【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク層又は中間層に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２、フォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３は、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷにおいて、ＣＨＦ_３ガスとＣＦ_３Ｉガスとの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５３の開口部５４の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップと、開口部５４の底部のＳｉ−ＡＲＣ膜５２をエッチングするエッチングステップを１ステップとして行う。 （もっと読む）

【課題】トレンチ開口部に傾斜面を形成し、耐圧低下を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】本発明にかかる製造方法は、半導体基板１０にトレンチ２１を形成する工程と、絶縁膜２３をトレンチ２１に堆積させる工程と、プラズマエッチングによりトレンチ２１底部の絶縁膜２３をエッチングするとともに、トレンチ開口部２１ａに半導体基板主面１０ａに対して傾斜角αをなす傾斜面２５を同時に形成する工程と、半導体基板１０の上面からトレンチ２１底部の絶縁膜２３に亘って半導体基板１０及びトレンチ２１を被覆するゲート絶縁膜２４を形成する工程と、ゲート絶縁膜２４上にゲート電極２２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ホールの上面形状を整えて線条痕をなくすと共に、ボトム形状に歪みがなく、しかもボーイング形状の発生を防止して良好な垂直加工形状のホールを処理対象層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスとしてＣＦ_４ガス、ＣＨＦ_３ガス及びＣ_４Ｆ_８ガスを含有する混合ガスを用い、処理圧力１００ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０Ｐａ）〜１５０ｍＴｏｒｒ（２．０×１０Ｐａ）で中間層としてのＢＡＲＣ膜５３をエッチングし、次いで、処理ガスとしてＣＯＳガス含有ガスを用いて下層レジスト層としてのＡＣＬ５２をエッチングし、その後、処理ガスとしてＣ_６Ｆ_６ガス含有ガスを用いて処理対象層としての酸化膜５１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理装置では、被処理体周辺部からのみ排気を行っているため、プラズマ処理に寄与する活性種や副生成ガスの面内分布が必ずしも均一にはならない。
【解決手段】被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。また、被処理体対向面にガス吸入口を設けることでも、処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】酸素及び／又は窒素を含有し、遷移金属を含有してもよい単層又は多層の第１のケイ素系材料層と、第１のケイ素系材料層に隣接して形成され、遷移金属を含有してもよく、第１のケイ素系材料層より窒素及び酸素の合計の含有率が小さいケイ素系材料層からなる単層又は多層の第２のケイ素系材料層とからなる積層体から、第１のケイ素系材料層のエッチング速度に対する第２のケイ素系材料層のエッチング速度が大きくなるように塩素系ガスと酸素ガスとの比率を設定して、塩素系ドライエッチングにより、第２のケイ素系材料層を選択エッチング除去する。
【効果】エッチングストッパー膜を用いなくとも、同種のケイ素系材料の積層体、例えば、位相シフト膜であるケイ素系材料の遮光膜を、ケイ素系材料の位相シフト膜上に積層したものを用いても、位相シフト膜にダメージを与えることなく、遮光膜に対する高精度なエッチング加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一の処理室で、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板の界面の酸素を確実に除去する。
【解決手段】ＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、シリコン基板５の酸化表面にＮＨｘＦｙを作用させることで（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を生成し、シリコン基板５を所定温度に制御することにより（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を昇華させてシリコン基板５の表面の酸化膜を除去し、続けてＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、温度が維持された状態でシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させてシリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に位相シフト膜が形成され、更に位相シフト膜上に遮光膜が形成され、位相シフト膜及び遮光膜が各々ケイ素系材料層を有し、位相シフト膜のケイ素系材料層と遮光膜のケイ素系材料層とが互いに隣接し、位相シフト膜中のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率と、遮光膜のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率との差を有するフォトマスクブランクから、塩素系ガスと酸素ガスとの比率が設定された塩素系ドライエッチングにより、遮光膜のケイ素系材料層を選択エッチング除去する工程を含むフォトマスクの製造方法。
【効果】エッチングストッパー膜を用いなくとも、位相シフト膜と同種の材料であるケイ素系材料の遮光膜を、ケイ素系材料の位相シフト膜上に積層したものを用いても、位相シフト膜にダメージを与えることなく、遮光膜に対する高精度なエッチング加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。
【解決手段】コンタクトホール形成方法は、第１レジストパターンをマスクとして、第２材料を含んでなる第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、第１材料を含んでなる第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、第２レジストパターンをマスクとして、第４材料を含んでなる第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３材料を含んでなる第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備える。第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法による解像限界以下の溝（トレンチ）及び凹部（孔又はビア）のパターンをＣＤ値を高精度に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に、第１のハードマスク膜と、第２のハードマスク膜とを成膜する成膜工程Ｓ１１と、第１のピッチを有し、第２のハードマスク膜よりなるパターンであって、溝のパターンを形成する際のエッチングマスクとなる溝形成用マスクパターンを形成するための第１の溝形成用マスクパターン形成工程Ｓ１２〜Ｓ１４と、第４のピッチで設けられた開口部を有する第２のレジスト膜と、第２のレジスト膜の開口部と連通し、第２のレジスト膜の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を有する第１の有機膜とよりなる第２レジストパターンを用いて、第１のハードマスク膜をエッチングする第１の凹部形成用マスクパターン形成工程Ｓ１５〜Ｓ１８とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＣＰやＣＭＰ等の研磨工程や再度のエピタキシャル工程を経ることなく、精度良く炭化珪素層主表面の平坦化を行うことのできる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素層２の主表面２ａより表面粗さの小さい平坦化膜６を炭化珪素層２の主表面２ａを覆うように形成した後、活性化アニールを行う。その後、炭化珪素層２と平坦化膜６のエッチング速度がほぼ同一となるエッチング条件で、炭化珪素層２と平坦化膜６とを同時にエッチングし、最終的に平坦化膜６を完全に除去することによって、炭化珪素層２の主表面２ａを精度よく平坦化することができる。 （もっと読む）

基板から有機材料を除去するための基板工程のプラズマ灰化方法は、フォトレジスト、埋没したフォトレジスト、高分子及び／又は残留物を基板から選択的に除去するために基板にプラズマをさらす工程を一般的に含み、上記プラズマは酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスのプラズマから算出される活性窒素及び活性酸素の比率よりも大きい活性窒素及び活性酸素の比率からなる。上記プラズマは基板酸化及びドーパント漂白を最小限にする及び／又は妨げるが、高い処理能力を示す。プラズマ装置についても同様に記載されている。
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【課題】光電変換素子の面積を平面的に拡大したり不純物濃度を高めたりしなくても、飽和信号電荷量を増加させる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板２１と、半導体基板２１に二次元的に配列された複数の画素とを備え、画素の光電変換素子となるフォトダイオード２２は、Ｐ型不純物領域（２５，２６）と、Ｎ型不純物領域（２７，２８）とを有し、これらの高濃度不純物領域（２６，２８）同士が接するＰＮ接合部２９が、半導体基板２１の表面側に凸の形状で形成されている。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の形成時に生じるマイクロトレンチを安定して抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体各層２〜１０を積層した後、ＩＣＰエッチング装置を用いたドライエッチングにより、凸状のリッジ部１１を形成する。この際、エッチングガスとして、塩素ガス、アルゴンガスおよび窒素ガスからなる混合ガスを使用する。この混合ガスは、総エッチングガス流量に対して、塩素ガスの流量比を６０％以上８０％以下とし、アルゴンガスの流量比を５％以上２０％以下とし、窒素ガスの流量比を５％以上２０％以下とする。また、リッジ部１１の形成時にｎ型ＧａＮ基板１（被エッチング試料２００）にかかる自己バイアス電圧が５００Ｖ以上となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】低コストで（どのようなワークの形状にも対応でき）、かつ、被処理物に対して所望の加工（表面加工）を高精度に行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、対向配置された一対の電極２１、２２と、被処理面１０１を有するワーク１０を載置する載置面８１を備える載置部８と、一対の電極２１、２２間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、一対の電極２１、２２間へ通電する通電手段と、一対の電極２１、２２間に供給され、通電手段による一対の電極２１、２２間への通電により発生する放電により活性化した処理ガスを吸引する処理ガス吸引手段とを有し、処理ガス吸引手段は、活性化した処理ガスが、被処理面１０１の縁部を通過するような処理ガスの流れを形成するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対して、高選択比にシリコン窒化膜をエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いて、シリコン窒化膜５の上に設けられた層間絶縁膜６をドライエッチングする第一の工程と、第一の工程に引き続き、酸化性ガスを供給してプラズマを発生させて、サイドウォール４の上に設けられたシリコン窒化膜５をドライエッチングする第二の工程と、を含み、第二の工程は、フルオロカーボンガスを供給しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。
【解決手段】導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】堆積性を有するエッチングガス（例えばフルオロカーボン系ガス）を含む処理ガスにＳＦ_６ガスを添加ガスとして加えて処理室１０２内に導入してプラズマを形成し，その際に添加ガスの流量を調整することによって，ウエハＷ上に堆積する堆積物の膜厚を制御するとともに，堆積物の硬さを制御しながら，被エッチング膜のエッチングを進行させる。 （もっと読む）

本明細書では、シリコン及び窒素を含む誘電体層をエッチングする方法が提供される。いくつかの実施形態では、このような方法は、シリコン及び窒素を含む誘電体層がその上に配置された基板を用意すること、リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびにそれらの反応性種を使用して誘電体層をエッチングすることを含むことができる。いくつかの実施形態では、誘電体層に隣接して酸化物層が配置されている。いくつかの実施形態では、酸化物層及び基板のうちの少なくとも一方に対する誘電体層のエッチング選択性が約０．８から約４になるように、プロセスガスの流量比を調整することができる。
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