチングバリアとして用いられる感光膜パターンの歪み又は損失を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】被エッチング層上に有機反射防止膜を形成するステップと、該有機反射防止膜上に感光膜パターンを形成するステップと、硫黄が含有されたガスを用いて、前記有機反射防止膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

フッ素元素およびフッ化カルボニルは微小電気機械デバイス（「ＭＥＭＳ」）を生産するための適切なエッチャントである。これらは好ましくは、窒素およびアルゴンとの混合物として適用される。ボッシュタイプのプロセスで適用される場合、Ｃ_４Ｆ_６がきわめて適切な不動態化ガスである。 （もっと読む）

【課題】９０℃以下の低温のもと基板上のレジストを面均一に除去する。
【解決手段】シャワーヘッド１２は基板１６の温度が９０℃以下となるように基板１６が格納された反応系の内圧が大気圧よりも低圧に制御されたもとでオゾンガスと不飽和炭化水素ガスを基板１６に供給して基板１６上のレジスト１７を除去する。シャワーヘッド１２は、オゾンガスを流通させる空間４１と、不飽和炭化水素ガスを流通させる空間４２と、空間４１内のオゾンガスと空間４２内の不飽和炭化水素ガスを個別に基板の表面に散気させる散気板３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された金属材料層をエッチングすることにより、基板全体に亘って、望ましいプロファイルと均一な限界寸法（ＣＤ）でもってフィーチャーを形成するための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、基板上に配置された材料層をエッチングするための方法は、その上に金属層を有する基板をエッチリアクタ内に設置し、少なくとも塩素含有ガスと不動態化ガスを含有するガス混合物をリアクタに流すことを含み、不動態化ガスは窒素ガスと不飽和炭化水素ガスを含み、窒素ガスと不飽和炭化水素ガスは、ガス流量比約１：３〜約２０：１を有しており、本方法は、ガス混合物から形成したプラズマを用いて金属層をエッチングすることを更に含む。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対するストップ層の選択比を大きくすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｃ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１とストップ層４２とを備え、該ストップ層４２は低誘電率層間絶縁膜４１に形成されたビアホール４６の底部において露出するウエハＷに施される半導体デバイス製造処理において、ＣＦ_４ガス及びＣＨ_２Ｆ_２ガスから生じたプラズマに低誘電率層間絶縁膜４１及びストップ層４２を晒して該ストップ層４２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高アスペクト比のコンタクト開口部を形成するエッチング方法を提供する。
【解決手段】各コンタクト開口部の側壁上に導電性の高い薄膜を形成することでエッチプロファイルの湾曲又は屈曲を防止しながら高アスペクト比のコンタクト開口部をエッチングする。側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の製造方法において、撮像領域では、遮光膜をプラズマダメージを光電変換素子に与えることなく異方性エッチングにより加工し、撮像領域の周辺に位置する周辺駆動配線領域では、遮光膜を配線間の短絡が生じないよう等方性エッチングにより加工することができ、しかも、撮像領域と周辺駆動配線領域とでエッチングを異方性から等方性に切り替えることによる工程増加を回避する。
【解決手段】固体撮像装置の製造方法において、撮像領域１００ａおよび周辺駆動配線領域１００ｂ上に形成した遮光膜１６を加工する際、最初のエッチングステップではバイアスパワーをコントロールして撮像領域の遮光膜の異方性エッチングにより必要な遮光膜開口を形成し、次のエッチングステップではバイアスパワーを１Ｗにすることで等方性エッチングを行い、周辺駆動配線領域の側壁部のエッチング残渣を除去する。 （もっと読む）

【課題】同一の反応室で複数の工程をＳＭＡＰ構造を有する基板に連続して行う場合に、下層の有機材料膜に肩やられやサイドエッチを発生させることなく安定した一括加工を実現する。
【解決手段】フルオロカーボン系の第１のガスを一括加工処理用製造装置３の反応室１１へ供給しつつ複数の高周波電力を基板載置台１３に印加して被処理基板Ｓ５に第１のドライエッチング処理を行い、その後、第２のガスを供給しつつ上記複数の高周波電力のうち少なくとも一つの高周波電力の基板載置台１３への印加を停止して被処理基板Ｓ５に生成する自己バイアス電圧を弱めて反応室１１内のフルオロカーボン系の堆積物を除去するとともに被処理基板Ｓ５に第２のドライエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチの底部や側面に残渣が付着するのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成されたＣ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１と、エッチングストップ層４２と、銅配線４３と、メタルハードマスク４５とを有する半導体デバイス４０に施されるエッチングストップ層除去処理において、低誘電率層間絶縁膜４１と銅配線４３及び／又はメタルハードマスク４５とが、ＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスを含む処理ガスから生じたプラズマへ同時に晒される際、当該処理ガスにおけるＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスの流量比はＣＦ_４ガス：Ｎ_２ガス＝１：Ｘ（但し、Ｘ≧７）で示される。 （もっと読む）

【課題】対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。
【解決手段】フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。また、酸素放電による結晶回復、結晶欠陥除去を実施することで光散乱を抑制することができ、光閉じ込めが実現できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチングレートを大きくし、選択比を高める。
【解決手段】供給源１３からのＣＦ_４（ハロゲン系ガス）に加湿器１５で水分を含ませ、大気圧プラズマ生成部１０の一対の電極１１間に導入してプラズマ化する。オゾン生成部２０でオゾンを生成する。ノズル３０には、プラズマ生成部に連なるプラズマガス路３１と、オゾン生成部２０に連なるオゾンガス路３２とを形成する。これらガス路３１，３２の合流部３３に吹出し路３４を連ね、その先端開口３４ａを被処理物９０と対向させる。合流部３３から被処理物９０までの距離を、１５ｍｍ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシンパターンを成すコンタクトホールとトレンチとの境界部分に存在するホーン(horn)を効果的に除去方法の提供。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜２１８を形成し、前記絶縁膜にコンタクトホール２２１を形成する。前記絶縁膜の上部および前記コンタクトホールの内部に保護膜２２２を形成する。ハードマスクパターンを前記保護膜上に形成し、ハードマスクパターン２２４をマスクとした第１エッチング工程によって前記保護膜の一部および前記絶縁膜の一部をエッチングして第１トレンチ２２５ａを形成する。前記ハードマスクパターンをマスクとした第２エッチング工程によって、前記コンタクトホールの内部に充填された前記保護膜をエッチングする。前記ハードマスクパターンをマスクとした第３エッチング工程によって前記絶縁膜の一部をエッチングして第２トレンチ２２５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンとシリコン窒化物とを有する被処理物においてシリコンを選択的にエッチングする。
【解決手段】酸化性エッチャント生成部２０でオゾン等の酸化性反応ガスを生成する。フッ素含有ガスのＣＨ_４と水分とアンモニア含有ガス又は窒素ガスとを混合し、フッ素系エッチャント生成部３０の電極間３１ａにおいて大気圧近傍下でプラズマ化し、ＨＦ等のフッ素系反応ガスとフッ化アンモニウムを含むフッ素系エッチャントを生成する。酸化性エッチャントとフッ化系エッチャントとを混合し、被処理物９０に供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や表示装置などの製造工程における凹凸を有する被加工基板表面に設けた平坦化膜の平坦化方法において、高価な装置を用いずに簡便な方法で薄い平坦化膜でも高い平坦度を得ることができる平坦化方法を提供する。
【解決手段】表面に有機材料よりなる平坦化膜を設けた凹凸を有する被加工物の平坦化方法であって、光透過性基板の一方の主面上に光触媒層を有する平坦なテンプレートを形成する工程と、該テンプレートの前記光触媒層と前記被加工物の前記平坦化膜とを密着させながら、前記光透過性基板の他方の主面側より紫外線または可視光を照射する工程と、前記光触媒層に光触媒反応による活性種を生成させ、該活性種により前記平坦化膜表面の凸部を優先的に除去して前記平坦化膜を平坦化する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リセスゲート工程中にリセス領域のエッチング工程で尖状のホーン（Ｈｏｒｎ）が発生することを抑制できる半導体装置のリセスゲート製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板２１をエッチングし、活性領域を画定するトレンチ２２を形成するステップと、該トレンチをギャップフィルする素子分離膜２３を形成するステップと、前記活性領域のチャネル予定領域を開口させ、酸化膜と非晶質カーボン膜とが積層されたハードマスク膜を前記シリコン基板上に形成するステップと、前記ハードマスク膜をエッチング障壁（エッチングマスク）として前記チャネル予定領域を１次エッチングおよび２次エッチング（前記２次エッチングは前記非晶質カーボン膜を取除いた後に行う）の順序でエッチングし、デュアルプロファイルを有するリセス領域１００を形成するステップとを含む。 （もっと読む）