【課題】レジスト膜の形状に関係なく凸部のテーパ形状を制御できるエッチング方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、凸部２１ａを有するサファイア基板２１の上に半導体層２２，２３，２４を設けて成る半導体発光素子に用いられる前記サファイア基板上に、エッチングにより前記凸部２１ａを形成する方法である。本発明では、表面にレジスト膜が形成されたサファイア基板２１を、エッチングガスに炭素系ガスを添加した混合ガスをプラズマ状態に励起してエッチングすると共に、前記炭素系ガスの流量を調整することで前記凸部２１ａのテーパ形状を調整する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れたパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工膜上の第１の領域に第１のパターン被覆率である第１のパターンを形成する工程と、第１の領域とは異なる被加工膜上の第２の領域に第２のパターン被覆率である第２のパターンを形成する工程と、を含む。第２のパターンを形成する工程は、ブロックコポリマー含有膜またはポリマー混合膜からなる第２の膜を被加工膜上に形成する工程と、第２の膜を自己組織化する工程と、自己組織化された第２の膜に含有される複数種のポリマーを、少なくとも１種類のポリマーを残すように選択的に除去することにより、第２のパターン被覆率を第１のパターン被覆率に近づけるように第２のパターンを第２の領域に形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガス。ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２の含有率は、流量比５〜１００％であることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】
ワークピースの表面から、フォトレジストをストリッピングし、イオン注入処理に関連する残留物を除去する方法を改善する。さまざまな実施形態によると、水素原子、フッ素含有ガスおよび保護用のガスを利用してプラズマを生成する。プラズマで活性化されたガスは、高ドーズ注入処理されたレジストと反応して、クラスト層およびバルクレジスト層の両方を除去すると同時に、ワークピース表面の露出部分を保護する。シリコン損失を低く抑えつつ、ワークピース表面の残留物を略無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】磁性物質又は相変化物質を含む半導体素子のパターン構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、磁性物質又は少なくとも３つの元素を含む合金からなった相変化物質のいずれか一つの物質を含むエッチング対象膜を形成する段階と、少なくともアンモニア（ＮＨ_３）ガスを含むエッチングガスを使って前記エッチング対象膜をプラズマ反応性エッチングすることによってパターン構造物を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０内に対向して配置される上部電極３４および下部電極１６との間に処理ガスのプラズマを形成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極３４に高周波電力を供給してプラズマを形成するための高周波電源４８と、上部電極３４に直流電圧を印加する可変直流電源５０と、高周波電源４８および可変直流電源５０を制御する制御部９５とを具備し、制御部９５は、高周波電源４８からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源５０からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 溝内に形成されたコンフォーマルライナの余剰部分を実質的に除去しながら前記溝内のバルク充填材料への損傷を最小限に抑制するライナ除去方法が記載されている。
【解決手段】 本発明の実施例によるライナ除去方法は、基板内に溝を形成する工程、前記溝内部にコンフォーマルなライナを堆積する工程、前記溝をバルク充填材料で充填する工程；及び、前記バルク充填材料の露出表面上への保護層の形成及び前記コンフォーマルなライナのエッチングを交互に実行することによって前記コンフォーマルなライナの余剰部分を選択的に除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 処理対象物Ｓをシリコン酸化層とシリコン層とが積層されたものとし、この処理対象物を、処理室１内に設けられバイアス電圧を印加し得るステージ１０上に配置し、この処理室内にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを導入してプラズマ雰囲気を形成すると共に処理対象物に所定値のバイアス電圧を印加し、シリコン層をエッチングする。シリコン層のエッチングが進行してシリコン酸化物層が露出するまでに、バイアス電圧を所定値以下に低下させるか、または、バイアス電圧の印加を停止する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンに形成でき、エッチング選択比が高く、かつ高いアスペクト比でパターニングできるドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】このドライエッチング方法は、基板１と、基板１上に積層され、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、及びＳｉ_３Ｎ_４からなる群から選ばれた少なくとも１つのエッチング材料を含有するエッチング層２と、エッチング層２上に積層され、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ｔｅ、及びＷからなる金属群、並びに該金属群から選ばれた金属の合金からなる群から選ばれた少なくとも１種を含有するレジスト材料を含有するレジスト層３と、を備えた積層体に対するドライエッチング方法であって、ＣｘＦｙ（ｘは２〜４、ｙは２ｘ）、及びＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２からなる群より選ばれた少なくとも１種を含有するとともに、エッチングガス全体のＦのＣに対するモル比Ｆ／Ｃが重量比で３以下であるエッチングガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの少なくとも１つの表面において縁側の定義された区間からそのコーティングを乾式エッチング方法において取り除き、したがって例えば半導体円板において少なくとも１つの表面において定義された幅の縁側のリング範囲をエッチング除去する可能性を提供する。
【解決手段】 本発明は、コーティングされたウエーハ（半導体円板）の表面の縁に近い定義された区間を乾式エッチングする装置及び方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置の信頼性向上を図る。
【解決手段】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＬａとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ａを形成し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＡｌとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ｂを形成する。それから、金属膜７とシリコン膜８を形成し、これらをドライエッチングでパターニングしてゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２を形成する。その後、ゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２で覆われない部分のＨｆ含有絶縁膜４ａ，４ｂをウェットエッチングで除去するが、この際、フッ酸を含有しない酸性溶液でのウェット処理とアルカリ性溶液でのウェット処理とを行ってから、フッ酸を含有する酸性溶液でのウェット処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ロット内の加工精度の経時変化を抑制するためには、ロット処理前にヒーティング処理を実施しなければならず、スループットを低下させる問題があった。
【解決手段】プラズマエッチング装置の試料載置電極のヒータ３０１への印加電圧、及び流入電流値を演算してヒータ用電源を制御し、ウエハ、及び試料載置電極の温度を制御する制御器を用いて、ロット内のウエハ毎にヒータにより載置電極温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】光の波長以下の微細加工における深さ制御を高い精度で行うことが可能なエッチング方法と、これを利用したナノインプリント用モールドの製造方法と検査方法およびエッチング装置を提供する。
【解決手段】 開口部（３）を有するエッチングマスク（２）を介して基材（１）をエッチングする際に、予めエッチングによるエッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）と基材１のエッチング深さｄとの関係式を設定し、エッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）を測定することにより上記関係式から対応するエッチング深さｄを算出して、エッチングの制御を行うこととする。 （もっと読む）

【課題】
エッチングフェンスを発生させずに集積回路装置を製造すること。
【解決手段】 第１のマスクと、前記第１のマスクより異方性エッチングに対する耐性が高く且つ所定の形状を有する第２のマスクとを積層したエッチングマスクを、被エッチング層の上に形成する第１の工程と、前記エッチングマスク及び前記被エッチング層に前記異方性エッチングを施して、前記被エッチング層を、前記第２のマスクに対応した形状にエッチングする第２の工程とを有し、前記第２の工程において、前記異方性エッチングにより前記第２のマスクを、垂直方向及び水平方向にエッチングしながら、前記被エッチング層をエッチングすること。 （もっと読む）

【課題】 転写パターンの形状によらず遮光膜の面内におけるエッチングレートを均一化させ、多階調フォトマスクの品質を向上させ、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、導電性を有するエッチングバランサ膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、エッチングバランサ膜及び半透光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなる。 （もっと読む）

本発明は、シリコン基板の表面の気相中でのテクスチャリング方法および太陽電池用のテクスチャード加工シリコン基板を提供する。上記方法は、上記表面をSF₆/O₂高周波プラズマに2分〜30分の範囲内の時間暴露させてピラミッド構造を示すテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造する少なくとも１つのステップa)を含み、上記SF₆/O₂比が2〜10の範囲内にある。本発明によれば、ステップa)においては、上記高周波プラズマによって発生させた出力密度は2500mW/cm²以上であり、反応チャンバー内の圧力は13.332Pa (100ミリトール)以下であって、転倒タイプのピラミッド構造を有するテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造するようにする。
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【課題】エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ半導体基板１０（基板）上に窒素化合物層１２−２６を形成する。そして、窒素化合物層１６−２６をエッチングする。ここで、窒素化合物層１２−２６は、等間隔に配置され、窒素同位体Ｎ１５を含む複数のマーカー層１６，２０，２４を有する。また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。 （もっと読む）